导读:本文包含了负阻效应论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:效应,变换器,晶体管,运算放大器,阳极,微分,电路。
负阻效应论文文献综述
周骏[1]（2017）在《SOI SA-LIGBT中负阻效应的机理和新结构研究》一文中研究指出常规SOI基阳极短路横向绝缘栅双极晶体管(SA-LIGBT)提高了LIGBT的关断速度,但常规SOI SA-LIGBT存在负阻效应。而负阻效应增大了SA-LIGBT的功耗,降低了器件的跨导和线性性。为了抑制负阻效应,本论文在深入分析SA-LIGBT负阻效应产生的基础上,提出了两种新型LIGBT,具体研究结果如下:(1)提出具有阳极P型埋层(P-Buired-Layer Anode side)横向绝缘栅双极晶体管(PBLA-LIGBT)。较常规SA-LIGBT结构,PBLA-LIGBT在其阳极新添加一个P型电荷区。新结构通过新加入的P型电荷区增长了电子电流的路径,进而通过减小阳极N区电子通道的宽度,提高了阳极P区下方路径的电阻值Rp,抑制了SA-LIGBT的负阻效应。论文还对新结构的输出特性、击穿特性、关断特性进行了分析,仿真结果表明:新结构PBLA-LIGBT在抑制负阻效应和提高关断速度的情况下,耐压达到226V,且新结构具有制造工艺简单,流片成本低的优点。(2)提出具有阳极弱反型层(Anode Weak Inversion Layer)横向绝缘栅双极晶体管(AWIL-LIGBT)。新结构在常规SA-LIGBT的阳极区引入一个反型区。新结构的技术特点在于,基于弱反型所形成的高电阻,使阳极P+/N-buffer结在小的多子电流下实现导通,阳极P+区中的空穴可以更早的注入漂移区,从而消除负阻效应。通过与常规SA-LIGBT对比研究,仿真结果表明:新结构在关断速度不变的同时击穿电压提升了111V(约56%)的情况下,消除了常规阳极短路LIGBT在导通过程中出现的负阻效应。(本文来源于《南京邮电大学》期刊2017-10-26）
周骏,成建兵,袁晴雯,陈珊珊,吴宇芳[2]（2017）在《基于阳极弱反型层消除负阻效应的新型SOI LIGBT》一文中研究指出在SOI衬底上,制作了一种基于阳极弱反型层消除负阻效应的新型横向绝缘栅双极晶体管(SOI AWIL-LIGBT)。利用反型所形成的高阻值电阻来使PN结阳极快速导通,阳极P+区中的空穴可以更快地注入漂移区,从而消除负阻效应。仿真结果表明,该新型LTGBT在保证关断速度不变的情况下,击穿电压为307V(漂移区长度为18μm)比,比常规SA-LIGBT提升了56%,并消除了负阻效应。(本文来源于《微电子学》期刊2017年05期）
刘雪松[3]（2015）在《SOI LIGBT负阻效应研究》一文中研究指出横向绝缘栅双极晶体管(Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor,LIGBT)是一种将功率MOS场效应晶体管和双极晶体管两者优点结合而成的功率器件,同时具备高输入阻抗和低导通压降的特点,因此LIGBT器件被广泛地应用在各种电力电子系统之中。绝缘层上硅(Silicon On Insulator,SOI)材料具有寄生电容小和集成度高的优点,本文分析的对象正是SOI LIGBT器件。SOI LIGBT双极器件的特点在器件工作在通态时通过电导调制作用降低导通电阻,但是在关态时,漂移区中存在的大量过剩载流子造成双极功率器件特有的拖尾电流现象,降低了器件的关断速度,增大了关断损耗。研究人员通常采用阳极短路LIGBT结构来提高器件的关断速度,但是导通时这种结构在从LDMOS模式向LIGBT模式转变的过程中会产生负阻效应。基于对负阻效应机理的分析,本文提出了两种SOI LIGBT新结构,在提高器件的关断速度同时又抑制导通时的负阻效应。第一种结构是将阳极短路SOI LIGBT的N+区抬高,改变导通时电子流通的路径,降低阳极P+/n-buffer结开启所需要的阳极电压,从而使得器件较早的进入LIGBT模式,从而到达抑制负阻效应的目的,同时阳极N+区依然起到关断时抽取电子,减少关断时间的目的。第二种结构是介质隔离和结隔离相结合的SOI LIGBT结构,即在阳极P+区和N+区之间加入绝缘槽,在阳极N+下方加入不完全包围N+的p-buffer区。这种结构首先在导通时改变电子的流通路径,p-buffer区能够阻碍电子从漂移区进入阳极N+区,从而抑制负阻效应;其次在关断时,阳极N+、p-buffer和N-drift组成的叁极管开启,能够从漂移区中加速抽取电子,获得较高的关断速度。(本文来源于《南京邮电大学》期刊2015-03-01）
