芯片表面的冷极性分子静电阱与微阱阵列

芯片表面的冷极性分子静电阱与微阱阵列

论文摘要

提出一种利用三根载荷金属杆来实现在芯片表面陷俘冷极性分子的静电阱.给出空间静电场等高线分布.通过调节电极电压操控阱中心距离芯片表面的高度.用经典的蒙特卡罗方法模拟冷分子被装载和囚禁的动力学过程.方案对中心速度为11 m·s-1的冷分子束,最大装载效率可以达到40%,阱中分子的温度大约为25 mK.方案可以进一步微型化、集成化,形成一维和二维静电微阱阵列,在量子计算、低维物理等方面有应用价值.

论文目录

  • 0 引言
  • 1 静电表面单阱
  •   1.1 方案原理
  •   1.2 静电表面阱的形成
  • 2 数值模拟
  •   2.1 模拟方法
  •   2.2 模拟结果
  • 3 一维和二维微阱阵列
  •   3.1 一维微阱阵列
  •   3.2 二维微阱阵列
  • 4 结论
  • 文章来源

    类型: 期刊论文

    作者: 吴言,刘思琪,李胜强

    关键词: 冷极性分子,静电表面阱,微阱阵列,蒙特卡罗模拟

    来源: 计算物理 2019年04期

    年度: 2019

    分类: 基础科学

    专业: 物理学

    单位: 盐城师范学院新能源与电子工程学院

    基金: 国家自然科学基金青年科学基金(11504318),江苏省大学生创新创业项目(201710324001Y)资助

    分类号: O562.2

    DOI: 10.19596/j.cnki.1001-246x.7880

    页码: 483-490

    总页数: 8

    文件大小: 437K

    下载量: 31

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