冷等静压压强对激光选区烧结制备多孔SiC（w）/Si3N4陶瓷性能的影响

论文摘要

利用激光选区烧结（SLS）技术制备多孔SiC（w）/Si3N4陶瓷素坯,对素坯进行冷等静压（CIP）处理以改善其性能,探索CIP压强对SLS制备的多孔SiC（w）/Si3N4陶瓷性能的影响。以Si3N4为原料,加入10%（质量分数）的SiC晶须,制备出适用于SLS的复合粉末,利用最佳SLS成型参数打印4组素坯,分别进行压强为100、150、200和250 MPa的CIP处理,经排胶及高温气氛烧结后得到多孔SiC（w）/Si3N4陶瓷。结果表明:随着CIP压强增大,素坯孔隙率减小,抗弯强度增大,而陶瓷的收缩率增大,孔隙率减小,抗弯强度增大。SiC（w）/Si3N4多孔陶瓷在250 MPa下性能最优,其Z方向收缩率、孔隙率和抗弯强度分别达到35.32%、41.19%和18.6 MPa。

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文章来源

类型: 期刊论文

作者: 李国锐,吴甲民,李晨辉,陈安南,刘荣臻,袁定坤

关键词: 氮化硅,碳化硅晶须,激光选区烧结,冷等静压,多孔陶瓷

来源: 硅酸盐学报 2019年06期

年度: 2019

分类: 工程科技Ⅰ辑

专业: 无机化工

单位: 华中科技大学材料科学与工程学院材料成形与模具技术国家重点实验室

基金: 国家自然科学基金(51605177),中央高校基本科研业务费专项资金(2018KFYYXJJ030)

分类号: TQ174.758.12

DOI: 10.14062/j.issn.0454-5648.2019.06.11

页码: 782-788

总页数: 7

文件大小: 1041K

下载量: 181

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