导读:本文包含了脉冲偏压电源论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:偏压,脉冲,电弧,电源,离子,等离子体,负载。
脉冲偏压电源论文文献综述
梁兆光[1]（2013）在《一种新型高能高压脉冲偏压电源电路介绍》一文中研究指出本文阐述了一种高能高压脉冲电源电路,特别适用于高功率高电压窄脉冲(占空比为0-10%)输出的电源。本文所述电路的特点是去掉了传统的高压整流电路,从而大提高了电源的可靠性。(本文来源于《2013年广东省真空学会学术年会论文集》期刊2013-12-01）
齐铂金,徐国宁,刘方军,肖攀[2]（2012）在《新型脉冲电子束焊接偏压电源设计》一文中研究指出开发了一种由偏压基值产生电路和偏压脉冲产生电路组成的新型脉冲电子束焊接偏压电源,该偏压电源装置能够实现直流偏压和脉冲偏压自由切换,即在同一套装置上既能够实现常规连续束流电子束焊接,又能够实现脉冲电子束流焊接.偏压基值产生电路控制偏压脉冲基值,偏压脉冲产生电路分别控制偏压脉冲峰值、偏压脉冲频率和偏压脉冲占空比.偏压电源的脉冲频率、占空比、脉冲基值和脉冲峰值均可调节,对应实现脉冲束流的脉冲频率、占空比和脉冲峰值调节.试验证明在平均束流焊透相同材料时,相比连续束流电子束焊接,脉冲电子束焊接热输入减少,焊缝宽度有减少趋势.(本文来源于《北京航空航天大学学报》期刊2012年10期）
胡玮[3]（2011）在《多波形脉冲偏压电源控制系统研制与CrN薄膜制备》一文中研究指出磁控溅射技术是目前薄膜制备领域中最常用的技术之一,具有低温、高效两大优势。在膜层制备过程中,通常在基体上施加一定的负偏压配合磁控溅射镀膜,且大量研究表明,基体加负偏压可以显着提高薄膜性能。但目前关于偏压的研究只限于偏压幅值、频率、脉冲宽度等因素,对偏压波形形式对薄膜性能的影响却极少涉及。本文依据固态开关Marx高压脉冲电路的结构特点,采用C805IF020配合定时/计数芯片8254研制了固态开关的单片机智能控制驱动电路方案,实现了高压脉冲电源的多种波形输出,并以此作为偏压源,复合直流磁控溅射技术制备了CrN薄膜,对比分析了四种不同偏压波形形式对CrN薄膜性能的影响,同时还研究了每种偏压波形形式下所制备的CrN薄膜性能随偏压参数变化的演变规律。应用扫描电镜(SEM),原子力显微镜(AFM),X射线衍射(XRD),纳米硬度等分析手段来分析膜层的微观结构,表面形貌,相结构和力学性能。不同偏压形状下制备的CrN薄膜性能研究表明,相比于普通方波偏压,控制脉冲波形的上升沿或下降沿产生的阶梯型偏压所制备的CrN薄膜具有更优良的力学、电化学、摩擦性能,更好的膜基结合力。AFM表面形貌分析得出,各偏压制备的CrN薄膜表面主要为岛状颗粒,阶梯偏压下晶粒更为细小均匀。AFM表面粗糙度分析显示,阶梯偏压下薄膜表面粗糙度大大降低。这表明,相对于传统的方波偏压,优化的多样化偏压波形可以显着提高膜层性能。不同偏压参数下所制备的薄膜性能研究表明,随偏压幅值增加,薄膜硬度与弹性模量增加;脉冲频率低于350Hz时薄膜硬度与弹性模量随频率增大而增加,频率继续增加时薄膜力学性能增长缓慢甚至变差。偏压幅值增加时,薄膜抗腐蚀性能提高;脉冲频率增加时,对薄膜抗腐蚀性能提高作用并不明显,说明相比脉冲频率,偏压幅值对膜层性能影响更为显着。XRD分析结果表明,薄膜结构以面心立方的CrN相为主,随着电压增大,CrN(200)衍射峰越来越强,晶粒生长朝(200)择优取向越明显。(本文来源于《哈尔滨工业大学》期刊2011-06-01）
