导读:本文包含了直流偏场论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:内场,哑铃,布洛赫,电介质,调性,电场,表面。
直流偏场论文文献综述
孔宁,林晓牧,马韬,曹伯承,金学淼[1]（2008）在《直流偏场下BST电性能计算机测试系统》一文中研究指出针对BaxSr1-xTiO3(BST,钛酸锶钡)材料在直流偏场下的电性能的变化,设计出一种直流偏场下BST电性能参数计算机测试系统。该系统测试结果通过串口输入计算机,通过LabVIEW编写的虚拟仪器程序实时处理与显示材料在不同偏压下的介电常数-温度曲线与损耗曲线,从中引申出了一种外加直流偏场下热释电系数的测试方法。利用该系统在25~70℃,200 V与400 V偏压下,对BST样片进行了测量,得到了相关曲线与数据,其中400 V下材料相对介电常数峰值与热释电系数峰值在42.2℃达到6 795.51与1.17×10-7C/cm2.K,测量结果对于研究BST材料的红外探测性能具有现实意义。(本文来源于《仪器仪表学报》期刊2008年01期）
李静,郭革新,聂向富,李亚琴,王莉[2]（2007）在《直流偏场和面内场作用下OHB的条泡转变》一文中研究指出实验研究了直流偏场和面内场共同作用下,液相外延石榴石磁泡膜中普通硬磁泡的条泡转变现象.实验表明,在室温下所有硬磁泡经条泡转变后存在2个特征偏场(Hb)I和(Hb)II,当Hb≤(Hb)I时,条泡转变后的泡畴全是软泡,当Hb≥(Hb)II时,条泡转变后的泡畴全是硬磁泡.随着直流偏场的升高,普通硬磁泡的最小条泡转变面内场和最大条泡转变面内场逐渐降低.(本文来源于《河北师范大学学报(自然科学版)》期刊2007年04期）
王丽娜[3]（2006）在《直流偏场和面内场联合作用下ID畴壁内VBL的稳定性》一文中研究指出超高密度固态布洛赫线存储器(BLM)是以硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线(VBLs)作为信息载体,所以硬畴畴壁中VBLs产生及其稳定性的研究对超高密度布洛赫线存储器的研制和磁畴壁物理的发展都是非常重要的。直流偏场(H_b)和面内场(H_(ip))都是影响硬磁畴畴壁中VBLs稳定性的重要因素。以前的实验研究了用脉冲偏场法产生的叁类硬磁畴在面内场作用下的行为,发现存在一个与材料参量相关的临界面内场范围[H_(ip)~(1),H_(ip)~(2)],在这个范围内,磁畴壁中的垂直布洛赫线是逐步丢失的。王远飞等人研究了直流偏场和面内场共同作用对第Ⅱ类哑铃畴(ⅡD)和普通硬磁畴(OHB)的影响,发现了一些有价值的规律。那么对于第Ⅰ类哑铃畴(ⅠD)会是怎样的情况以及这叁类硬磁畴在直流偏场和面内场共同作用下会有怎样的共性和特性?这就是本文的出发点。 首先本文给出了H_b不为零时ⅠD剩余率曲线和ⅠD的缩灭场曲线。发现随着H_b的升高,ⅠD剩余率曲线下降的趋势愈发剧烈,表明自缩灭的作用也愈来愈大。 其次为了比较叁类硬磁畴畴壁内VBL解体机制的内在联系,在相同的外界条件下,本文对ⅡD和OHB也作了相同的实验。比较叁者的结果,发现:在相同的H_b下叁类硬磁畴的H_(ip)~(2)一致;H_(ip)~(1)则是ⅡD<ⅠD<OHB。在不同的H_b下,随着H_b的增大,H_(ip)~(1)和H_(ip)~(2)减小;临界场范围[H_(ip)~(1),H_(ip)~(2)]也变窄。因为随着H_b的增大,H_b和H_(ip)给磁畴的能量也越大,使得VBL含量多的磁畴容易变(本文来源于《河北师范大学》期刊2006-04-25）
