导读:本文包含了掺杂与替代论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:合金,元素,单层,结构,居里,黑磷,温度。
掺杂与替代论文文献综述
张东[1]（2019）在《锑掺杂替代铌对α-BZN陶瓷结构和介电性能的影响》一文中研究指出研究了Sb~(3+)掺杂替代B位的Nb~(5+)对Bi_(1.5)ZnNb_(1.5-x)SbxO_7系介质材料烧结特性、结构和介电性能的影响。研究结果表明,低熔点锑掺杂能略降低烧结温度至960℃,当锑替代量x≤0.2时,衍射峰向低角度方向移动,样品的相结构与基体α-BZN保持一致;在1 MHz下,介电常数随锑掺杂量而逐渐减小,介电损耗随锑掺杂量而略增大;在-195～150℃,介电常数在低温区存在明显的介电弛豫现象,介电弛豫程度先减小后增大,常温区的温度系数随锑掺杂量增加呈逐渐减小。(本文来源于《中国陶瓷》期刊2019年08期）
王丹丹[2]（2017）在《过渡族金属替代掺杂单层SnS磁性的第一性原理研究》一文中研究指出由于具有独特的性质,原子厚度的二维磁性材料受到广泛的关注。二维半导体材料通常是内秉非磁性的,这限制了它们在自旋电子学上的应用,为使其有效地应用于自旋电子器件,有必要在这些非磁性材料中引入可调控的磁性。研究表明,施加应力、引入空位缺陷、替代掺杂和吸附等方法均能够在二维半导体材料中有效地引入磁性。目前,过渡族金属原子替代掺杂的方法已被广泛用于二维半导体的磁性调控。与Phosphorene类似,α相单层Sn S是非磁性半导体,带隙约为1.38 e V,因此α相单层Sn S有望作为稀磁半导体基底材料应用于自旋电子学。目前,没有关于在α相单层Sn S中引入磁性的相关报道。本论文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算的方法,研究了过渡族金属元素替代Sn掺杂对单层Sn S的几何结构、电子结构和磁性的影响。主要研究内容和研究结果如下:1、对于V,Cr,Mn,Fe,Co和Ni替代Sn掺杂的单层Sn S,GGA的计算结果显示:Ni掺杂的单层Sn S不具有磁性,而一个替代掺杂的V,Cr,Mn,Fe和Co原子在单层Sn S中分别产生3μ,4μ,5μ,4μ和3μ的磁矩,磁矩主要由掺杂原子的3d轨道中未配对的电子所提供,掺杂原子周围近邻Sn和S原子的p轨道也有部分贡献。Ni掺杂单层Sn S没有磁性的原因是在费米能附近的能带具有较强的巡游性。进一步的计算表明两个掺杂的Cr原子之间存在长程的铁磁耦合。2、对于V,Cr,Mn,Fe,Co和Ni替代Sn掺杂的单层Sn S,GGA+U的计算结果显示:一个替代掺杂的V,Cr,Mn,Fe,Co和Ni原子在单层Sn S中分别产生了3μ,4μ,5μ,4μ,3μ和2μ的磁矩。与GGA的计算结果相比,掺杂原子d电子的关联效应明显地增加了V,Cr,Mn,Fe,Co替代掺杂单层Sn S自旋极化态的稳定性,特别是对Ni替代掺杂的单层Sn S,Ni原子d电子的关联效应使其基态由自旋非极化态变为自旋极化态。另外,3d电子的关联效应不仅明显地增加掺杂原子的磁矩贡献,而且显着地改变了两个掺杂原子之间的磁耦合。这些结果显示:关联效应对掺杂原子d轨道的影响是不可忽略的。(本文来源于《吉林大学》期刊2017-06-01）
