论文摘要
设计了一种在室温工作的太赫兹热探测器.探测器由片上天线和温度传感器耦合而成.天线由NMOS温度传感器的栅极组成,吸收入射的太赫兹波将其转化为焦耳热,生成的热量引起的温度变化由温度传感器探测.整个探测器的探测过程分为电磁辐射吸收、波-热转换、热-电转换三个过程,并分别进行了建模分析,仿真得到天线吸收率为0.897,热转换效率为165K/W,热电转换效率为1.77mV/K.探测器基于CMOS 0.18μm工艺设计,工艺处理后将硅衬底打薄至300μm.探测器在3THz太赫兹环境下,入射功率为1mW时,电压响应率仿真值为262mV/W,测试值为148.83mV/W.
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 李子蒙,杨娇,陈霏
关键词: 太赫兹热探测器,栅极天线,温度传感器,建模,测试,响应率
来源: 光子学报 2019年02期
年度: 2019
分类: 基础科学
专业: 物理学
单位: 天津大学微电子学院
基金: 国家自然科学基金(No.61501323),国家重点研究开发项目(No.2016YFA0202201)~~
分类号: O441;O572.212
页码: 98-105
总页数: 8
文件大小: 1322K
下载量: 98
相关论文文献
- [1].Hot carrier effects of SOI NMOS[J]. 半导体学报 2010(07)
- [2].深入探讨NMOS管H桥的设计与制作[J]. 电子制作 2014(20)
- [3].A fully on-chip fast-transient NMOS low dropout voltage regulator with quasi floating gate pass element[J]. Journal of Semiconductors 2017(04)
- [4].应力记忆工艺优化对NMOS器件性能的改善[J]. 微电子学 2019(02)
- [5].NMOS大气中子辐射效应仿真研究[J]. 计算机与数字工程 2019(02)
- [6].Gate-enclosed NMOS transistors[J]. 半导体学报 2011(08)
- [7].PDSOI NMOS/CMOS闩锁特性[J]. 功能材料与器件学报 2009(05)
- [8].一种NMOS高侧驱动电路[J]. 长春工业大学学报 2019(06)
- [9].高电源抑制无输出电容NMOS低压差线性稳压器设计[J]. 电子器件 2019(02)
- [10].Total dose radiation effects on SOI NMOS transistors with different layouts[J]. 中国物理C 2008(08)
- [11].Total ionizing dose radiation effects on NMOS parasitic transistors in advanced bulk CMOS technology devices[J]. Journal of Semiconductors 2016(12)
- [12].Investigation on the layout strategy of gg NMOS ESD protection devices for uniform conduction behavior and optimal width scaling[J]. Science China(Information Sciences) 2015(04)
- [13].一款最简单的NMOS管H桥的制作[J]. 电子制作 2014(14)
- [14].Design and analysis of a NMOS triggered LIGBT structure for electrostatic discharge protection[J]. Journal of Semiconductors 2019(05)
- [15].Effect of charge sharing on the single event transient response of CMOS logic gates[J]. 半导体学报 2011(09)
- [16].65 nm体硅工艺NMOS中单粒子多瞬态效应的研究[J]. 电子科技 2018(01)
- [17].Modulation of the effective work function of a TiN metal gate for NMOS requisition with Al incorporation[J]. Journal of Semiconductors 2013(07)
- [18].不同栅压下NMOS器件的静电防护性能[J]. 浙江大学学报(工学版) 2010(01)
- [19].终端含NMOS反相器传输线系统中的时空复杂行为分析[J]. 物理学报 2012(17)
- [20].电阻负载型NMOS反相器输出低电平优化[J]. 微处理机 2019(02)
- [21].NMOS晶体管的总剂量辐射效应仿真[J]. 固体电子学研究与进展 2015(02)
- [22].应变Si NMOS积累区电容特性研究[J]. 物理学报 2013(05)
- [23].ESD protection design for the gate oxide of an RF-LDMOS[J]. 半导体学报 2012(04)
- [24].浮栅器件和普通NMOS器件总剂量效应对比研究[J]. 航天器环境工程 2018(05)
- [25].A total dose radiation model for deep submicron PDSOI NMOS[J]. 半导体学报 2011(01)
- [26].栅氧化方式对NMOS器件总剂量电离效应的影响[J]. 电子与封装 2017(11)
- [27].高响应度的NMOS型栅体互连光电探测器[J]. 天津大学学报(自然科学与工程技术版) 2019(08)
- [28].Influence of channel length and layout on TID for 0.18 μm NMOS transistors[J]. Nuclear Science and Techniques 2013(06)
- [29].Gate Grounde NMOS器件的ESD性能分析[J]. 电子与封装 2011(02)
- [30].一种基于增强型NMOS反相器的低错误率只读PUF[J]. 电子器件 2018(04)