导读:本文包含了薄膜工艺论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:TiCN薄膜,SrTiO3,磁控溅射,疏水疏油
薄膜工艺论文文献综述
陈晓梅,王会强,翟一潼,张淼,邢艳秋[1]（2019）在《SrTiO_3衬底表面外延生长TiCN薄膜工艺参数优化及疏水疏油性能》一文中研究指出采用中频反应磁控溅射技术在Sr Ti O3衬底上外延生长Ti CN薄膜,通过正交试验方案、单因素试验方案以及性能测试来探究磁控溅射工艺参数对薄膜结构和性能的影响,并且优化了工艺参数。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜及EDS能谱分析仪对Ti CN薄膜的物相结构、微观形貌以及成分进行分析。结果表明:为了获得疏水性能与疏油性能较好的薄膜,溅射过程中最优工艺参数应选择溅射功率5 k W,溅射偏压150 V,溅射时间10 min,N2流量10 sccm,CH4流量20 sccm,占空比80%,其中,CH4流量的影响最为显着。当CH4流量为20 sccm时,Ti CN薄膜的衍射峰最强;致密的Ti CN薄膜表面呈现球状结构,这种结构能够增加Ti CN薄膜表面的粗糙度,进一步降低水滴润湿的自由能,从而提高薄膜的疏水性能;薄膜中C元素与N元素的含量最高,且此时C/N原子比约为1∶1。(本文来源于《金属热处理》期刊2019年11期）
付学成,权雪玲,乌李瑛,瞿敏妮,王英[2]（2019）在《ICP-CVD设备低温制备低应力氮化硅薄膜工艺的探索》一文中研究指出制备低应力的氮化硅薄膜是微机械系统和集成电路中非常重要的工艺。在温度不高于80℃的条件下,采用ICP-CVD设备,利用硅烷和氮气作为前驱体沉积氮化硅介质薄膜。研究了沉积温度、ICP功率、硅烷与氮气流量比例、工作气压等因素对氮化硅薄膜应力的影响,并利用相关的理论合理解释了应力随不同工艺参数变化的原因。根据研究结果,我们优化了氮化硅薄膜沉积的工艺参数,在70℃低温条件下,制备出厚度160 nm,应力0.03 MPa的低应力氮化硅介质薄膜。(本文来源于《真空科学与技术学报》期刊2019年10期）
刘晶如,黄文艳[3]（2019）在《塑料吹塑薄膜工艺实验中的注意点及应对措施》一文中研究指出塑料吹塑薄膜成型工艺实验是高分子加工专业的学生必做的专业实验之一,该实验的开设有助于加强高分子成型加工专业课程的教学,提高学生成型加工基本实验技能,培养综合应用能力.在实验过程中,合理设计塑料吹塑薄膜成型工艺和严格控制操作条件是保证薄膜质量的关键,吹膜设置各项参数的改变将直接影响成品膜的各项性能.通过对挤出吹塑薄膜成型工艺实验中的注意点、常见的各种问题及应对措施进行概括并总结,以提高该实验课程的教学效率.(本文来源于《高师理科学刊》期刊2019年09期）
王战清,郝建民[4]（2019）在《大气压低温等离子体喷涂ZrO_2薄膜工艺研究》一文中研究指出以氮气作为等离子体放电气体,八水合氯氧化锆水溶液作为锆源,金属盐溶液经过氮气雾化后加到等离子体射流下游区域,在硅衬底上进行薄膜喷涂。采用X射线光电子能谱仪对薄膜样品进行成分检测,通过扫描电镜观察薄膜的微观形貌,利用EDS能谱仪对薄膜样品进行元素分析,并对喷涂薄膜的机理过程进行了探讨。结果表明,所制备的薄膜的主要成分为氧化锆,薄膜表面由小颗粒堆积而成,微粒分布比较均匀,颗粒大小在10～20 nm左右。在等离子体喷涂过程中,氮气发生电离后产生了大量的反应活性物质,如N、N_2~*、和N~+等,这些活性物质促使了反应的进行。通过大气压低温等离子体喷涂技术成功的制备出了ZrO_2纳米薄膜。(本文来源于《热加工工艺》期刊2019年08期）
