论文摘要
在HgI2-HI-H2O溶液体系中,采用静电场诱导技术生长了HgI2晶体。利用紫外-可见光谱分析了溶液中分子/离子的存在形式;通过改变电场强度和溶液浓度等因素,得到了不同形貌的HgI2晶体。结果表明,HgI2-HI-H2O溶液中存在[HgI3]-,[HgI4]2-和HgI2等3种主要成分。静电场诱导离子发生定向迁移,形成取向性生长的晶体,晶体形貌受电场诱导和结构因素（分子键力）共同制约。溶质（负离子）向正极迁移,形成颗粒度大的HgI2晶体;负极主要是由中性HgI2键合并相变形成的小颗粒HgI2晶体。分析认为,HgI2-HI-H2O溶液中负离子可以成为晶体生长的基本单元。
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 许岗,张改,杨丛笑,陈静,侯雁楠,李俊英,谷智
关键词: 碘化汞,电场诱导,生长单元,结构控制
来源: 无机化学学报 2019年05期
年度: 2019
分类: 工程科技Ⅰ辑
专业: 化学
单位: 西安工业大学材料与化工学院,西北工业大学凝固技术国家重点实验室
基金: 国家自然科学基金青年基金(No.21501139)资助项目
分类号: O614.243;O782
页码: 871-875
总页数: 5
文件大小: 879K
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