导读:本文包含了俄歇复合论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:激光器,量子,阈值,电流,半导体,载流子,结构。
俄歇复合论文文献综述
秦朝朝,崔明焕,宋迪迪,何伟[1]（2019）在《CdSeS合金结构量子点的多激子俄歇复合过程》一文中研究指出多激子效应通常是指吸收单个光子产生多个激子的过程,该效应不仅可以为研究基于量子点的太阳能电池开拓新思路,还可以为提高太阳能电池的光电转换效率提供新方法.但是,超快多激子产生和复合机制尚不明确.这里以CdSeS合金结构量子点为研究对象,研究了其多激子生成和复合动力学.稳态吸收光谱显示, 510, 468和430 nm附近的稳态吸收峰,分别对应1S_(3/2)(h)-1S(e)(或1S), 2S_(3/2)(h)-1S(e)(或2S)和1P_P(3/2)(h)-1P(e)(或1P)激子的吸收带.通过飞秒时间分辨瞬态吸收光谱和纳秒时间分辨荧光光谱两种时间分辨光谱技术对CdSeS合金结构量子点的超快动力学进行了探究,结果显示, 1S激子的双激子复合时间大概是80 ps,这一时间比传统量子点的双激子复合时间(小于50 ps)延长了近一倍,结合最近发展的超快界面电荷分离技术,在激子湮灭之前将其利用起来,这一时间的延长将有很大的应用前景;其中,在2S和1P激子中除上述双激子复合外,还存在一个通过声子耦合路径的空穴弛豫过程,时间大概是5—6 ps.最后,利用纳秒时间分辨荧光光谱得到该样品体系单激子复合的时间约为200 ns.(本文来源于《物理学报》期刊2019年10期）
贾国治,姚江宏,刘国梁,柏天国,刘如彬[2]（2007）在《俄歇复合对应变量子阱激光器阂值电流的影响》一文中研究指出通过考虑不同因素对压应变和张应变量子阱激光器阈值电流和特征温度的影响,得到了俄歇复合和非俄歇复合对阈值电流起主要作用的转变温度Tc,小于Tc时,主要是非俄歇复合;大于Tc时,主要是俄歇复合,而且张应变量子阱激光器转变温度要比压应变量子阱激光器的转变温度要高;张应变量子阱激光器与压应变量子阱激光器相比,阈值电流更低,特征温度更高．(本文来源于《量子电子学报》期刊2007年01期）
殷景志,时宝,李龙海,王一丁,杜国同[3]（2006）在《俄歇复合对同质结InGaAs探测器探测率的影响》一文中研究指出通过对InGaAs材料的俄歇(Auger)复合机制的理论分析,给出了少子寿命与材料组分、温度和载流子浓度的关系,从而得到材料参数等对InGaAs探测器的探测率影响的结果,优化材料参数和器件结构可抑制Auger复合机制,提高InGaAs探测器的探测率。(本文来源于《半导体光电》期刊2006年02期）
朴海镇,陈辰嘉,郭长志[4]（1998）在《镓铟砷/铝铟砷QW LD中俄歇复合及其对T_0的影响》一文中研究指出修正了现行俄歇复合率的公式，并用之分析了晶格匹配ＧａＩｎＡｓ／ＡｌＩｎＡｓ异质材料系统在有无量子尺寸效应情况下的俄歇复合率随载流子浓度和温度变化的行为。发现其阈值电流密度随温度的变化行为可分为特征温度（Ｔ０）不同的相邻两个温区，在较高温区，量子尺寸效应作用不大，在较低温区，量子尺寸效应反而降低了Ｔ０，并对此意外的现象提出初步的解释。(本文来源于《半导体光电》期刊1998年06期）
李玉璋,岳京兴,徐俊英,郑宝贞,汪孝杰[5]（1988）在《InGaAsP/InP双异质结激光器中的增益光谱,阈值电流的温度特性及俄歇复合》一文中研究指出报道了1.3μm InGaAsP/InP双异质结半导体激光器增益光谱和阈值电流的温度特性.实验及分析结果表明,在转折温度T_b以上到室温(255K<T≤300K),在非辐射复合电流中俄歇复合起主要作用. 测量了由于俄歇复合引起的0.95μm发射的温度特性并比较了1.3μm和0.95μm的电发光强度比与俄歇复合寿命τ_A与辐射复合寿命τ_r之比,同样说明了在T_b以上到室温,俄歇复合是主要的损耗机理.应用不同测量方法的两个独立的实验得到了相同的结论.(本文来源于《半导体学报》期刊1988年04期）
郭长志,刘要武[6]（1986）在《InGaAsP半导体激光器中能带结构对俄歇复合的影响及其对T_0的贡献》一文中研究指出本文从理论上分析了InGaAsP半导体激光器中能带结构对俄歇复合的影响及其对T_o的贡献,指出k·P微扰能带不适于描述俄歇复合中的(ⅰ)高能载流子和(ⅱ)低能空穴,赝势能带不适于描述Γ点附近的电子.因而提出改进的能带结构,并用它得出带-带间直接俄歇复合过程可以对T_o有主要贡献,其中不排除CHSH过程的存在,但造成T_o小的主要过程是CHCC的明确结论.同时说明采用k·p微扰能带时,由于上述(ⅰ)和(ⅱ)的后果相反而互相抵消,如能带参数取值正确,也可得出大致正确的结论.(本文来源于《半导体学报》期刊1986年02期）
