导读:本文包含了调制结构论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:高温超导,调制结构,共振X射线衍射,同步辐射
调制结构论文文献综述
王海波,罗震林,刘清青,靳常青,高琛[1]（2019）在《共振X射线衍射研究高温超导Sr_2CuO_(3.4)晶体中的调制结构》一文中研究指出为了进一步研究Sr_2CuO_(3.4)高温超导样品中调制结构与超导电性关系,本文对其调制结构形成机制提出了一种新的解释.采用同步辐射共振X射线衍射技术在Cu K边附近探测调制结构随入射光能量的变化,探测到Cu~(2+), Cu~(3+)变价有序,并用于解释Sr_2CuO_(3.4)高温超导样品中调制结构的形成机制.实验结果表明,氧空位既占据顶角位置又存在于CuO_2面内,氧空位的有序排布造成变价铜离子有序,这种有序结构与其超导电性相关.(本文来源于《物理学报》期刊2019年18期）
孟思远[2]（2019）在《应用于Si基器件的表面应力调制结构》一文中研究指出当芯片特征尺寸进入深亚微米后,一些特定的小尺寸制造工艺会往器件沟道区引入应力,这会对器件性能产生影响。因此,在小尺寸下如何有效调制器件沟道区应力将显得尤为重要。通过对器件沟道区应力的调制使得器件性能可以更为灵活的被调控,从而以满足特定的需求。本文结合目前主要的槽形应力调制技术,将其应用在两种不同类型的器件,研究其对器件力学特性及电学特性的影响。首先,针对小尺寸器件下为降低源漏接触电阻而采用NiSi电极时,由于NiSi电极会引入PMOSFET沟道区沿沟道方向单轴张应力而使得其电学特性下降的问题,提出了基于槽形应力调制结构的NiSi电极PMOSFET。通过计算仿真分析得到槽形应力调制结构可有效弛豫由NiSi电极引入器件沟道区的应力,并且将槽形应力调制结构尺寸调整至最优值时,可使PMOSFET沟道区沿沟道方向单轴张应力弛豫幅度达到最大值。并且相比较无应力调制结构时,采用槽形应力调制结构后,其器件转移特性和输出特性均得到有效提升。其次,对于目前最主要的单轴应变技术CESL技术,当采用压应变CESL来提升PMOSFET电学特性时,压应变CESL会降低NMOSFET的电学特性,因此需要去除NMOSFET表面的压应变CESL,这会增大工艺复杂度。针对这一问题,提出了具有表面应力调制结构的应变NMOSFET。通过计算仿真分析,得出表面应力调制结构可有效弛豫由CESL引入NMOSFET器件沟道区的应力,并且弛豫幅度与表面应力调制结构的几何参数有关。通过设置表面应力调制结构几何参数至特定值,可使得NMOSFET沟道区沿沟道方向单轴压应力得到有效弛豫,其转移特性和输出特性也均得到有效提升。(本文来源于《电子科技大学》期刊2019-03-01）
任鑫,吴双全,李岩帅,赵瑞山,黄美东[3]（2018）在《TiN/TiCN多层调制结构薄膜的耐蚀性》一文中研究指出多弧离子镀和磁控溅射制备薄膜各有优缺点,将2种技术复合制膜的研究还少有报道。采用多弧离子镀和磁控溅射复合技术在304不锈钢基体表面制备了TiN单层和TiN/TiCN多层膜,采用扫描电镜、X射线衍射仪并结合电化学测试等着重研究了不同调制周期下薄膜组织结构与耐腐蚀性能的变化规律。结果表明:所制备的TiN/TiCN多层膜表面平整、致密,随着调制周期的减小,TiN/TiCN多层膜发生生长取向的转变,且具有(111)晶面生长织构; TiN/TiCN多层膜在3.5%NaCl溶液中的抗腐蚀能力优于基体和单层TiN薄膜,随着多层膜调制周期的减小,其抗腐蚀性逐渐增强,在λ=0.150μm时,多层膜的自腐蚀电流密度和极化电阻分别为0.106 7μA/cm~2和679.700 kΩ·cm~2,腐蚀速率下降到最低,具有良好的耐腐蚀性。(本文来源于《材料保护》期刊2018年07期）
