保温时间对GaAs功率芯片钎缝组织及性能的影响

保温时间对GaAs功率芯片钎缝组织及性能的影响

论文摘要

GaAs芯片的使用性能受其散热效果决定,而散热主要依靠散热垫块与芯片连接的钎缝来决定。为增加钎缝的散热效果和基体结合强度,文中分别在芯片层利用物理气相沉积方法沉积Pd和Au膜,而在Cu/Mo/Cu散热垫块上沉积Ni和Au膜,采用AuSn20共晶钎料,研究保温时间对钎焊缝组织和界面结合性能影响。研究结果表明:共晶结构主要由15~20μm厚的合金层和0.5~3μm厚的IMC层构成。随着保温时间延长,合金中Sn元素会逐渐被IMC层消耗,合金成分往富Au的(L+ζ′)相区迁移,相比例增加,保温时间超过60 s后, IMC层厚度超过3.9μm,剪切力快速减小至89.67 N。

论文目录

  • 1 试验材料与方法
  • 2 试验结果及分析
  •   2.1 钎焊界面显微组织表征
  •   2.2 保温时间对钎焊缝显微组织的影响
  •   2.3 IMC层厚度对钎缝界面强度影响
  • 3 结论
  • 文章来源

    类型: 期刊论文

    作者: 任卫朋,罗燕,刘凯,陈靖,王立春

    关键词: 芯片,钎料,过渡层,界面反应,组织演变

    来源: 焊接技术 2019年06期

    年度: 2019

    分类: 工程科技Ⅰ辑

    专业: 金属学及金属工艺

    单位: 上海航天电子技术研究所

    分类号: TG441.7

    DOI: 10.13846/j.cnki.cn12-1070/tg.2019.06.005

    页码: 15-17+5

    总页数: 4

    文件大小: 339K

    下载量: 23

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