左珺凉,赵跃,吴蔚,储静远,张智巍[5]（2018）在《无氟MOD法制备YBCO超导薄膜工艺中物相的演变过程》一文中研究指出第二代高温超导带材在电力系统和磁体领域拥有良好的应用前景,无氟金属有机盐沉积技术(FF-MOD)以其设备成本低、晶体生长速率快、环境友好等特点,成为研究热点。本研究通过FF-MOD技术,在铝酸镧单晶和CeO_2/IBAD-MgO/Y_2O_3/Al_2O_3/HastelloyC276人工基板上制备得到钇钡铜氧(YBCO)薄膜,并对不同制备温度下的样品进行淬火,随后对淬火样品进行了X射线衍射、扫描电子显微镜和衰减全反射红外光谱的表征,系统地研究了高温成相过程中BaCO_3和YBCO的相演变过程。实验结果表明,在YBCO成相过程中,BaCO_3不会与Y、Cu元素的氧化物反应直接生成YBCO晶体,并生成的YBCO相晶体先呈随机取向,然后在热处理的过程中(800℃左右)逐渐转化为具有双轴织构的YBCO晶体。(本文来源于《无机材料学报》期刊2018年07期）
武卫超[6]（2018）在《STO表面外延生长TiCN薄膜工艺的研究》一文中研究指出磁控溅射技术应用在铝合金、不锈钢等材料表面制备的薄膜存在膜基结合力差、疏水与疏油性差等问题。为提高薄膜的膜基结合力,研究能够使得薄膜能够外延生长的工艺,改变薄膜与衬底间结合方式由机械嵌合为化学键结合,从而提高薄膜膜基结合力,减少薄膜的老化及剥落现象。同时研究制备具有疏水性与疏油性的自清洁薄膜的工艺,具有广泛的研究意义与应用价值。本文采用中频反应磁控溅射技术在STO(SrTiO_3)衬底上外延生长TiCN薄膜,针对制备的TiCN薄膜进行研究,以磁控溅射工艺参数和退火工艺参数为研究内容,采用正交试验和单因素试验的方法,并利用X射线衍射仪、场发射扫描电镜、能谱仪和叁维超景深显微镜等检测手段对TiCN薄膜的微观形貌、生长情况、微区成分、叁维形貌等物相结构进行表征,探究薄膜外延生长的情况。并通过性能测试,优选最终的工艺参数。通过正交试验与组合试验优选了薄膜疏水与疏油效果最好的工艺参数组合,各工艺参数中影响薄膜疏水性最大的因素为甲烷流量,极差值为10.058。试验成功在STO表面制备出TiCN纳米薄膜,对不同甲烷流量下的薄膜结构进行探究,TiCN薄膜沿(111)方向择优生长趋势随着甲烷流量的增加而增加,薄膜沿衬底方向外延生长趋势增加,薄膜均匀致密,晶粒尺寸在30~50 nm,薄膜与衬底原子间互扩散现象增加,膜层厚度在133.81~135.79 nm。对获得的磁控溅射工艺参数进行验证试验,薄膜的疏水角稳定在100°。为进一步提高薄膜的疏水性与疏油性,探究了主轰击电压对薄膜性能的影响。适当增大主轰击电压能够增加薄膜表面粗糙度从而提高薄膜的疏水性与疏油性。在优选的磁控溅射工艺下,分别对主轰击电压450 V、500 V、550 V、600 V下薄膜的疏水性与疏油性进行单因素试验分析,均在主轰击电压为550V表现出最大的接触角,分别为107.6°和78.1°在工艺探索的基础上,对TiCN薄膜进行250℃、300℃、350℃下保温60min的单因素退火试验。TiCN薄膜的膜基结合力随温度升高而增大,350℃退火时有最大值为31.2 N。退火处理能够消除薄膜中的柱状晶,提高薄膜质量,退火温度升高,薄膜的疏水性与疏油性逐渐增强,水接触角与油接触角均在350℃退火时呈现最大值,分别为119.3°、90.2°。将研究的TiCN薄膜工艺应用在铝合金、不锈钢以及硅钢材料上,薄膜表现出较好的疏水性,疏油性有较大提高。(本文来源于《河北农业大学》期刊2018-06-03）
李勇男[7]（2018）在《溶液法制备IGZO及IZO薄膜工艺的研究》一文中研究指出近几年来,由于高分辨率平板显示器,传感器以及大面积柔性电子器件的盛行,使得透明氧化物薄膜晶体管(TFT)越来越成为研究热点。其中具有明显优势的为非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管(a-IGZO TFT)。a-IGZO材料作为TFT有源层结构,与传统多晶硅材料相比,具有较高的迁移率(一般大于10 cm~2V~(-1)s~(-1))、良好的均一性、高透光率以及适应于低温制备等优点。溶液法是实现廉价和低温制备大面积a-IGZO薄膜的重要方法之一。