江茂,刘琼发[4]（2009）在《T型桥式滤波电路的负阻效应分析》一文中研究指出引入"电路负电阻"的概念,尝试解释T型桥式滤波电路的极限Q值可以为无限大的成因,指出"电路负电阻"与电路折合电阻(包括器件折合电阻和导线折合电阻)的相互抵消作用是形成电路Q值为无限大的本质.(本文来源于《华南师范大学学报(自然科学版)》期刊2009年03期）
谢姝,曹娜,郑国祥,龚大卫[5]（2008）在《包含负阻效应的高压LDMOS子电路模型》一文中研究指出高压MOS器件具有复杂和特殊的结构,存在自热效应与沟道长度调制效应.这些效应使饱和区电流会随电压的增加而减小,即存在负阻效应.为有效表征这一特性,使用标准器件建立子电路模型,通过合适的器件选择和参数设置来模拟负阻效应.同时,根据不同沟道区域的饱和原理,采用不同的模型与参数进行模拟,使子电路适用于不同栅压和漏压.子电路具有精确的模拟性能,在电路模拟中,可以作为一个黑匣子直接调用,克服传统BSIM3模型模拟上的不足.(本文来源于《复旦学报(自然科学版)》期刊2008年01期）
曹文,刘春梅,尚丽平,陈海燕[6]（2007）在《基于负阻效应的高灵敏度电容传感器电路研究》一文中研究指出电容传感器灵敏度较低,特别是在传感器本体的初始电容量较大、而测量过程中的增量电容量又较小时,系统的相对灵敏度常常会低至无法准确得出被测参数的变化情况.结合负阻效应逆转正电容的原理,对传感器的初始电容进行负向补偿以降低初始电容量,就能够以很低的电路成本实现系统分辨率与灵敏度的提高.(本文来源于《传感技术学报》期刊2007年07期）
郭颖,王玉[7]（2006）在《负阻效应的存在性研究及NIC在振荡实验中的设计》一文中研究指出对负阻效应在实际几种元器件中的存在及特性进行了研究和证明,重点研究了利用运算放大器构成的负阻抗变换器的变换阻抗性质。并运用负阻抗变换器的负阻作用对现有的LC阻尼振荡实验进行了改进并给出了具体的电路,使实验结果更加多样化。(本文来源于《绵阳师范学院学报》期刊2006年02期）
郭颖[8]（2006）在《负阻效应的原理与应用》一文中研究指出在对负阻元器件特性进行研究和分析的基础上引出负阻效应的概念,对负阻效应产生方式和原理进行了论述。NIC(Negative Impedance Converter)是一种广泛运用于设计的负阻抗器件,提出了两种构成NIC的方式,给出了利用NIC来实现阻抗变换的设计原理和方法。运用由运算放大器构成的NIC对现有的LC阻尼振荡实验进行了改进,并给出了具体的电路,使实验结果更接近理论分析结果,还可使观察到的实验现象更加多样化。对负阻效应在几种实际电子线路中的应用进行了研究和总结。(本文来源于《西南科技大学学报(自然科学版)》期刊2006年01期）
郭宝增,Umberto,Ravaioli[9]（2003）在《深亚微米纤锌矿相AlGaN/GaN MODFET输出特性的微分负阻效应》一文中研究指出用全带组合Monte Carlo方法模拟了Al_(0.15)Ga_(0.85)N/GaN MODFET的直流特性。模拟器件的栅极长度L_g为0.2μm,沟道长度L_(DS)为0.4μm。在模拟得到的I_(DS)-V_(DS)输出特性曲线中,发现了微分负阻效应,即V_(GS)为固定值时,当V_(DS)逐渐增加,并达到某一阈值时,I_(DS)会随着V_(DS)的增大而减小。对GaN体材料的速度-电场特性和对器件的二维电子气沟道内的电场和速度分布的分析表明,沟道内电子平均漂移速度的负阻效应导致了输出特性的微分负阻效应,二维电子气沟道内的瞬态输运对微分负阻特性也有一定影响。这种效应只有在超短沟道MODFET中才能发生。(本文来源于《中国科学E辑:技术科学》期刊2003年06期）
修显武[10]（2003）在《扩镓基区晶体管负阻效应的研究》一文中研究指出晶体管可以说它是微电子中非常重要的器件，它最主要的功能是电流放大和开关作用。晶体管的种类很多，其中高反压晶体管在国民生产中发挥着重要的作用。随着掺杂工艺的不断发展，高反压晶体管基区的形成经历了扩硼工艺、硼铝涂层扩散工艺、闭管扩镓工艺到开管扩镓工艺的发展。 在平面工艺初期，由于B在硅中的固溶度、扩散系数与N型发射区的磷相匹配，SiO_2对其又有良好的掩蔽作用，早被选为NPN硅平面器件的理想基区扩散源，但B在硅中的固溶度大(1000℃时达到5×10~(20)，扩散系数小，B在硅中的杂质分布不易形成pn结中杂质的线性缓变分布，导致器件不能满足高反压的要求，随之又出现了硼铝涂层扩散工艺和闭管扩镓工艺，前者会引起较大的基区偏差，杂质在硅内存在突变区域，导致放大系数β分散严重，下降时间t_f值较高，热稳定性差；后者需要难度较大的真空封管技术，工艺重复性差，报废率高，在扩散质量、生产效率诸方面均不能令人满意。