吴佺,郭革新,聂向富,王丽娜,翟晓霞[4]（2006）在《直流偏场和面内场共同作用下第Ⅰ类哑铃畴的条泡转变》一文中研究指出实验研究了直流偏场和面内场共同作用第Ⅰ类哑铃畴(IDs)的条泡转变现象.实验表明:1)存在3个特征直流偏场,即:条泡转变后的磁畴均为软泡的磁场以及条泡转变后的磁畴中依次出现普通硬磁泡和第Ⅰ类哑铃畴的磁场;2)IDs的最小条泡转变面内场和最大条泡转变面内场均随直流偏场的增加而减小.(本文来源于《河北师范大学学报》期刊2006年02期）
王丽娜,吴佺,聂向富,郭革新[5]（2005）在《直流偏场和面内场联合作用下第Ⅰ类哑铃畴壁内VBLs的稳定性》一文中研究指出研究了直流偏场和面内场联合作用下,液相外延石榴石磁泡膜中第Ⅰ类哑铃畴(ID)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的稳定性.发现,室温时在Hb和Hip的共同作用下,当Hb>H′sb时,ID的剩余率将在某一面内场Hip下迅速下降,即ID畴壁内VBL在某一Hip迅速丢失.随着Hb上升这种下降的趋势越容易发生,并变得更剧烈.通过观察证实,这种下降的趋势与ID的自收缩有关.由此可知,在Hip和Hb的共同作用下ID畴壁中的VBLs丢失的过程中,自收缩起着重要的作用.(本文来源于《河北师范大学学报》期刊2005年04期）
刘萍,梁辉,张鹤凌,徐廷献[6]（2004）在《微观结构对掺杂氧化镧的钛酸锶钡电介质材料直流偏场可调性的影响》一文中研究指出本文以水热法生产的超细钛酸钡Ba Ti O_3和钛酸锶Sr Ti O_3为原料合成钛酸锶钡固溶体,并在此基础上制备了掺杂不同含量氧化镧La_2O_3的样品。对样品的介电性能、微观结构进行了研究,并讨论两者之间的关系。具体包括测量了样品在1MHz下的介电常数-温度性能,样品在室温频率为2MHz~30MHz时的介电常数-频率性能,介电常数-频率变化率,和样品的介电常数直流电场可调性Tu,以及分析了样品的相组成。由此得到一系列结果,发现随着La_2O_3的掺杂量的增加,样品的组分呈现多样化趋势,样品在低频下的介电常数值逐渐下降;样品在微波频段下的介电常数和介电损耗较1MHz时相比有较大降低,但降低幅度有所减小;样品的直流偏场可调性随着La_2O_3加入量的上升而呈先上升后下降的趋势。(本文来源于《第十叁届全国高技术陶瓷学术年会摘要集》期刊2004-10-14）
郭革新,马丽梅,孙会元,聂向富[7]（2002）在《直流偏场和面内场作用下ID畴壁中VBL链的消失》一文中研究指出研究了直流偏场和面内场联合作用下第 类哑铃畴畴壁中 VBL链的消失 ,即软化过程 .实验发现 ,当直流偏场 Hb>Hsb′时 ,第 类哑铃畴的起始软化面内场 (Hip) OHB和临界面内场 Hip′的数值都比不加直流偏场时的数值低 ,并且随着直流偏场的增加而减小(本文来源于《河北师范大学学报》期刊2002年06期）
孙会元,咸立芬,胡海宁,聂向富[8]（1998）在《直流偏场和温度联合作用下第Ⅱ类哑铃畴的自崩灭》一文中研究指出实验研究了第Ⅱ类哑铃畴(ⅡD)在直流偏场和温度联合作用下的自崩灭现象,发现第Ⅱ类哑铃畴的自崩灭存在一个与材料参量有关的自崩灭的偏场范围,并且该范围的上下限是温度的递减函数。此外,实验表明ⅡD的自崩灭过程是VBL链的突然解体,这为进一步研究直流偏场作用下VBL的消失机制提供了线索。(本文来源于《河北科技大学学报》期刊1998年04期）