李丹[4]（2010）在《高频大功率脉冲偏压电源的设计》一文中研究指出磁控溅射技术以其“高速”,“低温”两大特点被广泛应用于在薄膜制备领域。而目前磁控溅射离子镀中广泛采用的直流偏压电源已不能充分发挥磁控溅射的优越性,制约了低温磁控溅射的发展。因此高频、大功率的脉冲偏压电源已成为磁控溅射用偏压电源的发展方向。本文采用了TI公司的高性能DSP-TMS320F2812,设计了一款用于磁控溅射离子镀高频、大功率的数字化脉冲偏压电源。结合脉冲偏压电源的指标要求,首先分析和研究了脉冲偏压电源在高频和大功率条件下的的实现方案,并对高频大功率的主电路和控制系统进行了理论设计和参数估算。为了提高电源系统的稳定性及抗干扰能力,建立了电源系统的小信号模型,进而进行数字控制器的设计,得到了良好的PID参数,获得了良好的控制性能。并使用PSPICE及MATLAB对电源系统进行了详细的仿真分析。在此基础上,采用DSP技术对脉冲偏压电源进行数字控制。选择TI公司的DSP芯片TMS320F2812为控制核心,给出了各单元如驱动电路、采样及信号调理的硬件设计。软件设计则主要设计了PWM驱动信号、A／D采样和数字PID控制等功能的实现。最后在仿真和理论分析的基础上搭建了试验平台,试验结果验证了仿真分析和控制方案的正确性和可行性。(本文来源于《西安理工大学》期刊2010-03-01）
戚栋[5]（2005）在《电弧离子镀容性负载与脉冲偏压电源间的匹配》一文中研究指出脉冲偏压电弧离子镀(简称“PBAIP”)是当前薄膜技术的最新发展方向之一,实现电源与电弧离子镀容性负载间的匹配对于提高PBAIP工艺水平具有重要作用。论文以作者建立的电弧离子镀等离子体负载的宏观电路模型及其与等离子体微观参量间的关系、研制的级联型结构的脉冲偏压电源为基础,通过建立电弧离子镀负载回路模型,研究负载回路对阶跃脉冲信号的响应特性及负载回路各参数对阶跃脉冲信号响应特性的影响,为解决镀膜工艺中负载上脉冲电压的振荡问题和匹配电路的设计,提供理论指导和设计思路。在此基础上设计了(本文来源于《TFC'05全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集》期刊2005-09-01）
戚栋[6]（2005）在《电弧离子镀的等离子体负载特性与脉冲偏压电源研究》一文中研究指出脉冲偏压电弧离子镀是近年来离子镀技术的一个重要发展方向,但目前制约脉冲偏压电弧离子镀技术发展的一些问题亟待解决。本论文就其中电弧离子镀的等离子体负载特性、脉冲偏压电源及脉冲偏压电源与电弧离子镀等离子体负载间的匹配、脉冲偏压电源的绿色化设计等问题进行了深入研究。这些问题的研究和解决对提高电弧离子镀工艺水平是至关重要的。 在电弧离子镀等离子体负载特性研究方面: 结合实验研究,并运用等离子体鞘层理论、电工学理论和数值模拟技术,建立了电弧离子镀等离子体负载的宏观电路模型,得出电弧离子镀等离子体负载本质上是由等离子体鞘层引起的容性负载,它在电路中可等效为一只电容和电阻相并联的单元。 通过对脉冲偏压下电弧离子镀等离子体鞘层随时间演化过程的研究,得到了电弧离子镀等离子体鞘层随时间演化的解析式,由此得出电弧离子镀等离子体形成稳态鞘层的时间、鞘层的厚度及其变化范围均远小于束线离子注入等离子体等鞘层对应的值,电弧离子镀等离子体鞘层的扩展几乎是实时跟随脉冲偏压的变化。 根据电弧离子镀等离子体鞘层随时间演化的特点,对时变量——电弧离子镀等离子体鞘层厚度s(t),通过取其时间平均厚度(?),将时变量——电弧离子镀等离子体鞘层电容C(t),等效为与时间无关而只与脉冲偏压幅度和等离子体的电子温度等微观参数有关的量,进而建立了电弧离子镀等离子体负载的宏观电路模型与等离子体微观参数间的关系,据此并利用Langmuir探针对电弧离子镀等离子体参数的诊断结果,得到了电弧离子镀等离子体鞘层等效电容的数值范围。 