杨琴[3]（2017）在《双模板介导合成硅掺杂仿生骨替代材料及其体内外评价研究》一文中研究指出天然骨具有优异的力学性能,精细的从微观到宏观的多级结构,及一定的自我修复和更新的功能;究其原因在于天然骨形成过程中的生物矿化过程。随着人类对生物矿化本质的探索和认识,发现天然骨是由以胶原蛋白为首的许多有机分子模板协同共组装而成。因此,采用有机分子模板自组装介导合成仿生材料一直是生物材料界的研究热点。通过采用有机分子模板介导合成的仿生骨替代材料不仅仅局限于在成分上对天然骨的模仿,而更加注重的是对天然骨独特结构的模拟。而且与单模板自组装相比,双模板介导合成的仿生骨替代材料具有与天然骨更加相近的多级结构,在生物材料研究领域具有更重要的研究意义。然而,随着技术的进步和生物医学材料研究的快速发展,简单的基于结构和成分上的仿生材料已经无法满足人们对生物材料更高的要求。在制备具有仿生骨结构的材料时,对其进行功能化改性,赋予它更优异的骨修复性能,才能更好的适应现代医学的发展。硅元素(silicon,Si)是人体中一种重要的微量元素,具有调节骨代谢、促进骨修复的作用。研究证明,硅元素的加入可以显着提高材料的骨缺损修复能力。因此本课题提出:采用结构相似、性能互补的胶原蛋白和丝素蛋白作为相互协同作用的复合双模板,介导合成一系列功能化的硅掺杂仿生骨替代材料,随后通过系列的体内外分析实验对材料的物相组成及生物相容性进行研究。本论文主要研究内容如下:(1)以正硅酸乙酯为硅源,采用胶原/丝素蛋白复合双模板介导合成不同硅含量的一系列硅掺杂仿生骨替代材料。通过X射线衍射(XRD)、光电子能谱(XPS)、热重分析(TGA)和透射电子显微镜(TEM)等各种检测技术综合分析证明,所得系列仿生骨替代材料中无机成分约占总重量的70%,与天然骨成分组成基本相似。并且所得系列仿生骨替代材料具有从0到1.2%可控的Si掺杂含量,其中的无机晶体主相是短棒状的羟基磷灰石。随着所得系列仿生骨替代材料中的Si掺杂量的逐渐升高,材料中HA晶体的结晶度逐渐降低。(2)通过与大鼠骨髓间充质干细胞(rMSCs)共培养实验证明,系列仿生骨替代材料均表现出较好的细胞相容性,能良好的支持rMSCs细胞的粘附、生长和增殖,并且保持良好的细胞形态。随着Si含量的增加,材料促细胞增殖和粘附的效果逐渐增强。通过碱性磷酸酶活性检测和染色、RT-PCR、免疫荧光染色和钙结节染色等实验表明,与其它组相比,Si含量0.8wt%的实验组具有更好的促rMSCs向成骨方向分化的能力。(3)人工合成高分子聚合物PLGA,具有优异的相容性、可降解性和可塑性,在生物材料领域应用非常广泛。本研究采用冰模板法制备出具有有序孔结构的高孔隙率多孔支架。经FSEM等手段分析可见,支架孔隙率在80%到90%之间,孔径约为150～200 μm,支架内部孔与孔之间连通性良好;硅掺杂仿生骨替代材料均匀分布在支架中,导致孔壁结构粗糙。通过细胞与支架材料的共培养,发现含有硅掺杂仿生骨替代材料的复合支架组具有更好的支持rMSCs粘附和增殖的效果。(4)采用大鼠皮下植入实验和大鼠颅骨缺损修复实验评价支架在生物体内的相容性和促骨缺损修复能力。通过H&E和Masson等组织学染色分析显示,支架材料在植入大鼠皮下3周后已部分降解,周围的新生组织和细胞能较好的长入支架内部,并且在植入区域没有引起显着的免疫排斥反应。通过组织学染色和医学影像学分析综合分析可见,植入8周后,Si含量0.8wt%的复合支架具有更好的促骨缺损修复能力,缺损区域基本愈合。(本文来源于《华中科技大学》期刊2017-05-01）
