论文摘要
本文设计制作了基于铝基衬底的微沟道阵列器件,并研究了纳秒脉冲微沟道等离子体放电特性。通过调控纳秒脉冲输出波形,获得了脉冲参数对微沟道等离子体放电特性的影响规律。结果表明,相比于传统的正弦波驱动,纳秒脉冲微沟道等离子体放电更集中,耦合效应更明显,且等离子体特性更易于调控。当改变脉冲参数时,6%左右的波形过冲电压会造成微沟道等离子体放电强度～30%的改变。另外,脉冲上升沿时间越短,放电强度越高,当上升沿时间由152 ns缩短至32 ns时,放电强度可提升～30%。
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文章来源
类型: 期刊论文
作者: 麻晓琴,周璇,王耀功,杨静远,张小宁
关键词: 微沟道器件,微沟道等离子体,双极性脉冲,等离子体传输
来源: 真空科学与技术学报 2019年09期
年度: 2019
分类: 工程科技Ⅱ辑,基础科学
专业: 物理学
单位: 西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室,西安交通大学电子与信息工程学院,生态环境部核与辐射安全中心
基金: 国家自然科学基金项目(批准号:51807156,61771382),陕西省国际合作计划项目(批准号:2018KW-034),中国博士后科学基金面上项目(批准号:2017M623174)
分类号: O53;O461.2
DOI: 10.13922/j.cnki.cjovst.2019.09.03
页码: 759-766
总页数: 8
文件大小: 3190K
下载量: 34
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