论文摘要
本文对三层热壁水平流金属有机化学气相沉积(MOCVD)真空反应腔的设计以及最终流场分布都进行了理论模拟。在选择优化喷管排布基础上,在衬底托盘、衬底四周底壁,以及衬底所在区域上壁临近区域范围加热,形成局部热壁外延真空反应腔体。此外,对于真空腔体设计,顶层与底层流动速度,都进行细致研究,确保在材料生长区域的壁面,反应前驱物源气体保持在稳定且无漩涡流动状态,并使反应物主要分布在衬底位置处,有效提高反应物利用率,并避免在腔壁等处发生反应,最后进行热壁MOCVD材料生长,得到厚度分布比较均匀,x射线双晶衍射的半峰全宽(FWHM)为149.8弧度秒,表明生长出质量良好的氮化镓(GaN)薄膜单晶材料。
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文章来源
类型: 期刊论文
作者: 李琳,李成明,杨功寿,胡西多,杨少延,苏宁
关键词: 金属有机化学气相沉积,反应腔体,热壁,喷管,数值模拟
来源: 真空 2019年01期
年度: 2019
分类: 工程科技Ⅱ辑,工程科技Ⅰ辑
专业: 无机化工,有机化工
单位: 长沙(星沙)经济技术开发区毛塘工业园区湖南信息学院,中国科学院半导体研究所中国科学院半导体材料科学重点实验室,北京大学东莞光电研究院,东莞理工学院电子与智能化学院,材料与光电研究中心中国科学院大学,沈阳真空技术研究所有限公司
基金: 国家重点研发计划(No.2017YFB0404201),国家自然科学基金项目(Nos.61774147,61504128),广东省省级科技项目,东莞市产学研合作项目,东莞市重大科技项目(项目编号:2013B090500004,2014509130207以及2014215130),广东省财政补贴项目(粤财工【2015】639号)
分类号: TQ051.4
DOI: 10.13385/j.cnki.vacuum.2019.01.07
页码: 34-38
总页数: 5
文件大小: 833K
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标签：金属有机化学气相沉积论文; 反应腔体论文; 热壁论文; 喷管论文; 数值模拟论文;