多孔结构盐酸/g-C3N4光电阴极的制备和表征

多孔结构盐酸/g-C3N4光电阴极的制备和表征

论文摘要

论文采用一种新的热蒸发方法,在FTO基底上制备了经过盐酸处理的石墨相氮化碳(g-C3N4)薄膜,并对其进行物理性能和光电化学性能的表征,最后将其与纯g-C3N4薄膜进行对比。研究结果表明盐酸处理的g-C3N4可构建一种可控多孔结构,并且适量的盐酸添加会改进膜的形貌,增加其表面态;同时有助于加快电荷转移速率,并减轻电极/电解质界面的电荷复合,从而提高聚合物光电阴极的光电化学活性,证明多孔结构的g-C3N4薄膜是一种有前途的光电阴极材料。

论文目录

  • 一、实验
  •   (一) 盐酸处理g-C3N4薄膜的制备
  •   (二) 检测方法
  • 二、结果与讨论
  • 三、结语
  • 文章来源

    类型: 期刊论文

    作者: 刘一,阮秋实,马桃林

    关键词: 盐酸,半导体材料,多孔结构,光电阴极

    来源: 北京印刷学院学报 2019年04期

    年度: 2019

    分类: 工程科技Ⅰ辑

    专业: 无机化工,有机化工

    单位: 武汉大学,伦敦大学学院

    分类号: TQ426;TQ116.2

    DOI: 10.19461/j.cnki.1004-8626.2019.04.028

    页码: 105-110

    总页数: 6

    文件大小: 2572K

    下载量: 115

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