半导体中杂质不完全电离的分析

半导体中杂质不完全电离的分析

论文摘要

杂质电离现象是"半导体物理学"课程的重要知识点和难点之一.本文通过对杂质电离的深入分析,推导出杂质电离程度η、温度T、掺杂浓度ND及施主杂质电离能ΔED等4个重要物理量之间的关系.进一步深入讨论杂质完全电离的最大掺杂浓度上限、电离比例与杂质电离能的关系,同时引入Lambert W函数简化对温度的求解.最后研究4H-SiC中杂质不完全电离的问题.本文的分析方法不仅可加强学生对杂质电离的系统理解,而且可培养学生的分析和创新能力,有助于将来研究和设计半导体器件.

论文目录

  • 1 杂质不完全电离的基本分析
  • 2 4种情况的讨论
  •   2.1 掺杂浓度
  •   2.2 电离比例
  •   2.3 杂质电离能
  •   2.4 温度
  • 3 4H-SiC中的杂质不完全电离现象
  • 4 结论
  • 文章来源

    类型: 期刊论文

    作者: 黄海猛

    关键词: 杂质不完全电离,掺杂

    来源: 大学物理 2019年08期

    年度: 2019

    分类: 基础科学,社会科学Ⅱ辑

    专业: 物理学,高等教育

    单位: 电子科技大学电子科学与工程学院

    基金: 国家自然科学基金青年基金项目(51607026),中央高校基本科研业务费(ZYGX2016J048)资助

    分类号: O47-4;G642

    DOI: 10.16854/j.cnki.1000-0712.190016

    页码: 21-25

    总页数: 5

    文件大小: 504K

    下载量: 64

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