郭彩霞,夏从新,刘玉芳[4]（2016）在《替代性掺杂对单层黑磷电子输运各向异性的调控作用》一文中研究指出由于黑磷具有直接带隙,且随着层数的不同其带隙在0.8到2eV之间变动[1,2]。更引人关注的是,黑磷可达到103cm~2/V的载流子迁移率,在室温下开关比率可达104,这些性质使得黑磷在场效应管和薄膜太阳能电池应用领域极具潜能[3,4]。半导体材料的输运性对于纳米电子器件的性能至关重要,已有缺陷、吸附对于磷烯的输运性质的研究报道[5-7],然而掺杂对磷烯输运性的研究却未见报道。我们利用第一性原理计算方法,研究了纯磷磷和分别用B,Al,Ga,C,Si,Ge,N,As,O,S,(本文来源于《第六届全国计算原子与分子物理学术会议论文集》期刊2016-08-05）
娄忠平[5]（2016）在《单层二硫化钼及其非金属替代掺杂体系的电子结构和光学性质第一性原理计算研究》一文中研究指出单层二硫化钼(MoS2)是典型的无机二维层状类石墨烯过渡金属硫族化合物,由于其在电子学、光学、热力学、化学等方面都有良好的性质,故而具有较好的应用前景,在石墨烯领衔的二维材料群体中脱颖而出,在一些应用方面能够辅助或替代石墨烯。更重要的是,相比于零带隙的石墨烯,单层二硫化钼拥有大小适当的直接带隙,这一重要性质使其在场效应二极管和光电子器件的应用上更有优势。本文基于第一性原理分别计算了单层二硫化钼和氧、氟、氯非金属原子替位掺杂单层二硫化钼的电子结构及光学性质。1、对计算得到的单层二硫化钼的电子结构进行分析讨论,得到的结果与之前文章计算结果相一致。在电子能带结构分析的基础上,同时考虑计算得到的单层二硫化钼的介电函数实部及虚部,分析讨论单层二硫化钼介电函数曲线中各个峰值与电子带间跃迁的对应关系,并将计算分析讨论的结果与之前的文章对比,与之相一致。2、通过对比本征单层二硫化钼的情况,分析讨论非金属原子氧、氟和氯分别掺杂对单层二硫化钼的电子结构对的影响。通过氧、氟和氯原子分别掺杂后,由于单层二硫化钼电子结构对晶格常数的变化极为敏感,掺杂改变了掺杂原子附近的共价键的键长和键角,发现单层二硫化钼的能带结构都由直接带隙变为间接带隙半导体。并且由于氟和氯为施主型掺杂,在禁带中靠近导带的位置出现杂质能级。3、分析讨论非金属原子氧、氟和氯分别掺杂对单层二硫化钼的光学性质的影响。基于掺杂体系电子结构计算的结果,分析讨论非金属原子分别掺杂对二硫化钼光学性质的影响情况。氧原子掺杂后,体系的光吸收边稍有蓝移;氟和氯掺杂后,对体系引入杂质能级,因而在低能量区域出现光吸收。4、最后对单层二硫化钼及其非金属掺杂体系的折射率n(ω)、反射率R(ω)和消光系数κ(ω)等光学常数进行分析说明。(本文来源于《云南大学》期刊2016-05-01）
吴文彬[6]（2015）在《元素替代和掺杂对Mn(Fe,Co)Ge基合金的磁性与磁热效应的影响》一文中研究指出室温磁制冷材料是在交变磁场下温度变化的一种与时俱进的制冷材料,其无污毒、效率高、使用年限长等优点。XMM′型马氏体相变结构的MnCo Ge基磁制冷材料具有FM-PM的二级相变特点,其相变温度低、无热滞与磁滞、制冷能力强和制备简单。近几年,这类材料在磁热效应方面的巨大潜力和优异性能,使制冷材料研究者们对其重视并进行探究。所以本文以具有马氏体相变结构的MnCoGe基合金作为研究对象,通过改变合金的化学配比对材料相变结构所产生的影响。采用振动样品磁强计(VSM)和粉末X射线衍射仪(XRD),系统的研究与分析了合金的晶体结构与磁热效应。前叁章分别介绍了磁制冷材料发展历史、室温磁制冷材料的研究现状和马氏体相变材料MnCo(Ni)Ge基合金的研究进展,并介绍了制备与测量所需的仪器设备。第四章通过以价格低廉的Si元素大量替代Mn CoGe基合金里的昂贵的Ge元素,在电阻炉中自然冷却的方式制备出MnFe0.3Co0.7Ge1-xSix(0.00,0.10,0.20,0.30,0.40,0.50,0.60,0.70)系列合金。