林滢[1]2003年在《基于新型图形发生器的数据格式转换软件的研究》文中研究表明数据格式转换软件是电子束曝光机不可缺少的辅助工具。本课题的主要任务是研制与新型图形发生器相匹配的数据格式转换软件。该软件在陈建辉编制的OurCutterV1.0的基础上，进一步扩展了从cif格式向新型图形发生器所特有的DY51数据格式转换的功能。本论文在严格定义了DY51的基础的上，主要分为两个部分介绍本课题的研究成果。第一部分分析了OurCutterV1.0在圆弧逼近、多边形自交校验、尺寸修正、自分割以及束斑分割等功能模块中存在的问题，并在此基础上提出了相应的解决方案和算法。进一步完善了各功能模块，使升级版OurCutterV2.0更具有实用性。这一部分主要包括第二章和第叁章。本论文在第二部分介绍了一种为专门二次曲线图形服务的新的单元图形——二次曲线单元图形(Conic Primitive)，并以此为基础定义了一种兼容二次曲线的中间图形(Intermediate Shape)及其相对应的文本数据格式MGDF。针对这种带有二次曲线的中间图形，本文对二维多边形的集合运算进行了重新定义，并在此基础上设计出一系列兼容二次曲线的算法。这一部分将在第四章和第五章介绍。本论文总共有六个章节。除了上述的四章外，论文的第一章主要介绍了电子束曝光机以及数据格式转换软件的背景，而第六章是对整个课题的总结。
袁修鹏[2]2004年在《DSP控制的新型图形发生器硬件单元技术的研究》文中研究说明电子束曝光机系统是微电子工业和微细加工研究与开发不可缺少的大型精密设备。图形发生器是该系统中的一个核心部件。本论文介绍了图形发生器通信接口的实现以及数模／模数转换器的设计。 论文简单介绍了USB1.1(Universal Serial Bus)协议，主要介绍了基于USB1.1协议的图形发生器通信接口的软件编程的实现方法。 论文中介绍了模数转换器的设计方案，设计方案以ADI公司的模数转换芯片AD9223为核心，根据电子束曝光机背散射信号的特点设计了合理的前端放大器和驱动电路及基准源。模数转换器的输入模拟电压范围：0—2V；结构简单，电路稳定可靠；接口控制简单，具有良好的扩展性。 论文详细介绍了数模转换器的设计，包括以DAC1146芯片为核心的主D／A的设计和以LTC1597芯片为核心的旋转D／A、位移D／A、增益D／A的设计。
卢文娟[3]2007年在《电子束重复增量扫描产生叁维结构的关键技术研究》文中提出系统的微小型化始终是当代科技发展的重要方向。微机电系统是在此趋势的推动下发展起来的,具有广泛应用前景的涉及多学科的新兴技术领域,微加工技术是实现微机电系统的关键技术。随着微机电系统的深入研究和快速发展,需要能够精确地产生复杂曲面和各种形状的叁维微结构的加工技术与之相适应。当前用于叁维微结构加工的技术主要有体硅微加工技术、LIGA(Lithographie、Galvanoformung andAbformung)技术和IH(Integrated Harden Polymer Stereo Lithography)叁维光刻技术等。体硅微加工技术和LIGA技术能够制作高精度、高深宽比的陡直微细结构,但其缺点是难于加工各种微曲面和结构较为复杂的器件;IH叁维光刻技术从理论上能加工出任意曲面和高深宽比的复杂结构,但因其工艺中x、y向的扫描是靠X/Y工作台的机械移动来完成的,加工精度较低,分辨率目前仅为亚微米级。目前这些微叁维加工技术都不能很好地适应今后微机电系统的高速发展,因此需要寻求更好的加工手段。电子束曝光技术是公认的最好的高分辨率图形制作技术,目前主要用于二维精密集成电路掩膜制作。由于电子束理论上可以聚成十几个埃的束斑,易于控制,且其在超大规模集成电路掩膜制造中所起的重要作用到目前为止仍无法用其他方法替代。在实验室条件下,已能将电子束聚焦成尺寸小于2nm的束斑,实现了纳米级曝光。由于辐射剂量不同,可以得到不同深度的抗蚀剂图形。