导读:本文包含了单粒子闩锁效应论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:粒子,效应,脉冲,多位,集成电路,器件,激光。
单粒子闩锁效应论文文献综述
王轩,巨艇,周国昌,赖晓玲,唐硕[1]（2019）在《标准单元抗单粒子闩锁效应加固设计》一文中研究指出文章针对130纳米CMOS工艺标准单粒子闩锁效应问题,开展了Complementary Metal Oxide Semiconductor(CMOS)器件单粒子闩锁效应产生的物理机理分析,提出了一套适合于不同类型标准单元版图加固方法;基于SMIC0. 13μm工艺进行了物理建模仿真和电路实现。仿真结果显示,在遭受LET值为120MeV/mg/cm~2的重离子辐射时,所设计的电路未发生闩锁效应。(本文来源于《空间电子技术》期刊2019年03期）
陈睿,余永涛,董刚,上官士鹏,封国强[2]（2014）在《不同工艺尺寸CMOS器件单粒子闩锁效应及其防护方法》一文中研究指出基于建立的不同工艺尺寸的CMOS器件模型,利用TCAD器件模拟的方法,针对不同工艺CMOS器件,开展了不同工艺尺寸CMOS器件单粒子闩锁效应(SEL)的研究。研究表明,器件工艺尺寸越大,SEL效应越敏感。结合单粒子闩锁效应触发机制,提出了保护带、保护环两种器件级抗SEL加固设计方法,并通过TCAD仿真和重离子试验验证防护效果,得出最优的加固防护设计。结果表明,90nm和0.13μm CMOS器件尽量选用保护带抗SEL结构,0.18μm或更大工艺尺寸CMOS器件建议选取保护环抗SEL结构。(本文来源于《强激光与粒子束》期刊2014年07期）
陈睿,余永涛,上官士鹏,封国强,韩建伟[3]（2014）在《90nm互补金属氧化物半导体静态随机存储器局部单粒子闩锁传播效应诱发多位翻转的机理》一文中研究指出基于单粒子效应脉冲激光实验装置,开展了90 nm互补金属氧化物半导体静态随机存储器的单粒子翻转和闩锁效应实验,并给出了器件单粒子翻转效应位图.实验发现,器件出现了大量的多位翻转和约20 mA的电源电流脉冲.借助器件仿真工具,揭示了器件发生单粒子多位翻转效应的原因.结果表明,器件局部阵列发生单粒子闩锁效应并传播到多个位单元是诱发多位翻转的主要原因.通过对比分析脉冲激光和器件仿真实验结果,发现P/N阱电势塌陷是导致90 nm互补金属氧化物半导体静态随机存储器出现单粒子闩锁传播效应的内在物理机制.(本文来源于《物理学报》期刊2014年12期）
单粒子闩锁效应论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
基于建立的不同工艺尺寸的CMOS器件模型,利用TCAD器件模拟的方法,针对不同工艺CMOS器件,开展了不同工艺尺寸CMOS器件单粒子闩锁效应(SEL)的研究。研究表明,器件工艺尺寸越大,SEL效应越敏感。结合单粒子闩锁效应触发机制,提出了保护带、保护环两种器件级抗SEL加固设计方法,并通过TCAD仿真和重离子试验验证防护效果,得出最优的加固防护设计。结果表明,90nm和0.13μm CMOS器件尽量选用保护带抗SEL结构,0.18μm或更大工艺尺寸CMOS器件建议选取保护环抗SEL结构。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
单粒子闩锁效应论文参考文献
[1].王轩,巨艇,周国昌,赖晓玲,唐硕.标准单元抗单粒子闩锁效应加固设计[J].空间电子技术.2019
[2].陈睿,余永涛,董刚,上官士鹏,封国强.不同工艺尺寸CMOS器件单粒子闩锁效应及其防护方法[J].强激光与粒子束.2014
[3].陈睿,余永涛,上官士鹏,封国强,韩建伟.90nm互补金属氧化物半导体静态随机存储器局部单粒子闩锁传播效应诱发多位翻转的机理[J].物理学报.2014
论文知识图