庄蔚华,郑宝真,徐俊英,李玉璋,许继宗[7]（1984）在《InGaAsP/InP双异质结激光器发射的0.95μm发光带和俄歇复合》一文中研究指出在1.3μm InGaAsP/lnP DH激光器发射谱中,我们观测到 0.95μm的短波发射带.实验分析表明这一发射带不是由结偏位引起,也不是有源区中导带到自旋轨道分裂价带的复合发光.当温度从200K到300K变化时,这发光带的峰值随温度的变化与经过自吸收的InP侧向光荧光谱一致.此发光帝的强度与有源区内载流子浓度叁次方成正比.这说明此发光带是有源区内俄歇复合产生的高能载流子越过异质结势垒到InP 限制层中的复合发光.(本文来源于《半导体学报》期刊1984年06期）
Akira,Sugimura,夏代川[8]（1983）在《俄歇复合对InGaAsP量子阱激光器的阈值电流的影响》一文中研究指出为了改善InGaAsP激光器阈值电流与温度的关系,人们寄希望于量子阱(QW)结构。虽然分析了GaAs量子辐激光器的辐射电流与温度的关系,但不能用于InGaAsP量子阱激光器,因为俄歇效应对这种激光器有着重要的作用。本文分析了量子的尺寸对俄歇电流的影响,揭示出了InGaAsP量子阱激光器的低阈值电流和高特征温度T_0的极限值。计算了量子阱结构中导带和价带次能带之间一切可能跃迁的增益、辐射和俄歇系数。它们的全量子化状态到体状态跃迁范围的性质已经搞清楚。在载流子间无相互作用条件下,采用K-选择准则,InGaAsP和GaAs量子阱激光器的阈值电流计算值与文(本文来源于《半导体光电》期刊1983年01期）
C,B,箦,屈积建[9]（1983）在《观测InGaAsP激光器的俄歇复合及载流子泄漏》一文中研究指出俄歇复合和载流子泄漏已作为InGaAsP激光器和LED_s的温度灵敏性高和内量子效率低的原因而被提出。本文发表了通过测量载流子寿命和自发辐射率而获得辐射和俄歇复合率以及泄漏电流。发现俄歇复合率和泄漏电流强烈地依赖于掺杂程度。使用的器件是1.3μm InGaAsP双异质结激光器,其氧化物隔离接触条100μm,有源(本文来源于《半导体光电》期刊1983年01期）
R,Lang,夏代川[10]（1983）在《InGaAsP/InP DH光源中的俄歇复合载流子受热和载流子漏泄增强》一文中研究指出对发光二极管的输出饱和进行仔细分析后就能有根据地认为,俄歇复合是1.3μm InGaAsP/Inp DH光源的输出饱和及激光器阈值的温度敏感性高的主要原因。另外,在最近的实验中观察到大量载流子意外地穿过异质结势垒,像载流子受热一样很可能对器件性能也有影响。本文想统一认识这些现象发生的可能性,认为俄歇复合引起载流子受热,继而载流子泄漏增强。如果采用参考文献1的表示法,那末由俄歇过程引起每单位受热体积的产生率P=E_9An~2,并以速率R向晶格散失。有效能量(本文来源于《半导体光电》期刊1983年01期）
俄歇复合论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
通过考虑不同因素对压应变和张应变量子阱激光器阈值电流和特征温度的影响,得到了俄歇复合和非俄歇复合对阈值电流起主要作用的转变温度Tc,小于Tc时,主要是非俄歇复合;大于Tc时,主要是俄歇复合,而且张应变量子阱激光器转变温度要比压应变量子阱激光器的转变温度要高;张应变量子阱激光器与压应变量子阱激光器相比,阈值电流更低,特征温度更高．
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
俄歇复合论文参考文献
[1].秦朝朝,崔明焕,宋迪迪,何伟.CdSeS合金结构量子点的多激子俄歇复合过程[J].物理学报.2019
[2].贾国治,姚江宏,刘国梁,柏天国,刘如彬.俄歇复合对应变量子阱激光器阂值电流的影响[J].量子电子学报.2007
[3].殷景志,时宝,李龙海,王一丁,杜国同.俄歇复合对同质结InGaAs探测器探测率的影响[J].半导体光电.2006
[4].朴海镇,陈辰嘉,郭长志.镓铟砷/铝铟砷QWLD中俄歇复合及其对T_0的影响[J].半导体光电.1998
[5].李玉璋,岳京兴,徐俊英,郑宝贞,汪孝杰.InGaAsP/InP双异质结激光器中的增益光谱,阈值电流的温度特性及俄歇复合[J].半导体学报.1988
[6].郭长志,刘要武.InGaAsP半导体激光器中能带结构对俄歇复合的影响及其对T_0的贡献[J].半导体学报.1986
[7].庄蔚华,郑宝真,徐俊英,李玉璋,许继宗.InGaAsP/InP双异质结激光器发射的0.95μm发光带和俄歇复合[J].半导体学报.1984
[8].Akira,Sugimura,夏代川.俄歇复合对InGaAsP量子阱激光器的阈值电流的影响[J].半导体光电.1983
[9].C,B,箦,屈积建.观测InGaAsP激光器的俄歇复合及载流子泄漏[J].半导体光电.1983
[10].R,Lang,夏代川.InGaAsP/InPDH光源中的俄歇复合载流子受热和载流子漏泄增强[J].半导体光电.1983
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