因此,传统的电子束叁维加工多是通过改变剂量来实现,但通用电子束曝光系统在曝光过程中剂量无法改变,因此难于直接进行微叁维结构的加工。基于自行研制的DSP控制的新型图形发生器,山东大学电子束研究所提出了一种使用通用电子束曝光系统进行微叁维加工的新方法——电子束重复增量扫描曝光方法。该扫描方法无需改变曝光剂量,通过改变扫描次数即图形的设计参数来改变曝光总剂量,提高了曝光效率,弥补了通用电子束曝光系统无法改变剂量的缺陷,为通用电子束曝光系统生成叁维结构提供了新的方法。该方法可以直接在基片上产生高精度的垂直、曲面、微尖等叁维结构,属于电子束直写技术(Electron Beam Direct Writing,EBDW)。新方法的提出,首先需要对其可行性进行研究;再者,为了使新方法能够满足微系统更高精度以及复杂器件结构加工的要求,需要对曝光参数选定、曝光图形设计及数据处理、新方法的应用范围推广等多方面进行深入的研究。本论文主要围绕着电子束重复增量扫描方式的曝光反应机理,电子束能量、剂量对刻蚀深度的影响,曝光图形数据处理,新方法应用前景等关键问题开展深入细致地研究,具体研究工作及创新点概括如下:1.从高分子辐射化学角度对电子束重复增量扫描曝光方法作用于正性抗蚀剂PMMA的实际反应机理进行了深入地研究,并根据Charlesby-Pinner理论推导出辐射剂量与辐射降解程度、降解产物平均分子量间的关系,即辐射剂量越大,辐射降解程度越大,降解后的产物的平均分子量越小,则溶解度越大;反之,辐射剂量越小,辐射降解程度越小,降解后的产物的平均分子量越大,则溶解度越小。通过曝光实验进行了验证,从理论和实验上证明了电子束重复增量扫描曝光方法产生叁维结构的可行性。2.采用Monte Carlo模拟和Grun公式两种方法对电子束能量与刻蚀深度间的关系进行深入地研究。研究结果表明:电子束能量越大,在抗蚀剂内的刻蚀深度就越深;电子束能量越大,电子横向作用范围也越大,但抗蚀剂吸收能量密度分布曲线越陡峭,因此,增加入射束能可以减弱邻近效应,有利于提高曝光分辨率。以理论分析结果为参考依据,在SDS-Ⅱ型电子束曝光机中对抗蚀剂PMMA进行曝光实验,得到的实验结果与理论分析结果基本一致,证明了理论分析方法的正确,对电子束微叁维曝光实验加速电压的选取起到了重要的指导作用。3.采用Monte Carlo模拟和解析法两种方法对电子束曝光剂量与刻蚀深度间的关系进行深入地研究。研究结论为:电子束曝光剂量越大,刻蚀深度越深;曝光剂量越小,刻蚀深度越浅。以PMMA和TMPTA为抗蚀剂在SDS-Ⅱ型电子束曝光机中进行曝光实验,得到的实验结果与理论分析结果基本一致,验证了该结论的正确性。对液态抗蚀剂TMPTA的分析结果表明上述结论也适用于电子束液态曝光技术。通过Monte Carlo模拟结果,还发现电子的横向扩散范围随曝光剂量的增加而扩大,这会导致各曝光图形之间相互影响,加剧邻近效应,影响曝光图形线宽精度。在电子束微叁维曝光实验中,可以根据曝光图形的尺寸及精度要求,以剂量与刻蚀深度间的关系的理论分析结论为指导,合理地选择曝光剂量。4.利用反差经验公式精确地确定电子束曝光剂量与刻蚀深度间的关系,克服了实验方法的繁琐性。通过Monte Carlo模拟得到吸收能量密度来计算反差的方法,也同样避免了大量的实验任务。将计算结果通过曲线拟合得到关系曲线,与实验结果基本一致,验证了该方法的可行性。在给定曝光图形深度的情况下,可根据该关系来精确选择曝光剂量,节省实验时间,提高曝光效率。5.引入微流体力学理论对PCR微流控芯片微通道的结构进行优化设计。以往的文献资料中研究的微通道截面以矩形居多,且目前的加工方法得到的微通道绝大多数都为矩形截面。通过比较横截面积相同的微圆形通道与微矩形通道可知,流体在微圆通道中流动时,由摩擦引起的等效水头损失及表面张力均小于微矩形通道,因此,为了克服这些压力并保证流体在微通道中以一定的速度流动,微圆通道所需的驱动力就会比微矩形通道的要小。