位错吸收论文_曾贵平,殷绍唐

导读:本文包含了位错吸收论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:晶体,论文。

位错吸收论文文献综述

曾贵平,殷绍唐^[1]（2000）在《钛宝石晶体中的位错和红外残余吸收的关系》一文中研究指出钛宝石晶体在其调谐波段 (约 6 6 0nm～ 1 1 80nm)存在弱的红外残余吸收。目前多数人认为残余吸收是受到最近邻的Ti4+离子和铝空穴微扰的Ti3 +离子的 3d电子的能级跃迁产生的 ;但最新的实验支持另一种观点 :即残余吸收很可能是晶体内纯粹的非辐射缺陷吸收 ,不象是Ti3 +离子的 3d电子的能级跃迁产生的。晶体中的位错跟点缺陷关系密切 ,研究位错跟红外残余吸收的关系 ,可以加深残余吸收是否跟点缺陷有关的认识。我们用化学腐蚀剂显露出钛宝石样品的 ( 0 0 0 1 )面上的位错腐蚀坑 ,测量了其密度分布 ,并在位错密度不同的样品部位测量了吸收光谱 ,发现位错密度大的部位残余吸收大 ,位错密度小的部位残余吸收小 ,位错密度相差越大时现象越明显。我们只退火了两个样品 ,但这两个样品退火前后的位错密度变化不大 ,没有量级上的变化 ,而残余吸收却有显着的下降。按缺陷吸收的观点 ,这说明位错线本身不是主要的红外残余吸收中心。而按残余吸收是受微扰的Ti3 +离子的 3d电子能级跃迁的观点 ,只有位错线的畸变区内的Ti3 +离子才可能对残余吸收有贡献 ,但利用在样品中观测到的最大位错密度 1 .5× 1 0 4/mm2 ,以及晶体中主要的位错b =<1 1 2O >,估算出位于位错线的畸变区内的钛离子占晶体内的钛离子的份额太小 ,约 6(本文来源于《人工晶体学报》期刊2000年S1期）