论文摘要
以氧化钼（MoO3）、硫（S）和氯化铌（NbCl5）作为前驱体,利用一锅两步化学气相沉积法,在SiO2基底上大面积地生长连续性好、均匀负载的Nb-MoS2薄膜结构。通过扫描电子显微镜（SEM）和原子力显微镜（AFM）表征可知薄层具有较好的连续性,同时使用拉曼光谱（Raman）、光致发光光谱（PL）和X射线光电子能谱（XPS）证实了掺杂后薄膜内部出现高达90 meV的蓝移现象。将薄膜制成场效应管（FET）,并对其电学性能进行测试得出,场效应迁移率为1.22 cm2·V-1·s-1,电流开关比为105,并证实了当Nb掺杂入MoS2薄膜后使得薄膜整体阻抗大幅降低,整体阻抗降低到66.67 kΩ,比未掺杂Nb的MoS2薄膜降低了约40%。本工艺操作简单、成本低、重现率高,为制备高质量、大面积过渡金属掺杂的MoS2薄膜光电学器件提供了新的途径。
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 孙钰琨,白波,马美玲,王洪伦,索有瑞,谢黎明,柴禛
关键词: 二维薄膜材料,过渡金属硫化物,化学气相沉积法,拉曼光谱,光致发光光谱,场效应晶体管
来源: 材料导报 2019年12期
年度: 2019
分类: 工程科技Ⅰ辑,工程科技Ⅱ辑
专业: 材料科学,工业通用技术及设备
单位: 长安大学旱区地下水文与生态效应教育部重点实验室,中科院西北高原生物研究所,国家纳米科学中心中国科学院纳米标准与检测重点实验室
基金: 国家自然科学基金(21176031),中央高校基本科研项目(591310829172201,310829172202,310829175001,310829165027)~~
分类号: TB383.2
页码: 1975-1982
总页数: 8
文件大小: 5767K
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