6.提出了利用电子束重复增量扫描曝光方式制作PCR微流控芯片微圆通道的新方法。利用电子束重复增量扫描曝光方法可以进行曲面加工的优势,来制作PCR芯片微圆通道。在圆束矢量扫描电子束曝光机JSM-35CF上进行曝光实验,显影后得到边缘光滑的微通道。7.进行了利用电子束重复增量扫描曝光方法制作软刻蚀技术用微叁维母版的实验研究。弹性印章是软刻蚀技术的核心,要制作弹性印章就需要有相应的母版。通过对曝光量的计算、工艺过程探讨、曝光实验结果等方面的分析研究,证明了用该方法加工微叁维母版的可行性。8.进行了电子束重复增量扫描曝光方式与软刻蚀技术相结合加工微叁维器件方法的研究。充分利用电子束重复增量扫描曝光方式与软刻蚀技术的优势,将二者结合起来,有望成为适应微机电系统发展的一种简单、有效、低成本的新微叁维加工方法。
杨浩伟[4]2004年在《基于DSP的图形发生器系统的曝光软件研究》文中研究指明本论文主要介绍了图形发生器软件系统中，涉及曝光功能的软件部分的研究。 论文分析了国内外电子束曝光技术的发展和图形发生器的工作原理。针对现有图形发生器存在的问题，对TI公司的TMS320VC33功能进和系统软件的开发进行分析，将以DSP芯片为核心的新型图形发生器的曝光软件系统分成两部分：上位机与下位机，分别进行开发。 第一部分是上位机——PC机上的系统程序。在借鉴CIF、GDSⅡ等文件格式的基础上，论文首先完成了曝光机系统文件的定义：图形处理格式、曝光文件存储格式和曝光文件发送格式。论文比较和论证了几种计算机接口，最终选择USB2.0作为上位机与下位机之间文件传输接口，并为其编写了驱动程序及能够完成设计功能的简单的客户端程序。 第二部分是下位机——DSP上的单元图形曝光算法。论文在分析前人工作的基础上，提出了新的单元图形生成算法。该方法通过利用DSP出众的计算功能，将各种图形的计算尽可能转化为加、减、乘法，在经过修正设计后可以做出令人满意的图形。这种算法应用于以DSP芯片为基础的电子束曝光机图形发生器，简化了数据处理过程并提高了图形绘制速度和图形精度，具有不输于Bresenham算法的效率。 本论文从图形发生器的软件部分入手，研究了图形发生器的结构和工作原理。系统的曝光控制程序和单元图形生成算法的研究和实现是本论文的核心内容。
商涛[5]2003年在《以DSP处理器为核心的图形发生器单元图形算法研究》文中研究表明本论文主要介绍了基于DSP处理器的新型图形发生器的单元图形生成算法尤其是圆形和椭圆等圆锥曲线的生成算法以及应用此类算法所进行的有关DSP的软件开发。论文介绍了国内外电子束曝光技术的发展和图形发生器的工作原理。针对现有图形发生器存在的问题，对TI公司的TMS320VC33功能进行研究、对软件和硬件的开发进行分析，提出了以DSP芯片为核心的新型图形发生器的设计方案。论文还在Bresenham算法的基础上，提出了新的单元图形生成算法及填充策略。该方法通过设置决策函数和迭代增量，判断最接近函数曲线的象素点，从而得到和函数图形逼近较好的各种曲线图形。这种算法应用于以DSP芯片为基础的电子束曝光机图形发生器，可以快速且较好地得出图形单元的各象素点，输出信号至D／A通过信号转换控制偏转放大器绘制图形。此算法适于硬件完成，简化了数据处理过程并提高了图形绘制速度和图形精度。论文着重从图形发生器的软件部分入手，研究了图形发生器的结构和工作原理，单元图形生成算法以及填充策略的研究和实现是本论文的核心内容。