结果表明,随着Si含量的增加,合金从Ni2In型(空间群P63/mmc)六角结构转变为TiNiSi型(空间群Pnma)正交结构;随着Si含量的增加,a、b、c线性减小,晶胞体积也随之减小。从M-T曲线得知居里温度从234.3 K增加到288.6 K,而且该系列合金在室温附近呈现出二级相变。合金的磁熵变是通过麦克斯韦方程计算出的,得到了外加磁场为0~1.5 T下M?S从1.461K)(kgJ-??降到了1.231K)(kgJ-??。Si替代Ge达到了降低材料成本的目的,同时也得到了半峰宽宽且具有二级相变材料,为进一步研究打下了良好的基础。第五章为了进一步改善该系列磁制冷工质的磁热性能,微量调节Fe/Co的比率制备出了居里温度横跨室温的MnFexCo1-xGe0.5Si0.5(0.20,0.22,0.24,0.26,0.30)系列合金,测量合金的磁学性质,并对合金进行了物相分析。利用X射线衍射仪物相分析可知,该系列工质属TiNiSi型(空间群Pnma)单相结构。X,Pert Plus软件拟合发现晶格参数a变化不大,而b和c却是线性减小,晶胞体积V也有减小的趋势。通过振动样品磁强计测量恒磁场磁化曲线(M-T),得知居里温度横跨室温,从322.5 K逐渐降到287.4 K。等温磁化曲线(M-B)所得到的数据做出的Arrott曲线可以看出此材料是二级相变材料,因此可以肯定结构相变温度窗口没有被打开。Fe/Co的微量调节使合金的磁熵变在0~1.5 T下有所提高,从1.201K)(kgJ-??升到1.421K)(kgJ-??。因此得到了居里温度横跨室温、价格低廉、半峰宽宽的合金。第六章通过掺入间隙原子B的方法把磁相变温度降低到室温以下,制备出了MnFe0.22Co0.78Ge0.5Si0.5Bx(x=0.01,0.04,0.05,0.06)系列合金。但是通过粉末X射线衍射仪物相分析与VSM的磁学性质测量表明,B元素的掺入使合金从TiNiSi型正交结构转变到Ni2In型六角结构。再从M-T曲线得知该系列合金随着B元素的增加CT线性减小,直到母相居里温度(265K)之下也没有发现FM-PM的一级磁相变结构。MnFe0.22Co0.78Ge0.5Si0.5B0.05合金的Arrott曲线表明,该系列合金发生了二级相变。0~1.5 T下计算出的M?S比上两组样品略有所提高,从1.22提高到1.521K)(kgJ-??。(本文来源于《内蒙古师范大学》期刊2015-05-20）
汪彩艳[7]（2015）在《Mg或Sm元素掺杂对Se替代PbTe、GeTe及其合金的热电性能优化研究》一文中研究指出Pb Te、Ge Te是性能较好的中温热电材料,在发电领域有广泛的应用前景,在节能减排、低碳环保方面具有重要的意义。Se替代Pb Te-Ge Te合金中的Te后,能够增加Pb在Ge Te中的固溶度并提高材料的热电性能。本工作采用熔炼、热处理、淬火及放电等离子烧结(SPS)等工艺制备了Pb0.98-xMgxNa0.02Te0.5Se0.5、Ge1-xMgxTe0.7Se0.3及Ge0.75Pb0.2Sm0.03Te1-xSex叁个系列合金样品,以进一步探究Mg及Sm元素掺杂对Se替代的Pb Te、Ge Te及Pb Te-Ge Te合金的物相、微观组织及热电性能的影响规律,优化它们的热电性能。。对Pb0.98-xMgxNa0.02Te0.5Se0.5(x=0,0.02,0.04,0.06,0.08,0.10)系列合金的研究表明:Se的替代增加了Mg的固溶度;合金的电阻率及Seebeck系数随Mg含量的增加先增大后减小,在x=0.06处达到最大值,而其热导率随Mg含量的增加先降低后升高,在x=0.04处达到最小值;最终,Mg掺杂量为x=0.04的合金样品在673 K时获得最高ZT值1.0,比未掺杂Mg合金在相同温度下的0.88高出13.6%。