论文摘要
高压As-MOS管用硅外延材料制备工艺的难点在于重掺砷（As）衬底外延的自掺杂和固态外扩散严重,外延电阻率和过渡区不易控制。在多片式外延炉生产时又会因重掺砷衬底之间相互影响,导致相同工艺条件下外延电阻率因片数不同而存在较大差异。本文对不同外延厚度和电阻率产品的片间掺杂效应进行量化分析,确定了不同规格产品的影响幅度,其中高阻薄层产品受影响最大。此外依据自掺杂的产生机理及固体扩散理论,通过二步外延法工艺,有效降低了片间掺杂效应的影响,消除了多片炉生产时因片数不同而产生的参数差异。
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文章来源
类型: 期刊论文
作者: 李国鹏,马梦杰,金龙,王银海,邓雪华,杨帆
关键词: 硅外延,高阻薄层,片间掺杂效应,电阻率
来源: 化工时刊 2019年12期
年度: 2019
分类: 工程科技Ⅰ辑,信息科技
专业: 无线电电子学
单位: 南京国盛电子有限公司
分类号: TN304.054
DOI: 10.16597/j.cnki.issn.1002-154x.2019.12.005
页码: 17-19
总页数: 3
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