许明慧[4]（2018）在《电子束辐照下SrCrO_3中的调制结构研究》一文中研究指出钙钛矿型过渡金属氧化物SrCrO_3因其结构、电学和磁学性质的复杂转变一直吸引着人们的注意力。然而,由于单晶SrCrO_3很难合成,因此之前的研究多集中在多晶和薄膜样品上。本论文利用透射电子显微术(transmission electron microscopy(TEM))和扫描透射电子显微术(scanning transmission electron microscopy(STEM))、电子能量损失谱(electron energy loss spectrum(EELS))和基于密度泛函理论(density functional theory(DFT))的第一性原理计算等手段对立方钙钛矿单晶SrCrO_3进行了系统的研究。主要内容包括:研究了母相SrCrO_3在可控的电子束辐照下形成的叁种新的调制结构相,EELS谱揭示了电子束辐照会产生有序的氧空位并形成新的结构SrCrO_(2.5)(I4/mmm),SrCrO_(2.8)(C2/m)和SrCrO_(2.67)(Cm)。我们提出了叁种可能的结构模型并通过第一性原理计算进行了结构优化,并从热力学上对形成叁个调制相的先后顺序进行了合理的解释。这些结果表明电子束辐照可以调控材料的晶体结构和性质,也大大丰富了Sr CrO_(3-δ)体系的内容。(本文来源于《中国科学院大学(中国科学院物理研究所)》期刊2018-06-01）
刘颜琼[5]（2018）在《基于余弦调制结构信道化接收机的设计》一文中研究指出讨论了一种基于DCT-IV的余弦调制滤波器组的设计方法,推导了DCT-IV的快速算法,采用余弦调制滤波器组实现信道化接收机的设计。该方法避免了传统信道化结构的复数运算,采用实数运算提高计算效率。设计简单、计算快速,对该方法进行了仿真实验,验证了该结构接收机的有效性。(本文来源于《信息通信》期刊2018年01期）
杨槐馨,蔡瑶,何俊宝,田焕芳,李建奇[6]（2017）在《LaTe_(2-δ)中电荷密度波及空位序调制结构扫描透射电子显微镜直接观察》一文中研究指出高角环形暗场扫描透射电子显微技术(HAADF-STEM),不仅可以分辨晶体结构的空间原子分布,还可以直接显示晶体内原子种类的分布和缺陷结构;针对强关联材料,可以明确区别电荷密度波、空位序、离子序调制,对理解微观结构缺陷、局域对称性破缺具有重要意义.本文首先对稀土碲化物LaTe_(2-δ)体系结构调制进行了系统的透射电子显微镜分析,指出LaTe_(2-δ)中,除了q=(1/2)a*的公度电荷密度波调制,受缺陷掺杂调节的系列调制波矢为q=(1/2-α)a*的非公度电荷密度波调制,还存在调制波矢q_2=1/5(3a*+b*CDW)的超结构.高精度原子分辨HAADF-STEM实空间直接观察澄清,q_(CDW)和电荷密度波元激发伴随的单层Te原子层晶格畸变密切相关,q2调制结构的形成归结为单层Te原子层中的Te空位有序.HRTEM结果分析表明,LaTe_(2-δ)中,空位序的形成完全抑制了该体系的电荷密度波转变,两种调制结构以相分离的形式存在.(本文来源于《科学通报》期刊2017年34期）
刘明霞,马飞,畅庚榕,何斌锋,付福兴[7]（2017）在《不同调制结构Ni/Al型纳米多层膜的非对称扩散及界面应力演化行为（英文）》一文中研究指出为了研究分析室温下溅射沉积的金属异质结界面演化的尺度依赖性,制备了不同调制周期和Ni:Al调制比等特征结构的Ni/Al型金属纳米多层膜。结合X射线衍射、多光束光学应力传感器(MOSS)实时薄膜曲率测量,研究了应力演化行为,并在此基础上分析推测纳米多层膜在生长过程中的界面特性。结果表明,由于各亚层内各向异性纳米晶结构,多层膜界面具有不对称性,这是由于界面处Ni原子向Al晶格内的不对称扩散行为所致。当此类型多层膜具备最小调制周期和最低Ni:Al调制比这2个特征参量时,上述不对称扩散行为由于界面累积效应变得更为加剧。(本文来源于《稀有金属材料与工程》期刊2017年11期）
