导读:本文包含了晶界势垒模型论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:半导体,沟道,多晶,模型,陶瓷,氧化锌,厚度。
晶界势垒模型论文文献综述
龚祯宁[1]（2014）在《非掺杂多晶半导体薄膜晶体管晶界势垒的解析模型》一文中研究指出本文针对非掺杂多晶半导体薄膜晶体管（Thin Film Transistors, TFTs）的晶粒间界势垒提出了一个适用的解析模型。首先，我们成功建立了基于物理描述的非掺杂多晶半导体TFTs晶粒间界势垒高度的清晰的解析模型。此解析模型是基于离散晶粒分析（Discrete Grain Analysis）和U型的晶界缺陷态密度(Density Of States, DOS)分布得到的。解析解的求解过程用到了朗伯函数（Lambert W function），而且没有引入额外的近似处理。通过与数值计算的结果以及多晶硅TFTs势垒高度的实验值相比较，证实了此解析模型的正确性和有效性。经过对模型中物理参数的仔细分析，清晰的揭示了物理参数对晶界势垒的影响，更加深刻的理解晶界势垒在载流子输运过程中的重要作用。其次，我们发现在DOS分布中深能态为主导的情况下，此解析模型和以前广泛应用的Seto提出的模型在阈值电压以上的区域（the above-threshold region）吻合的很好。此时，Seto的模型中的单能级缺陷态密度可以粗略地等于DOS中深能态密度乘以3—4个热能量单位（kT）。最后，我们此模型用于其它多晶半导体TFTs，如氧化锌TFT中，并做了相应的讨论。(本文来源于《苏州大学》期刊2014-05-01）
郑振华,陈羽,缪容之[2]（1996）在《BaTiO3半导体陶瓷从PTC特性向边界层电容效应过渡问题探讨晶界势垒模型的应用》一文中研究指出对作者提出的晶界势垒模型作定量分析．由理论模型得到的结果定量解释了ＢａＴｉＯ３半导体陶瓷从ＰＴＣ特性向边界层电容效应过渡的有关现象；由此对ＢａＴｉＯ３半导体陶瓷边界层电容器和ＰＴＣ电阻器的性能作出了设计，设计值明显优于目前的实验值；对提高器件性能的方法作了探讨，提出了相应的措施．本文的结果为ＢａＴｉＯ３半导体陶瓷器件的设计、生产和性能提高提供了理论基础(本文来源于《物理学报》期刊1996年09期）
郑振华,缪容之,陈羽[3]（1994）在《BaTiO_3半导体陶瓷从PTC特性向边界层电容效应过渡问题探讨——晶界势垒模型》一文中研究指出本文分析了BaTiO_3半导体陶瓷的Daniels模型存在的问题,提出了从PTC特性向边界层电容效应过渡的晶界势垒模型,解决了Daniels模型的缺陷,使BaTiO_3半导瓷及其有关器件的物理性能的定量计算成为可能。(本文来源于《中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学)》期刊1994年02期）
谭宜成,刘子玉,刘辅宜,张海恩[4]（1988）在《非欧姆氧化锌陶瓷的界面态和晶界势垒模型的探讨》一文中研究指出本文对非欧姆氧化锌(ZnO)陶瓷的界面态进行了探讨,提出了控制非线性电导特性的界面态是由于晶界的深能级电子陷阱,且深能级电子陷阱的形成是由于存在氧缺位缺陷和金属离子正电中心的观点.本文在实验分析的基础上提出了一种新的晶界势垒模型,认为晶界势垒分为主晶界势垒和次晶界势垒,两种势垒的物理性质相同,但形成和蜕变的温度不同。(本文来源于《西安交通大学学报》期刊1988年03期）
晶界势垒模型论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
对作者提出的晶界势垒模型作定量分析．由理论模型得到的结果定量解释了ＢａＴｉＯ３半导体陶瓷从ＰＴＣ特性向边界层电容效应过渡的有关现象；由此对ＢａＴｉＯ３半导体陶瓷边界层电容器和ＰＴＣ电阻器的性能作出了设计，设计值明显优于目前的实验值；对提高器件性能的方法作了探讨，提出了相应的措施．本文的结果为ＢａＴｉＯ３半导体陶瓷器件的设计、生产和性能提高提供了理论基础
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
晶界势垒模型论文参考文献
[1].龚祯宁.非掺杂多晶半导体薄膜晶体管晶界势垒的解析模型[D].苏州大学.2014
[2].郑振华,陈羽,缪容之.BaTiO3半导体陶瓷从PTC特性向边界层电容效应过渡问题探讨晶界势垒模型的应用[J].物理学报.1996
[3].郑振华,缪容之,陈羽.BaTiO_3半导体陶瓷从PTC特性向边界层电容效应过渡问题探讨——晶界势垒模型[J].中国科学(A辑数学物理学天文学技术科学).1994
[4].谭宜成,刘子玉,刘辅宜,张海恩.非欧姆氧化锌陶瓷的界面态和晶界势垒模型的探讨[J].西安交通大学学报.1988
论文知识图
