论文摘要
运用溶胶改性和溶剂置换的方法制备以癸烷为溶剂的SiO2溶胶,通过单面旋涂方法在方形50 mm×50mm×10mm的KDP晶体基片上制备均匀性良好的膜层。使用分光光度计测试涂膜的晶体基片,涂制三倍频及基频二倍频减反膜的KDP晶体基片在378nm和835nm处的透过率峰值均大于99.5%,膜层减反射效果良好。结合过滤技术及超声波清洗技术实现了膜层制备过程中的缺陷控制,将经过缺陷控制的三倍频减反膜涂制在洁净度高的熔石英陪涂片上,并在测试前进行激光（波长为355nm,脉宽为3ns）预处理,得到的三倍频减反膜的抗激光损伤阈值为（14.0±2.1）J·cm-2。
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 沈斌,李海元,张旭
关键词: 材料,溶胶凝胶,二氧化硅,旋涂法,方形基片,缺陷控制
来源: 激光与光电子学进展 2019年14期
年度: 2019
分类: 信息科技,工程科技Ⅰ辑,工程科技Ⅱ辑
专业: 无机化工,材料科学,工业通用技术及设备
单位: 中国科学院上海光学精密机械研究所高功率激光物理重点实验室
分类号: TB383.2;TQ127.2
页码: 228-233
总页数: 6
文件大小: 3118K
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