张国君,关志良,李娇,王涛,张金钰[8]（2017）在《Cu/Zr纳米多层膜的调制结构与电阻率》一文中研究指出采用磁控溅射技术在单晶硅片上制备了恒定调制周期(λ=25,40 nm)、不同调制比(η=0.1~10.5)的Cu/Zr纳米多层膜。分别通过透射电子显微镜研究分析Cu/Zr多层膜的微观结构,通过四探针测量法系统研究Cu/Zr多层膜电阻率的尺寸效应。微观结构分析表明:Cu/Zr多层膜呈现周期性层状结构,层界面清晰。调制周期与调制比均显着影响Cu/Zr多层膜的电阻率(ρ)。相同调制周期下,η大于临界调制比(η_C≈1)时,ρ几乎与η无关;而η小于此临界调制比(η_C≈1)时,ρ随η减小急剧增大。利用Fuchs-Sondheimer和Mayadas-Shatzkes(FS-MS)传输模型可以对实验数据进行很好的拟合,拟合结果表明:当η>η_C时,晶界散射和界面散射协同作用是Cu/Zr多层膜电阻率变化的主控机制;当η<η_C时,晶界散射成为多层膜电阻率变化的主导因素。(本文来源于《中国材料进展》期刊2017年05期）
昌盛成[9]（2017）在《快速成像场发射X射线管的电子调制结构研究》一文中研究指出X射线成像由于可以透过物体表面对其内部进行成像这一优异性能,在医疗、工业探伤、安检等方面都已具有广泛的应用。采用场发射冷阴极为电子源的X射线管,由于可以通过电场瞬间调制场发射电子束而有可能实现快速成像,在低辐射剂量成像或者对运动物体的动态监测场合极具应用潜力。因此,本文以碳纳米管作为冷阴极发射材料,重点研究了 X射线管中的电子调制结构对阳极电流的影响。本文提出了电源驱动方式、X射线管栅极设计等改进方案,并进行了实验研究;对栅网的结构参数进行了仿真优化;设计加工了冷阴极X射线管,通过成像实验验证所设计的X射线管性能。本文基于叁极的场发射结构,在直流和脉冲驱动下测试了场致发射性能。结果表明使用脉冲电源驱动能有效降低栅网工作时的功率,有利于提高栅极电压,从而提高阳极电流。但是在大电流条件下,栅极的透过率出现大幅度下降,导致大量阴极发射电子被栅极拦截,从而限制了阳极电流大小。为此,本文提出了两种解决方案:第一种是在栅网上蒸镀二次电子发射材料氧化镁(MgO)薄膜。实验测试表明,MgO薄膜可以对阳极电流有极大的提高,同时不易出现打火,工作稳定。第二种是使用覆盖碳膜的栅网,本文建立了单个网孔的COMSOL仿真模型并作了实验研究。结果表明,由于栅网网孔处电场强度相对于孔壁处较小,而只有网孔处发射的电子能够通过网孔,发射电场并不均匀。而厚度小于1Onm的导电碳膜不仅能使阴栅间的电场均匀,而且几乎不阻碍电子从中顺利穿过到达阳极。为了进一步优化栅网结构,本文对叁角形、方形、六边形叁种网孔形状进行了仿真研究。其中,根据透过率和阳极电流的仿真结果,得到最优化的栅网结构为边长0.4mm的叁角形网孔,其透过率可以达到68.7%。最后,我们使用前文中的阴栅极结构封装制备了冷阴极X射线管,并使用该X射线管分别进行了直流和脉冲成像实验。直流条件下,无论是使用胶片还是影像增强器,该X射线管均能对样品形成清晰的影像,并且能在阳极电压50kV时稳定工作。脉冲条件下,使用影像增强器能在单个脉冲(脉冲宽度50ms,占空比1:20)内对样品进行快速成像。此外,本文还使用场发射扫描电子显微镜(FESEM)中的电子源,对焦点尺寸大小、电子束入射角度、阳极靶材料等对X射线成像质量的影响进行了研究,为今后高分辨快速成像的研究进行了初步的探索。(本文来源于《东南大学》期刊2017-05-31）