近年来，巧妙地利用Ga具有强穿透SiO_2的能力，在Si中具有扩散应力小、扩散系数大、固溶度较大等特点，实现了开管SiO_2／Si系下的扩散。此工艺发明以来，克服了上述两者的弊端，杂质浓度和结深能准确控制而又能任意调整，可进行低、高浓度阶段性掺杂，得到元素Ga在Si中的理想分布，而且表面浓度均匀一致、重复性好、合格率和优品率高，改善和提高了器件的综合性能。总之，Ca具有其它P型杂质所不可比拟的优越性。 尽管如此开管扩镓的突出缺点是在特性曲线中的负阻效应较为明显，负阻现象的存在是我们不希望的。尽管前人对负阻现象作了不少研究，但负阻存在的机理、减小负阻的有效措施等问题却鲜见报道。因此搞清镓基区高反压晶体管负阻 of存在的机理，具有重大的理论价值，潜在着广阔的应用前景。 本文首先概括介绍了h表面及h。｛ 内界面的结构与特性，Ga在h。七复合结构中的扩散特性，Ga的分凝规律，叙述了硅中Ga掺杂的研究现状。通过对Ga掺杂在分立器件领域中应用的分析，展望了硅中Ga掺杂的广泛应用前景。重点介绍了目前开管Ga扩散工艺的发展现状和开管扩镰晶体管负阻效应的研究现状。 第二章是实验部分。首先介绍了制备各种样品所用的实验仪器、设备与方法；第二节中介绍了实验系统，包括氧化系统、扩散系统，第叁节介绍了样品的制备，包括Ga的预沉积、再分布、二次氧化样品，扩硼样品，以及扩嫁晶体管、扩硼晶体管和扩镰后再补充扩硼晶体管的制备流程；实验所得样品，借助二次离子质谱 （SIMS）、扩展电阻（SRP）、四探针薄层电阻等先进的测试分析方法进行分析。 第叁章主要研究内容包括：本章首先通过对扩硼晶体管、扩镰晶体管和扩豫后再补充扩硼晶体管有关参数的测试，提出了负阻效应，通过对叁种管于的比较分析发现，负阻与小电流下电流放大系数的关系；第二节分析了影响小电流放大的主要因素，这些因素与杂质浓度分布特别是在近硅表面的分布有密切关系；第叁节分析了Ga在SISO。结构中近硅表面微区域浓度的变化规律，Ga扩散过程的叁个阶段包括预沉积、再分布和二次氧化，对应于Ga在a．SIO。结构近硅表面杂质出现叁次丢失，导致从近硅表面到硅体内微区域出现杂质耗尽，这种低杂质分布是造成小电流放大性能的劣化的主导因素：第四节讨论了这种杂质分布对负阻的影响，并结合晶体管的二维结构，用工艺软件SUPREM－ill模拟了不同部位的杂质分布，进一步验证了负阻效应与Ga杂质分布的关系，明确了负阻存在的机理，最后提出了减小负阻的措施。(本文来源于《山东师范大学》期刊2003-04-30）
负阻效应论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
在SOI衬底上,制作了一种基于阳极弱反型层消除负阻效应的新型横向绝缘栅双极晶体管(SOI AWIL-LIGBT)。利用反型所形成的高阻值电阻来使PN结阳极快速导通,阳极P+区中的空穴可以更快地注入漂移区,从而消除负阻效应。仿真结果表明,该新型LTGBT在保证关断速度不变的情况下,击穿电压为307V(漂移区长度为18μm)比,比常规SA-LIGBT提升了56%,并消除了负阻效应。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
负阻效应论文参考文献
[1].周骏.SOISA-LIGBT中负阻效应的机理和新结构研究[D].南京邮电大学.2017
[2].周骏,成建兵,袁晴雯,陈珊珊,吴宇芳.基于阳极弱反型层消除负阻效应的新型SOILIGBT[J].微电子学.2017
[3].刘雪松.SOILIGBT负阻效应研究[D].南京邮电大学.2015
[4].江茂,刘琼发.T型桥式滤波电路的负阻效应分析[J].华南师范大学学报(自然科学版).2009
[5].谢姝,曹娜,郑国祥,龚大卫.包含负阻效应的高压LDMOS子电路模型[J].复旦学报(自然科学版).2008
[6].曹文,刘春梅,尚丽平,陈海燕.基于负阻效应的高灵敏度电容传感器电路研究[J].传感技术学报.2007
[7].郭颖,王玉.负阻效应的存在性研究及NIC在振荡实验中的设计[J].绵阳师范学院学报.2006
[8].郭颖.负阻效应的原理与应用[J].西南科技大学学报(自然科学版).2006
[9].郭宝增,Umberto,Ravaioli.深亚微米纤锌矿相AlGaN/GaNMODFET输出特性的微分负阻效应[J].中国科学E辑:技术科学.2003
[10].修显武.扩镓基区晶体管负阻效应的研究[D].山东师范大学.2003
论文知识图
