论文摘要
富汞LPE是唯一能以生长方式实现As掺杂并直接激活成受主的外延技术,可在富Te水平外延生长的外延薄膜之上生长出高组分厚度为1um-3um的p型覆盖层（Cap层）形成p-on-n型组分梯度异质结构碲镉汞材料,实现碲镉汞p-on-n型组分梯度异质结构的优化设计生长。从而优化碲镉汞探测器的性能,提高碲镉汞焦平面探测器的工作温度,降低组件的体积、重量和功耗,提高可靠性,为高性能红外热像仪的应用创造更多的领域。
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 毛旭峰,宋林伟,吴军,张阳
关键词: 碲镉汞,富汞,垂直液相外延
来源: 科技风 2019年07期
年度: 2019
分类: 基础科学,工程科技Ⅰ辑,工程科技Ⅱ辑
专业: 材料科学,工业通用技术及设备
单位: 昆明物理研究所
分类号: TB383.2
DOI: 10.19392/j.cnki.1671-7341.201907133
页码: 148-151
总页数: 4
文件大小: 1683K
下载量: 106
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