对Ge1-xMgxTe0.7Se0.3(x=0.04,0.07,0.10,0.12)系列合金的研究表明:Mg以析出Mg Se第二相形式存在,较少固溶进合金中;随着Mg含量的增加,合金电阻率增大,Seebeck系数变化不大,但热导率降低较多,最终,Mg掺杂量为0.12的合金样品在673K时获得最大热电优值0.60,比纯Ge Te在相同温度下的0.51高17%。对Ge0.75Pb0.2Sm0.03Te1-xSex(x=0,0.1,0.2,0.3,0.4,0.5,0.6)系列合金的研究表明:Se的替代增加了Pb在Ge Te固溶体中的固溶度;稀土元素Sm掺杂细化了调幅分解组织;随着Se含量的增加,合金电阻率上升,Seebeck系数也增加,并且热导率显着降低,最终,Se替代量x=0.5的合金具有最低的热导率0.78 W m-1 K-1(723 K)及最高热电优值ZT=1.5,比x=0的0.99高出51%。(本文来源于《深圳大学》期刊2015-05-08）
林琦,陈余行,吴建宝[8]（2015）在《C/O替代掺杂对ZnO纳米带能带及结构稳定性的影响》一文中研究指出用第一性原理研究了C掺杂Zn O纳米带(Zn O-NRs)的能带结构和结构稳定性.研究结果表明:C原子对O原子替代掺杂将使Zn O纳米带在费米面附近引入局域的杂质能级;在固定手性角下,C原子的不同掺杂位置对Zn O纳米带的结构稳定性影响很小;手性角为6.6°、11.9°时,C掺杂Zn O纳米带具有较高的结合能,即这两种手性角下C掺杂Zn O纳米带更具稳定性.(本文来源于《上海工程技术大学学报》期刊2015年01期）
姚占全,田晓,郝宏波,江丽萍,赵增祺[9]（2014）在《元素替代、掺杂对Fe-Ga合金结构和磁致伸缩性能影响的研究进展》一文中研究指出Fe-Ga合金是一种新型磁致伸缩材料,它的高强度、良好韧性、低场高磁致伸缩性能和低成本等优异特性使其具有广泛的商业应用。然而,实际制备的Fe-Ga合金的磁致伸缩数系数很小,提高Fe-Ga合金的磁致伸缩性能成为人们关注的课题。元素替代和掺杂是改善新型Fe-Ga磁致伸缩材料性能的一种有效方法。综述了近几十年来元素替代和掺杂对Fe-Ga磁致伸缩合金结构和性能的影响,并总结了各种元素替代和掺杂的研究进展。在此基础上,指出了元素替代和掺杂在改善Fe-Ga合金性能中存在的问题及今后的发展方向。(本文来源于《材料导报》期刊2014年21期）
张玉洁,刘恩克,张红国,李贵江,陈京兰[10]（2013）在《替代掺杂的MnNiGe_(1-x)Ga_x合金中马氏体相变和磁-结构耦合特性》一文中研究指出研究了MnNiGe1-xGax(x=0—0.30)系列合金中成分、结构、马氏体相变性质和磁性的相互关系.在较小的成分范围内,Ga取代Ge元素可有效地将马氏体相变温度降低近400 K.Ga的引入削弱了体系中的共价成键作用,马氏体相显示出磁交换作用的增强.相图显示,掺杂使马氏体相变先后穿过TN和TC两个磁有序温度,居里温度窗口效应在体系有存在的可能,磁性对相变温度的成分关系有所影响.实验观察到合金变磁转变的特性及相变行为对制备方法的敏感性.这些特性的发现,有利于进一步优化这类材料的磁结构和相变特性,获得具有应用价值的新材料.(本文来源于《物理学报》期刊2013年19期）
掺杂与替代论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
