衬底温度对CuCrO2薄膜结构及光电性能的影响

衬底温度对CuCrO2薄膜结构及光电性能的影响

论文摘要

采用射频磁控溅射方法,在石英衬底上制备CuCrO2薄膜。通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、紫外吸收光谱以及电导率的测定,表征不同衬底温度沉积薄膜样品的结构与光电性能。结果表明:薄膜的结晶度、可见光透过率与室温电导率均随衬底温度的升高而增大。衬底温度升高至923 K后,薄膜由非晶转变为具有铜铁矿结构的单相CuCrO2。1023 K沉积的薄膜光电性能最佳,其平均可见光透过率为50%,室温电导率为0.33 S/cm。在近室温区(150~300 K),1023 K沉积薄膜导电规律符合半导体热激活模式,激活能为0.04 eV。

论文目录

  • 1 实验
  • 2 结果与分析
  •   2.1 薄膜结构分析
  •   2.2 薄膜光学性能
  •   2.3 薄膜电学性能
  • 3 结论
  • 文章来源

    类型: 期刊论文

    作者: 赵学平,张铭,白朴存,侯小虎,刘飞,严辉

    关键词: 薄膜,衬底温度,结构,光电性能

    来源: 中国有色金属学报 2019年02期

    年度: 2019

    分类: 工程科技Ⅰ辑,工程科技Ⅱ辑,信息科技

    专业: 材料科学,工业通用技术及设备,无线电电子学

    单位: 内蒙古工业大学材料科学与工程学院,北京工业大学材料科学与工程学院

    基金: 国家自然科学基金资助项目(11762014),内蒙古工业大学校基金资助项目(ZD201710)~~

    分类号: TB383.2;TN304

    DOI: 10.19476/j.ysxb.1004.0609.2019.02.05

    页码: 255-261

    总页数: 7

    文件大小: 584K

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