孙会元,唐贵德,郭革新,聂向富,王远飞[9]（1998）在《直流偏场和面内场联合作用下第二类哑铃畴的自发收缩》一文中研究指出实验研究了第二类哑铃畴在直流偏场和面内场联合作用下的自发收缩现象，发现第二类哑铃畴的自发收缩不仅与面内场的大小有关，而且还与第二类哑铃畴在面内场中所处方向有关．采用照相法形象地揭示出：当第二类哑铃畴与面内场垂直时最容易发生自发收缩；当第二类哑铃畴与面内场平行时最难发生自发收缩．实验还证明了第二类哑铃畴在自发收缩过程中存在垂直布洛赫线的丢失现象(本文来源于《物理学报》期刊1998年05期）
孙会元,倪振成,聂向富[10]（1997）在《直流偏场和面内场交替作用对普通硬泡的影响》一文中研究指出实验研究了直流偏场“整形”和面内场交替作用下普通硬磁泡畴壁中垂直布洛赫线（ＶＢＬ）的消失规律。发现存在一个与磁泡材料参量相关的使ＶＢＬ链解体的临界面内场范围［Ｈ（０）ｉｐ，Ｈ（２）ｉｐ］，证明了面内场作用下普通硬磁泡畴壁中ＶＢＬ的消失与其畴壁中所含ＶＢＬ数目的多少无关。为准确测得面内场作用下ＶＢＬ不稳定的最小临界面内场提供了一种实验方法(本文来源于《河北轻化工学院学报》期刊1997年04期）
直流偏场论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
实验研究了直流偏场和面内场共同作用下,液相外延石榴石磁泡膜中普通硬磁泡的条泡转变现象.实验表明,在室温下所有硬磁泡经条泡转变后存在2个特征偏场(Hb)I和(Hb)II,当Hb≤(Hb)I时,条泡转变后的泡畴全是软泡,当Hb≥(Hb)II时,条泡转变后的泡畴全是硬磁泡.随着直流偏场的升高,普通硬磁泡的最小条泡转变面内场和最大条泡转变面内场逐渐降低.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
直流偏场论文参考文献
[1].孔宁,林晓牧,马韬,曹伯承,金学淼.直流偏场下BST电性能计算机测试系统[J].仪器仪表学报.2008
[2].李静,郭革新,聂向富,李亚琴,王莉.直流偏场和面内场作用下OHB的条泡转变[J].河北师范大学学报(自然科学版).2007
[3].王丽娜.直流偏场和面内场联合作用下ID畴壁内VBL的稳定性[D].河北师范大学.2006
[4].吴佺,郭革新,聂向富,王丽娜,翟晓霞.直流偏场和面内场共同作用下第Ⅰ类哑铃畴的条泡转变[J].河北师范大学学报.2006
[5].王丽娜,吴佺,聂向富,郭革新.直流偏场和面内场联合作用下第Ⅰ类哑铃畴壁内VBLs的稳定性[J].河北师范大学学报.2005
[6].刘萍,梁辉,张鹤凌,徐廷献.微观结构对掺杂氧化镧的钛酸锶钡电介质材料直流偏场可调性的影响[C].第十叁届全国高技术陶瓷学术年会摘要集.2004
[7].郭革新,马丽梅,孙会元,聂向富.直流偏场和面内场作用下ID畴壁中VBL链的消失[J].河北师范大学学报.2002
[8].孙会元,咸立芬,胡海宁,聂向富.直流偏场和温度联合作用下第Ⅱ类哑铃畴的自崩灭[J].河北科技大学学报.1998
[9].孙会元,唐贵德,郭革新,聂向富,王远飞.直流偏场和面内场联合作用下第二类哑铃畴的自发收缩[J].物理学报.1998
[10].孙会元,倪振成,聂向富.直流偏场和面内场交替作用对普通硬泡的影响[J].河北轻化工学院学报.1997
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