刘伟[6]2005年在《纳米级电子束曝光系统用图形发生器技术研究》文中进行了进一步梳理纳米级电子束曝光系统是微纳加工的重要设备,图形发生器是电子束曝光系统的核心部件,包括硬件和软件两部分。硬件设计吸纳了近年来数字信号处理的最新成果,利用高性能数字信号处理器(DSP)将要曝光的单元图形拆分成线条和点,然后通过优化设计的数模转换电路,将数字量转化成高精度的模拟量,驱动扫描电镜的偏转器,实现电子束的扫描。为此目的特构建了x方向和y方向两组数模转换电路,每组包括1个16位主数模和3个16位乘法数模。通过图形发生器可以对标准样片进行图像采集,进行扫描场的线性畸变校正,包括扫描场增益、旋转和位移校正。另外,图形发生器还可以控制束闸的通断。配合精密定位工件台和激光干涉仪,可以实现曝光场的拼接,拼接精度优于0. 2μm。通过检测芯片的标记,还可以实现曝光图形的套刻。利用配套软件既可以新建曝光图形,也可以导入通用格式文件,例如CIF和GDSII文件,进行曝光参数设置、图形修正、图形分割、邻近效应修正等工作,然后将曝光图形数据转换成图形发生器可以识别的EDF文件,完成曝光图形的准备工作。图形发生器可直接处理的单元图形包括:矩形、梯形、折线、点、圆及圆环。该图形发生器能够与扫描电子显微镜、聚焦离子束设备以及扫描探针显微镜连接,组建成纳米级光刻系统。我们将图形发生器与JSM-6360(LaB6阴极)扫描电子显微镜连接,进行了大量实验,得到了多组曝光图形,最细线条为28 .6nm。
张鹏[7]2003年在《以DSP处理器为核心的新型图形发生器实用化研究》文中研究说明本论文介绍了扫描电子束曝光机图形发生器的总体方案、系统设计、硬件实现和软件编程等，提出了一套完整的图形发生器硬件方案，并完成了图形发生器接口的设计。本论文中的新型图形发生器由接口电路、双端口存储电路、数字信号处理电路、数模转换电路、曝光／标记检测控制电路、标记检测电路、最终曝光数据寄存器单元和束闸控制电路构成。论文研究了TI的通用型浮点数字信号处理器TMS320VC33的功能，根据课题的需要和DSP处理器的特点及结构，从硬件方面对图形发生器的数字信号处理单元进行了研究。通用串行总线是近年来在科研应用中使用比较广泛的产品，大有取代传统串口的趋势，和以往的接口方式相比，在结构、功能以及调试上都有很大的不同。本论文通过系统设计和分析，对其功能进行了比较详细的介绍。论文着重从图形发生器的硬件入手，研究了图形发生器的工作原理以及各个单元的配合和功能实现。
郭颖[8]2004年在《基于DSP的新型图形发生器主控制器的研究》文中研究指明电子束曝光机是目前微细加工领域极具前途的一种光刻手段，是纳米级图形加工的理想方式。图形发生器是电子束曝光机的关键部件，本论文针对现有的图形发生器存在的主要问题，借鉴了当今国内外电子束曝光机图形发生器的长处与不足，采用DSP芯片作为图形数据处理的核心单元，提出了一套功能完备的新型扫描电子束曝光机图形发生器的硬件设计方案。 本论文分为五个章节主要介绍了电子束曝光技术的发展背景、图形发生器的工作原理与国内外现状、图形发生器的总体方案设计、图形发生器硬件电路设计(包括DSP数字信号处理电路、数据传输接口电路、存储器扩展电路、逻辑控制电路、标记检测控制电路、曝光控制电路和束闸控制电路)、电路调试与验证、CPLD控制软件设计与仿真等。 本方案具有数据处理能力强、运算速度快、接口方便等优点，克服了传统图形发生器单纯依靠软件完成，速度慢，精度低，工作不稳定的缺点。目前图形发生器硬件设计工作已基本完成。并通过调试成功的实现了DSP引导装载、存储器读写、接口数据传输与片上器件的逻辑控制等功能。
王振华[9]2001年在《新型图形发生器的研制》文中进行了进一步梳理本论文主要介绍了课题所完成的基于DSP芯片的新型图形发生器的硬件研制、图形发生器画圆算法以及其他单元图形生成算法的研究与实现工作。 论文首先简要介绍了国内外电子束曝光技术的发展水平和图形发生器的工作原理。在对图形发生器的研制做深入理论分析的基础上，针对现有的图形发生器存在的主要问题，即采用硬件产生单元图形数据，很难作出圆。提出大规模集成电路与软件相结合的解决方案。然后通过对DSP芯片的详细分析，说明选择DSP芯片作为中心处理芯片是比较好的方案。 接着系统分析了图形发生器所需实现功能对硬件的要求，提出了硬件的设计思想，阐述了主要电路的设计。最后，本文对图形发生器单元图形生成算法做了研究和总结，提出了画圆算法，深入分析了算法的设计目的、思路及实现流程。 在以上的工作中，系统的硬件设计、画圆算法研究及实现是本课题的核心内容。