溶液法制备a-IGZO薄膜与磁控溅射等真空工艺制备方法相比具有低温,大面积制备等优点。本文所研究的IGZO及IZO薄膜即为溶液法制备所得。本文主要研究了相同退火温度下,不同退火气氛及压强处理对溶液法制备IGZO薄膜表面形貌结构与光学特性的影响及不同退火温度对IZO薄膜和IGZO/IZO薄膜光学特性的影响。论文的主要内容归纳如下。(1)简要介绍了IGZO及IZO薄膜的结构与导电机制;分析了不同薄膜制备工艺中,溶液法制备薄膜的优点;概述了表征薄膜特性的基本模型如:柯西(Cauchy)模型、Bruggeman有效近似模型(B-EMA模型)及Forouhi-Bloomer模型(F&B模型)。通过椭圆偏振光谱仪(SC630)与原子力显微镜(AFM)对IGZO及IZO薄膜的光学特性及表面形貌进行分析。(2)研究了不同退火气氛及压强对IGZO薄膜光学特性的影响。实验结果表明,与1.5 MPa-N_2气氛相比,在1.5 MPa-O_2气氛下制备IGZO薄膜的光学特性较优越。通过AFM观察样品薄膜表面形貌呈现出同样的趋势。压强由0.1 MPa-O_2增加到1.5 MPa-O_2时,IGZO薄膜表面粗糙层厚度减小,且由F&B模型分析拟合得到薄膜的光学带隙由3.23 eV增加到3.31 eV。进一步说明,1.5 MPa-O_2气氛下能够制备较优越的IGZO薄膜。(3)通过改变退火温度,研究了溶液法制备IZO薄膜的光学特性并且与同等条件下制备的IGZO薄膜进行对比。结果表明,当随着退火温度由220℃增加至300℃,IZO薄膜的折射率和光学带隙都有所增加,消光系数蓝移,说明增加退火温度能够提高IZO薄膜的光学特性。但同等退火条件下制备的IGZO薄膜光学特性优于IZO薄膜。(4)分析了不同衬底结构对IGZO与IZO薄膜光学特性的影响。实验结果表明,IGZO/IZO薄膜具有较为优越的光学特性,且随着退火温度由220℃增加至300℃,IGZO/IZO薄膜更加致密。(本文来源于《江南大学》期刊2018-06-01）
刘向辉[8]（2018）在《常压冷等离子体喷涂铜薄膜工艺的研究》一文中研究指出目前制备金属薄膜的主要方法有物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、电镀和化学镀。对于传统的PVD和CVD而言,前驱体常为固态或气态且种类较少;使用的还原气体常为氢气,但氢气易燃易爆;制备金属薄膜时,反应温度高,易损坏基体,限制了基体种类,且薄膜常需退火处理;沉积时需要在真空环境中进行,限制了基体尺寸。对于电镀或化学镀而言,制备金属薄膜过程往往产生大量化学废液,对环境不友好。常压冷等离子体喷涂技术可以解决上述薄膜制备技术的不足,然而该技术在制备金属薄膜方面却鲜有报道。本文以制备铜薄膜作为研究对象,探索了一种常压冷等离子体喷涂技术制备Cu薄膜的方法。利用NH_3作为反应源气体,与N_2按照一定比例混合,使用氩气作为保护气,Cu(NO_3)_2作为铜源,Cu(NO_3)_2溶液雾化后通入到等离子体射流下游,采用等离子体喷枪扫描方式喷涂铜薄膜。系统地研究了不同工艺参数对薄膜试样的宏观形貌、微观形貌、薄膜成分及薄膜电阻率的影响规律,并简要分析了常压冷等离子体喷涂铜薄膜的形成机理。结果表明:(1)喷枪扫描速率从7 cm/s逐步提高到19 cm/s时,沉积的薄膜样品中铜元素的化学状态逐渐从Cu~(2+)过渡为Cu~+最终变化为Cu,薄膜表面的晶粒尺寸逐渐减小,薄膜的电阻率也明显减小。当喷枪扫描速率为16 cm/s、19 cm/s时,薄膜中铜元素为零价,薄膜表面晶粒排列紧密,薄膜的电阻率较小。分析认为,喷枪扫描速率参量在喷涂铜薄膜过程中起主导作用。(2)喷涂功率从300 W逐步提高到600 W时,薄膜中铜的氧化物含量由多减少,再由少增多,喷涂功率为400 W时,薄膜中的铜的氧化物含量最少。300 W时薄膜表面晶粒尺寸均匀性差,薄膜电阻率最大;400 W时,薄膜表面晶粒尺寸最小、均匀且排列紧密,薄膜电阻率最小;喷涂功率为500 W、600 W时,膜层中通的氧化物含量增多,薄膜晶粒尺寸变大,薄膜电阻率也随之增大。(3)反应物硝酸铜浓度由60 g/L逐步增加到140 g/L时,膜层中氧化亚铜的含量逐渐减小,薄膜表面晶粒排列紧密,薄膜比较致密,薄膜电阻率逐渐较小;当硝酸铜浓度从140 g/L逐步增加到220 g/L时,薄膜中氧化亚铜的含量并没有增加,但薄膜表面的晶粒尺寸变大,薄膜致密度降低,薄膜电阻率略微增大。(本文来源于《长安大学》期刊2018-05-01）