通过实验、仿真模拟和理论计算,验证了建立的电弧离子镀等离子体负载的宏观电路模型及其与等离子体微观参数间的关系是有效的。 以上研究为解决电弧离子镀脉冲偏压电源及其与负载间匹配的问题、电弧离子镀工艺中的相关问题,提供了理论上和技术上的支持。 在电弧离子镀脉冲偏压电源研究方面: 结合电弧离子镀等离子体负载特性,研制了幅值在50～1500V范围、频率在5～40kHz范围、占空比在5%～40%范围连续可调,额定功率为15kW的固体开关式脉冲偏压电源。其中:设计了一种级联型结构的高压脉冲形成电路,使脉冲偏压电源的扩展性和延伸性好,有利于实现模块化;研制了一种集接地保护和开关功能于一体的半导体功率开关模块,填补了现有半导体功率开关无接地保护功能的空白,有利于提高电源的安全性;基于差动电压放大器,设计了一种新的占空比测量电路,它能简单地以数字形式给出脉冲偏压的占空比,解决了现有占空比测量方法存在的缺陷。(本文来源于《大连理工大学》期刊2005-05-01）
隋振中[7]（2003）在《AIP脉冲偏压电源及等离子体诊断系统的设计与应用研究》一文中研究指出电弧离子镀以其离化率高沉积速度快、膜层致密、膜基结合力强、绕镀性好等优点，已发展成为世界范围的一项高新技术产业。为了扩大电弧离子镀的基材范围和用电弧离子镀设备制备出内应力较低的更厚镀层以及其它类型应用的高性能镀层，随着脉冲功率技术的发展，一种脉冲负偏压工艺开始用于电弧离子镀技术。但是由于目前国内用于电弧离子镀的脉冲负偏压电源比较少，并且表征脉冲电源特性的f和D参数大都固定，只有电压可调，为此开发一种各种参数灵活可调的脉冲电源显得尤为重要。另一方面，为了实时了解电弧等离子体反应器内的情况，给出等离子体的各种特性参数，开发一套自动化程度比较高的等离子体诊断系统也势在必行。本论文对这两方面的问题作了研究，主要完成了以下工作： 1．本论文提出了主电路部分先逆变后斩波，输出部分为四路IGBT相互串联迭加的设计方案，经过实际使用证明，该方案可以做到在一定范围内灵活调节偏压电源输出的各种参数。 2．运用高集成度高速度的单片机，高压高功率放大器，以及高速D／A、A／D转换电路，设计完成由输出幅度为±100V，输出频率在400Hz～20KHz范围内可调的智能等离子体诊断电源和基于ISA插槽的采样率为1MHz，精度为12位的双通道数据采集卡组成的诊断系统。 3．应用设计的电源和诊断系统，在俄产Bulat6型设备上进行试验。首次诊断出在正常镀膜条件下，电弧镀等离子体的电子温度，离子密度、等离子体空间电位。并相应的算出了等离子体鞘层厚度及由鞘层引起的电容。 经过对直流偏压和脉冲偏压两种工艺下合成的TiN薄膜的各项性能测试结果表明，脉冲偏压工艺下合成的薄膜品质优良，电源输出脉冲参数的调整和等离子体状态的诊断为工艺的稳定实施提供了很好的保障。设计达到了预定的设计目标。(本文来源于《大连理工大学》期刊2003-01-01）
戚栋,王宁会,林国强,丁振峰[8]（2002）在《电弧离子镀脉冲负偏压电源及其特性的研究》一文中研究指出一种脉冲负偏压电源是由多个脉冲分量形成的电路串联构成 ,脉冲的频率和占空比直接在高压侧调节。介绍了电源的结构和关键技术 ,并结合薄膜沉积试验中的电压、电流波形和计算机仿真分析 ,探讨了电源和电弧离子镀的等离子体负载间的匹配 ,提出了电弧离子镀脉冲负偏压电源的设计要求(本文来源于《金属热处理》期刊2002年12期）
