双面HIT太阳能电池的模拟优化

论文摘要

运用FORS-HET数值模拟软件,对a-Si（n）/a-Si（i）/c-Si:（p）/a-Si（i）/pm-Si（p+）结构的太阳能电池进行模拟优化,依次讨论了不同结构,发射层,本征层,背场对电池性能的影响。通过计算不同结构的太阳能电池,结果表明:通过模拟计算显示太阳能电池性能最高的是双面HIT结构;电池性能随着发射层厚度的增加,载流子的收集效率降低造成各项参数逐渐降低,随着掺杂浓度的提高使得内建电场强度增加,性能提高最终趋于稳定;随本征层厚度的增加电池各个参数逐渐降低;增加背场能够提高电池性能。通过优化背场带隙在1. 6-1. 8 e V掺杂浓度NB≥1×1019cm-3的薄膜硅材料且本征层的厚度应该控制在3 nm,发射层厚度在3-5 nm较合适。理论计算表明双面HIT太阳能电池转化效率可以高达29. 17%.

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类型: 期刊论文

作者: 张王飞,刘淑平

关键词: 数值模拟,背场,双面太阳电池,本征层,发射层

来源: 太原科技大学学报 2019年04期

年度: 2019

分类: 工程科技Ⅱ辑

专业: 电力工业

单位: 太原科技大学应用科学学院

分类号: TM914.4

页码: 330-335

总页数: 6

文件大小: 298K

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标签：数值模拟论文;  背场论文;  双面太阳电池论文;  本征层论文;  发射层论文;