贾世旺,梁广华,刘巍巍,邢伯仑[9]（2018）在《薄膜工艺制造误差对电路性能的影响》一文中研究指出薄膜工艺具有加工高精度图形的能力,广泛应用于微波毫米波电路中。在设计薄膜滤波器等无源电路时,为了降低分析、计算难度,常采用理想模型,未考虑工艺制造误差及材料特性等影响,造成了实测值与计算结果有一定偏差。为了提高薄膜电路设计的准确性,对设备、人员相对稳定的薄膜工艺线各主要工序制造误差进行分析,通过大量实测数据,统计出了该工艺线制造误差范围,常规线宽偏差±4.5μm以内,关键线宽可控制在±2.0μm以内,线条厚度误差±20%以内。根据工艺制造能力,构建电路的叁维多参数仿真模型,与理想模型进行对照,给出了薄膜工艺制造误差对滤波器电性能的影响,为今后准确设计滤波器等无源电路提供了有力的指导。应用结果表明,多参数模型与实测结果更为接近。(本文来源于《无线电工程》期刊2018年02期）
叶紫平,陈军能,张晓春,曹军,陈宝歌[10]（2017）在《传统磷化转换薄膜工艺的项目介绍》一文中研究指出为了减少废水中重金属以及磷酸盐的排放,上汽通用汽车有限公司决定试点实施传统磷化转换薄膜工艺项目。通过制定设备改造、系统清洗、废水处理以及工艺调试等方案,成功实施了该项目。项目成功实施后,车身各项质量指标达到了上汽通用的要求。文章着重介绍了相关方案的制订以及转换过程中积累的经验,供行业其他主机厂实施类似项目时参考。(本文来源于《汽车实用技术》期刊2017年23期）
薄膜工艺论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
制备低应力的氮化硅薄膜是微机械系统和集成电路中非常重要的工艺。在温度不高于80℃的条件下,采用ICP-CVD设备,利用硅烷和氮气作为前驱体沉积氮化硅介质薄膜。研究了沉积温度、ICP功率、硅烷与氮气流量比例、工作气压等因素对氮化硅薄膜应力的影响,并利用相关的理论合理解释了应力随不同工艺参数变化的原因。根据研究结果,我们优化了氮化硅薄膜沉积的工艺参数,在70℃低温条件下,制备出厚度160 nm,应力0.03 MPa的低应力氮化硅介质薄膜。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
薄膜工艺论文参考文献
[1].陈晓梅,王会强,翟一潼,张淼,邢艳秋.SrTiO_3衬底表面外延生长TiCN薄膜工艺参数优化及疏水疏油性能[J].金属热处理.2019
[2].付学成,权雪玲,乌李瑛,瞿敏妮,王英.ICP-CVD设备低温制备低应力氮化硅薄膜工艺的探索[J].真空科学与技术学报.2019
[3].刘晶如,黄文艳.塑料吹塑薄膜工艺实验中的注意点及应对措施[J].高师理科学刊.2019
[4].王战清,郝建民.大气压低温等离子体喷涂ZrO_2薄膜工艺研究[J].热加工工艺.2019
[5].左珺凉,赵跃,吴蔚,储静远,张智巍.无氟MOD法制备YBCO超导薄膜工艺中物相的演变过程[J].无机材料学报.2018
[6].武卫超.STO表面外延生长TiCN薄膜工艺的研究[D].河北农业大学.2018
[7].李勇男.溶液法制备IGZO及IZO薄膜工艺的研究[D].江南大学.2018
[8].刘向辉.常压冷等离子体喷涂铜薄膜工艺的研究[D].长安大学.2018
[9].贾世旺,梁广华,刘巍巍,邢伯仑.薄膜工艺制造误差对电路性能的影响[J].无线电工程.2018
[10].叶紫平,陈军能,张晓春,曹军,陈宝歌.传统磷化转换薄膜工艺的项目介绍[J].汽车实用技术.2017