由于具有独特的性质,原子厚度的二维磁性材料受到广泛的关注。二维半导体材料通常是内秉非磁性的,这限制了它们在自旋电子学上的应用,为使其有效地应用于自旋电子器件,有必要在这些非磁性材料中引入可调控的磁性。研究表明,施加应力、引入空位缺陷、替代掺杂和吸附等方法均能够在二维半导体材料中有效地引入磁性。目前,过渡族金属原子替代掺杂的方法已被广泛用于二维半导体的磁性调控。与Phosphorene类似,α相单层Sn S是非磁性半导体,带隙约为1.38 e V,因此α相单层Sn S有望作为稀磁半导体基底材料应用于自旋电子学。目前,没有关于在α相单层Sn S中引入磁性的相关报道。本论文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算的方法,研究了过渡族金属元素替代Sn掺杂对单层Sn S的几何结构、电子结构和磁性的影响。主要研究内容和研究结果如下:1、对于V,Cr,Mn,Fe,Co和Ni替代Sn掺杂的单层Sn S,GGA的计算结果显示:Ni掺杂的单层Sn S不具有磁性,而一个替代掺杂的V,Cr,Mn,Fe和Co原子在单层Sn S中分别产生3μ,4μ,5μ,4μ和3μ的磁矩,磁矩主要由掺杂原子的3d轨道中未配对的电子所提供,掺杂原子周围近邻Sn和S原子的p轨道也有部分贡献。Ni掺杂单层Sn S没有磁性的原因是在费米能附近的能带具有较强的巡游性。进一步的计算表明两个掺杂的Cr原子之间存在长程的铁磁耦合。2、对于V,Cr,Mn,Fe,Co和Ni替代Sn掺杂的单层Sn S,GGA+U的计算结果显示:一个替代掺杂的V,Cr,Mn,Fe,Co和Ni原子在单层Sn S中分别产生了3μ,4μ,5μ,4μ,3μ和2μ的磁矩。与GGA的计算结果相比,掺杂原子d电子的关联效应明显地增加了V,Cr,Mn,Fe,Co替代掺杂单层Sn S自旋极化态的稳定性,特别是对Ni替代掺杂的单层Sn S,Ni原子d电子的关联效应使其基态由自旋非极化态变为自旋极化态。另外,3d电子的关联效应不仅明显地增加掺杂原子的磁矩贡献,而且显着地改变了两个掺杂原子之间的磁耦合。这些结果显示:关联效应对掺杂原子d轨道的影响是不可忽略的。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
掺杂与替代论文参考文献
[1].张东.锑掺杂替代铌对α-BZN陶瓷结构和介电性能的影响[J].中国陶瓷.2019
[2].王丹丹.过渡族金属替代掺杂单层SnS磁性的第一性原理研究[D].吉林大学.2017
[3].杨琴.双模板介导合成硅掺杂仿生骨替代材料及其体内外评价研究[D].华中科技大学.2017
[4].郭彩霞,夏从新,刘玉芳.替代性掺杂对单层黑磷电子输运各向异性的调控作用[C].第六届全国计算原子与分子物理学术会议论文集.2016
[5].娄忠平.单层二硫化钼及其非金属替代掺杂体系的电子结构和光学性质第一性原理计算研究[D].云南大学.2016
[6].吴文彬.元素替代和掺杂对Mn(Fe,Co)Ge基合金的磁性与磁热效应的影响[D].内蒙古师范大学.2015
[7].汪彩艳.Mg或Sm元素掺杂对Se替代PbTe、GeTe及其合金的热电性能优化研究[D].深圳大学.2015
[8].林琦,陈余行,吴建宝.C/O替代掺杂对ZnO纳米带能带及结构稳定性的影响[J].上海工程技术大学学报.2015
[9].姚占全,田晓,郝宏波,江丽萍,赵增祺.元素替代、掺杂对Fe-Ga合金结构和磁致伸缩性能影响的研究进展[J].材料导报.2014
[10].张玉洁,刘恩克,张红国,李贵江,陈京兰.替代掺杂的MnNiGe_(1-x)Ga_x合金中马氏体相变和磁-结构耦合特性[J].物理学报.2013
论文知识图