岳保旺,丁伟杰[10]（2017）在《基于改进型弹光调制结构的VOC气体浓度检测系统》一文中研究指出由于传统弹光调制系统受调制晶体尺寸的限制,光谱分辨率较低,致使其气体浓度探测精度不高。为了提高系统光谱分辨率,设计了一种改进型弹光调制系统,通过使入射光在晶体内多次反射增大光程差,从而获取更高的光谱分辨率。整个系统由激光器、弹光调制器、起偏器、检偏器及光电探测器构成。弹光晶体上加工一个楔角θ,并在两个面上镀反射膜从实现增大有效光程的效果。计算了楔角对光程、调制相位以及能量的函数关系。最终确定了合适的楔角值,并给出了相应的光程函数表达式。实验分别对叁种常见的VOC气体进行浓度分析,样气浓度采用PTM400-VOC型气体分析仪定标,并与传统弹光调制系统进行对比。结果显示,改进型弹光调制系统气体浓度检出限可达0.010mg·m-3,相比传统弹光调制系统高一个数量级以上,气体浓度检测误差为3.4%,也优于传统型。综上所述,改进型弹光调制系统不但具备静态结构高稳定性的优点,同时还大幅提高了系统的光谱分辨能力及浓度检测精度。(本文来源于《光谱学与光谱分析》期刊2017年01期）
调制结构论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
当芯片特征尺寸进入深亚微米后,一些特定的小尺寸制造工艺会往器件沟道区引入应力,这会对器件性能产生影响。因此,在小尺寸下如何有效调制器件沟道区应力将显得尤为重要。通过对器件沟道区应力的调制使得器件性能可以更为灵活的被调控,从而以满足特定的需求。本文结合目前主要的槽形应力调制技术,将其应用在两种不同类型的器件,研究其对器件力学特性及电学特性的影响。首先,针对小尺寸器件下为降低源漏接触电阻而采用NiSi电极时,由于NiSi电极会引入PMOSFET沟道区沿沟道方向单轴张应力而使得其电学特性下降的问题,提出了基于槽形应力调制结构的NiSi电极PMOSFET。通过计算仿真分析得到槽形应力调制结构可有效弛豫由NiSi电极引入器件沟道区的应力,并且将槽形应力调制结构尺寸调整至最优值时,可使PMOSFET沟道区沿沟道方向单轴张应力弛豫幅度达到最大值。并且相比较无应力调制结构时,采用槽形应力调制结构后,其器件转移特性和输出特性均得到有效提升。其次,对于目前最主要的单轴应变技术CESL技术,当采用压应变CESL来提升PMOSFET电学特性时,压应变CESL会降低NMOSFET的电学特性,因此需要去除NMOSFET表面的压应变CESL,这会增大工艺复杂度。针对这一问题,提出了具有表面应力调制结构的应变NMOSFET。通过计算仿真分析,得出表面应力调制结构可有效弛豫由CESL引入NMOSFET器件沟道区的应力,并且弛豫幅度与表面应力调制结构的几何参数有关。通过设置表面应力调制结构几何参数至特定值,可使得NMOSFET沟道区沿沟道方向单轴压应力得到有效弛豫,其转移特性和输出特性也均得到有效提升。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
调制结构论文参考文献
[1].王海波,罗震林,刘清青,靳常青,高琛.共振X射线衍射研究高温超导Sr_2CuO_(3.4)晶体中的调制结构[J].物理学报.2019
[2].孟思远.应用于Si基器件的表面应力调制结构[D].电子科技大学.2019
[3].任鑫,吴双全,李岩帅,赵瑞山,黄美东.TiN/TiCN多层调制结构薄膜的耐蚀性[J].材料保护.2018
[4].许明慧.电子束辐照下SrCrO_3中的调制结构研究[D].中国科学院大学(中国科学院物理研究所).2018
[5].刘颜琼.基于余弦调制结构信道化接收机的设计[J].信息通信.2018
[6].杨槐馨,蔡瑶,何俊宝,田焕芳,李建奇.LaTe_(2-δ)中电荷密度波及空位序调制结构扫描透射电子显微镜直接观察[J].科学通报.2017
[7].刘明霞,马飞,畅庚榕,何斌锋,付福兴.不同调制结构Ni/Al型纳米多层膜的非对称扩散及界面应力演化行为（英文）[J].稀有金属材料与工程.2017
[8].张国君,关志良,李娇,王涛,张金钰.Cu/Zr纳米多层膜的调制结构与电阻率[J].中国材料进展.2017
[9].昌盛成.快速成像场发射X射线管的电子调制结构研究[D].东南大学.2017
[10].岳保旺,丁伟杰.基于改进型弹光调制结构的VOC气体浓度检测系统[J].光谱学与光谱分析.2017