郝慧娟[10]2007年在《电子束光刻的叁维加工和邻近效应校正技术研究》文中研究表明微机电系统器件的制造要求微叁维加工工艺。当前制作叁维微结构的技术主要有体硅微加工技术、LIGA(Lithographie，Galvanoformung and Abformung)技术、IH(Integrated Harden Polymer Stereo Lithography)工艺等。体硅微加工技术和LIGA技术能够制作高精度、高深宽比的陡直微细结构，但是难于加工各种微曲面和结构较为复杂的器件；IH叁维光刻技术从理论上能加工出任意曲面和任意高深宽比的复杂结构，但因其工艺中X、Y向的扫描是靠X／Y工作台的机械移动来完成的，加工精度较低，分辨率目前仅为亚微米级。为了满足微机电系统的快速发展，需求精度更高的加工手段。电子束光刻技术是目前公认的最好的高分辨率图形制作技术，目前主要用于0.1～0.5μm精密二维掩模制造，而难于生产高深宽比的叁维结构。本学位论文围绕着电子束光刻技术直接在基片上产生高精度的垂直、曲面、微尖等叁维结构等问题，对电子束光刻、邻近效应校正、显影过程模拟等问题进行了较全面和较深入的研究，提出了多种新的计算方法；根据抗蚀剂吸收能量密度的计算结果，对叁维结构进行了邻近效应校正；结合显影模型，模拟了叁维结构的显影轮廓。在准确模拟曝光、显影过程的基础上，研究了不同曝光、显影条件对抗蚀剂吸收能量分布、显影线宽、边墙陡度的影响。论文的主要工作集中于电子束叁维光刻方法、曝光的计算机模拟、工艺优化，概括如下：1、首次提出了电子束重复增量扫描方式，为通用电子束曝光系统提供了一种新的叁维加工方法。曝光实验得到了轮廓清晰的正梯锥1、圆锥、梯锥1的叁维结构，验证了该扫描方式的可行性和正确性。重复增量扫描方式无需改变曝光剂量，通过重复、重迭的多次曝光，使光刻图形不同的位置得到不同的曝光总剂量，实现对图形的叁维加工；该扫描方式也无需进行复杂的图形分割，避免了图形分割带来的数据量过大的问题，降低了数据传输时间，从而可以降低曝光总时间，提高曝光效率；该扫描方式也不用在光刻过程中改变束斑参数，克服了系统内部扫描频率的限制，为通用电子束光刻系统进行曲面图形的加工提供了条件。2、根据光刻胶的反差的经验公式，提出了曝光剂量与刻蚀深度关系的计算方法，减少了实验次数和由于测量带来的误差，而且为电子束光刻的叁维加工提供了重要参数。3、提出了抗蚀剂灵敏度、反差的计算方法，为电子束叁维加工和曝光剂量与刻蚀深度关系的计算提供了重要参数。对不同入射电子束能量、抗蚀剂厚度的反差的计算显示：随着入射电子束能量的增加，反差不断减小；随着抗蚀剂厚度的增加，反差不断增大。4、提出了邻近函数的改进形式，并用于计算抗蚀剂吸收能量密度分布，克服了解析法和Monte Carlo模拟法无法克服的局限性，使吸收能量密度的计算真正用于软件中。对不同曝光条件下的抗蚀剂吸收能量密度分布的计算获得了其分布规律，而且得出了优化电子束光刻的工艺条件：(1)随着入射电子束能量的增加，电子的横向分布范围增大，但抗蚀剂的吸收能量密度分布曲线越来越陡峭，即：抗蚀剂单位体积内沉积的能量也越大。因而，高入射电子束能量有利于邻近效应的降低。(2)抗蚀剂厚度对吸收能量密度分布的影响不是很明显，主要影响前散射电子的能量密度分布。抗蚀剂越薄，电子的沉积能量密度分布曲线越陡峭。因而，薄抗蚀剂层有利于邻近效应的降低。(3)低原子序数的衬底产生的背散射电子数目较少，而且电子在衬底中的能量损失率较高，从而由衬底返回胶中的背散射电子在抗蚀剂中的能量沉积密度较小，有利于邻近效应的降低。(4)束斑直径越小，抗蚀剂吸收能量密度分布曲线越陡峭，越有利于邻近效应的降低，提高分辨率。因而，适量的高束能、薄胶层、低原子序数衬底、小束斑有利于邻近效应的降低、分辨率的提高。