用于辐射探测器的低Fe掺杂半绝缘InP材料

论文摘要

基于半绝缘InP衬底的辐射探测器在X射线成像领域有着广阔的应用前景。半绝缘InP衬底中Fe的掺杂量对InP基辐射探测器的性能有一定的影响。通过液封直拉（LEC）法和垂直梯度凝固（VGF）法生长了掺Fe半绝缘InP单晶,并对普通Fe掺杂（0.3 g/kg）和低Fe掺杂的InP单晶的电参数特性、光学特性及辐射特性等方面进行了研究。测试数据表明VGF生长的InP单晶的位错密度小于500 cm-2,缺陷非常少。但VGF必须使用多晶InP作为原料,Fe的掺杂量不能低于0.3 g/kg,造成晶体中的杂质含量较高。低Fe掺杂LEC生长的InP单晶的掺杂量只有普通掺杂的一半,经过退火,低Fe掺杂LEC生长的InP的电阻率达到4.9×107Ω·cm,迁移率达到4 410 cm2·V-1·s-1,位错密度小于1×104cm-2,显示出了较好的半绝缘特性且晶体质量良好。使用低Fe掺杂半绝缘InP制成的辐射探测器显示出了良好的性能。

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文章来源

类型: 期刊论文

作者: 王丽,陈春梅,田树盛,黄子鹏,邵会民,王阳,付莉杰

关键词: 磷化铟,晶体生长,掺杂,半绝缘,辐射探测器

来源: 半导体技术 2019年12期

年度: 2019

分类: 信息科技,工程科技Ⅱ辑

专业: 核科学技术,无线电电子学

单位: 河北工业大学电子信息工程学院,中国电子科技集团公司第十三研究所

分类号: TN304;TL81

DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.012.010

页码: 956-960

总页数: 5

文件大小: 702K

下载量: 85

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