戚栋,王宁会,林国强,丁振峰[9]（2002）在《电弧离子镀脉冲负偏压电源负载特性的仿真分析》一文中研究指出通过等离子体物理理论和仿真分析 ,明确了电弧离子镀的等离子体负载本质是等离子体鞘层引起的容性负载 ,探讨了电弧离子镀脉冲负偏压电源的设计方法。(本文来源于《电工技术杂志》期刊2002年11期）
陈庆川,霍岩锋,曾旭初,刘平,冯铁民[10]（2001）在《迭加式直流脉冲偏压电源在离子镀设备中的应用》一文中研究指出电弧离子镀(Arc Ion Plating,简称 AIP)作为制备各种硬质膜与装饰膜的主流技术,在近十年获得了长足的发展。远离平衡态过程的离子镀低温沉积技术亦日趋成熟。而要实现当代先进电弧离子镀低温沉积技术的关键是要利用先进的迭加式直流脉冲偏压电源来替代原来的直流DC偏压。为此,我们开发了一套中频迭加式直流脉冲偏压电源,该电源采用大功率IGBT开关模块及最新开关电源技术,具有性能稳定、可靠性高、抗干扰能力强、负载匹配性能好等特点,能方便实现电弧离子镀低温沉积工艺及各种复合工艺。本文将详细地就电弧离子镀中运用该电源的优点及该电源在设计及研制过程中所碰到的一些问题进行探讨。(本文来源于《'2001全国荷电粒子源、粒子束学术会议论文集》期刊2001-11-01）
脉冲偏压电源论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
开发了一种由偏压基值产生电路和偏压脉冲产生电路组成的新型脉冲电子束焊接偏压电源,该偏压电源装置能够实现直流偏压和脉冲偏压自由切换,即在同一套装置上既能够实现常规连续束流电子束焊接,又能够实现脉冲电子束流焊接.偏压基值产生电路控制偏压脉冲基值,偏压脉冲产生电路分别控制偏压脉冲峰值、偏压脉冲频率和偏压脉冲占空比.偏压电源的脉冲频率、占空比、脉冲基值和脉冲峰值均可调节,对应实现脉冲束流的脉冲频率、占空比和脉冲峰值调节.试验证明在平均束流焊透相同材料时,相比连续束流电子束焊接,脉冲电子束焊接热输入减少,焊缝宽度有减少趋势.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
脉冲偏压电源论文参考文献
[1].梁兆光.一种新型高能高压脉冲偏压电源电路介绍[C].2013年广东省真空学会学术年会论文集.2013
[2].齐铂金,徐国宁,刘方军,肖攀.新型脉冲电子束焊接偏压电源设计[J].北京航空航天大学学报.2012
[3].胡玮.多波形脉冲偏压电源控制系统研制与CrN薄膜制备[D].哈尔滨工业大学.2011
[4].李丹.高频大功率脉冲偏压电源的设计[D].西安理工大学.2010
[5].戚栋.电弧离子镀容性负载与脉冲偏压电源间的匹配[C].TFC'05全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集.2005
[6].戚栋.电弧离子镀的等离子体负载特性与脉冲偏压电源研究[D].大连理工大学.2005
[7].隋振中.AIP脉冲偏压电源及等离子体诊断系统的设计与应用研究[D].大连理工大学.2003
[8].戚栋,王宁会,林国强,丁振峰.电弧离子镀脉冲负偏压电源及其特性的研究[J].金属热处理.2002
[9].戚栋,王宁会,林国强,丁振峰.电弧离子镀脉冲负偏压电源负载特性的仿真分析[J].电工技术杂志.2002
[10].陈庆川,霍岩锋,曾旭初,刘平,冯铁民.迭加式直流脉冲偏压电源在离子镀设备中的应用[C].'2001全国荷电粒子源、粒子束学术会议论文集.2001
论文知识图