5、采用了最小二乘非线性曲线拟合的方法确定邻近函数参数，克服了直线拟合带来的α误差较大的问题，比单高斯拟合得到的结果更精确。对不同曝光条件下的参数(α、β、η)的计算获得了其分布规律，不仅能为电子束曝光条件的优化、邻近效应的降低提供理论指导，而且能为邻近效应校正快速地提供精确的参数。(1)随着入射电子束能量的增加，α不断减小，β不断增大，而η几乎不变，表明提高入射电子束能量有利于邻近效应的降低。(2)随着抗蚀剂厚度的增加，α不断增大，β、η变化不明显，说明薄抗蚀剂有利于分辨率的提高和邻近效应的降低。(3)衬底材料对α的影响较小，随着衬底材料原子序数的增大，β减小，η增大，说明低原子序数的衬底材料，有利于邻近效应的降低。6、研究了邻近效应产生的机理，引入累积分布函数计算各关键点的有效曝光剂量。通过预先建立计算过程中需要的各种规则表，计算过程中需要的参数通过查表直接获得，快速、准确地实现曝光图形能量分布的计算。7、提出了水平和深度两个方向分别对叁维结构邻近效应进行校正的方法。水平方向采用最大矩形法校正，同时考虑了抗蚀剂不同深度处吸收能量密度分布不同。深度方向的校正从吸收能量密度与曝光剂量的关系上考虑。校正后的曝光过程无需改变曝光剂量，为剂量无法改变的系统提供了叁维结构的校正方法。通过预先建立校正过程中需要的各种规则表，校正过程中需要的参数直接查表获得，快速、准确地实现了校正，提高了曝光效率。校正结果显示，邻近效应已大大降低。8、采用了基于遗传算法的最小二乘法确定显影速率参数，与传统的Gauss-Newton迭代法比较显示，基于遗传算法拟合的残差平方和较小，拟合效果更好，而且与参数初始值的选取无关，具有较强的鲁棒性。9、对光线追迹模型中的射线前进算法进行了改进，采用了递归的射线前进算法计算射线轨迹，降低了显影模拟中射线间的不连续性，光线追迹算法也更加精确。研究了不同曝光条件、显影时间对显影线宽W_b、边墙陡度θ的影响，得出了参数的分布规律，不仅为优化电子束曝光和显影工艺提供了参数，也为改进图形设计提供了参数依据。(1)在给定的曝光剂量下，随着加速电压的增大，W_b不断减小，θ值先减小，后增大。(2)在给定的加速电压下，随着曝光剂量增大，W_b、θ不断增大。(3)在给定的加速电压、曝光剂量下，随着抗蚀剂厚度的增加，W_b值不断减小，θ不断增加。(4)随着显影时间的增加，W_b逐渐增大，θ在开始时处于逐渐增加的趋势，当达到一定的最大值时又表现出下降的趋势。
参考文献：
[1]. 基于新型图形发生器的数据格式转换软件的研究[D]. 林滢. 中国科学院研究生院（电工研究所）. 2003
[2]. DSP控制的新型图形发生器硬件单元技术的研究[D]. 袁修鹏. 中国科学院研究生院（电工研究所）. 2004
[3]. 电子束重复增量扫描产生叁维结构的关键技术研究[D]. 卢文娟. 山东大学. 2007
[4]. 基于DSP的图形发生器系统的曝光软件研究[D]. 杨浩伟. 中国科学院研究生院（电工研究所）. 2004
[5]. 以DSP处理器为核心的图形发生器单元图形算法研究[D]. 商涛. 中国科学院研究生院（电工研究所）. 2003
[6]. 纳米级电子束曝光系统用图形发生器技术研究[D]. 刘伟. 中国科学院研究生院（电工研究所）. 2005
[7]. 以DSP处理器为核心的新型图形发生器实用化研究[D]. 张鹏. 中国科学院研究生院（电工研究所）. 2003
[8]. 基于DSP的新型图形发生器主控制器的研究[D]. 郭颖. 中国科学院研究生院（电工研究所）. 2004
[9]. 新型图形发生器的研制[D]. 王振华. 中国科学院电工研究所. 2001
[10]. 电子束光刻的叁维加工和邻近效应校正技术研究[D]. 郝慧娟. 山东大学. 2007
标签：计算机软件及计算机应用论文; 邻近效应论文; 电子束曝光论文; 增量模型论文; 电子束论文;