高频光电导法测量硅晶体载流子寿命的深度分析

高频光电导法测量硅晶体载流子寿命的深度分析

论文摘要

高频光电导测量硅单晶寿命的方法在国内半导体材料行业广泛使用,经过长期的实践积累了丰富的经验。本文试图就方法原理、仪器性能要求、测试结果的处理以及如何提高测量的重复性进行了深入分析。

论文目录

  • 0 引言
  • 1 直流光电导衰减法
  • 2 高频光电导衰退法
  •   2.1 方法原理
  •   2.2 光生载流子的复合过程
  •   2.3 非平衡载流子寿命与注入比的关系
  •   2.4 注入比的测量与计算
  •   2.5 测量仪器的光源
  • 3 总结
  • 文章来源

    类型: 期刊论文

    作者: 王昕,田蕾,李俊生,叶灿明,王世进

    关键词: 直流光电导法,高频光电导法,注入比,少数载流子寿命,载流子复合寿命

    来源: 仪器仪表用户 2019年08期

    年度: 2019

    分类: 工程科技Ⅱ辑,信息科技,工程科技Ⅰ辑

    专业: 化学

    单位: 广州市昆德科技有限公司

    分类号: O613.72;O73

    页码: 18-21+44

    总页数: 5

    文件大小: 1547K

    下载量: 54

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