导读:本文包含了辐照效应论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:效应,电子束,薄膜,硅酸盐,材料,损伤,电路。
辐照效应论文文献综述
张振闯,周海山,秦经刚,罗广南[1]（2019）在《核聚变用超导材料辐照效应的研究进展》一文中研究指出超导是磁约束核聚变装置建立和发展的基础,其性能至关重要。在磁约束聚变堆中,超导磁体因其特殊的位置会受到粒子或射线的辐照。因此,研究人员一直在研究辐照后超导材料的性能变化。目前,Nb_3Sn、YBa_2Cu_3O_(7-δ)(YBCO)和Bi_2Sr_2CaCu_2O_(8+δ)(Bi-2212)是面向核聚变备选的几种超导材料。在辐照下,上述3种超导材料内部的缺陷密度会升高,以及产生碰撞级联、空位等缺陷。本文综述了这3种超导材料在不同辐照条件下的性能变化的研究进展,提出了这3种超导材料以后的研究方向。(本文来源于《材料热处理学报》期刊2019年11期）
彭海波,刘枫飞,孙梦利,张建东,杜鑫[2]（2019）在《硼硅酸盐玻璃离子辐照效应的研究》一文中研究指出玻璃固化是目前国际上广泛采用的处理高放废物的方式.硼硅酸盐玻璃作为固化体备选材料之一,其辐照效应引起了人们的重视.本工作利用不同种类重离子辐照硼硅酸盐玻璃来研究其辐照效应,利用飞行时间二次离子质谱、原子力显微镜和纳米压痕的方式测量辐照后样品的元素分布、体积改变以及硬度和模量的改变.研究发现,辐照后玻璃元素仍呈均匀分布,产生了3.5%的体积膨胀.硬度和模量都出现迅速降低随后饱和的趋势,其饱和硬度和模量分别下降了35.4%和18.7%.根据实验结果可以得出,离子辐照导致硼硅酸盐玻璃的宏观性质(硬度、模量等)显着改变.由此可知在α衰变条件下,硼硅酸盐玻璃的宏观性质也会显着改变.核能量沉积是造成硼硅酸盐玻璃性质改变的重要原因.衰变产生的α粒子和反冲核对硼硅酸盐玻璃性质改变都有贡献,且都不能忽略.可以用单能重离子辐照的方式,同时模拟反冲核与α粒子的辐照损伤.(本文来源于《中国科学:物理学 力学 天文学》期刊2019年11期）
张世影[3]（2019）在《深度学习在辐照效应下射频电路指纹识别与可靠性分析中的应用研究》一文中研究指出随着无线通信以及空间技术的发展,越来越多的电子设备或系统被送入太空执行军事或民用航天任务,但空间环境中充斥的大量射线和高能微粒会对工作在其中的电子元器件产生严重威胁,进而影响整个电子设备或系统的通信可靠性,这对空间电子侦察以及航天监测技术提出了新的更高要求,传统的非空间辐射环境中基于常规参数的电子元器件射频信号识别方法已不再适用,因此,本文提出基于深度学习技术的空间辐射环境中受辐照电子元器件(射频电路)指纹识别方法研究,根据辐照效应对电子元器件指纹特征的影响,对相同类型和批次电子元器件进行不同辐照剂量与退火特性下的分类识别,依据识别结果推断电子设备或系统服役年限,进而推测其服役周期的可靠性。论文的主要内容与成果如下:1、提出了基于残差网络及辐照效应的射频电路指纹识别算法。为验证网络层数与识别性能的关系,搭建了适合输入一维信号的不同层残差网络。实验结果表明18层网络的识别效果最好,对4个相同类型和批次不同辐照剂量的射频电路识别准确率达到了 83.92%,对接受100Krad辐照剂量的射频电路4个不同退火时间节点识别准确率达到了82.52%。2、基于成果1,继续探讨了不同输入维度的射频信号对于识别性能的影响。首先对4个相同类型和批次不同辐照剂量的射频信号进行时频变换,将一维时域信号变换为二维时频图像,并通过降维归一化提升模型训练效率。实验结果表明,二维图像包含了更多差异特征,模型识别准确率提高了0.45%,但由于时频变换需花费时间过长,在实际应用中,难以满足系统对实时性的要求。3、提出了基于卷积循环网络及辐照效应的射频电路指纹识别算法。该算法将残差网络与LSTM进行架构融合,设计了不同下采样策略的网络模型,将融合空间与时间两个维度的特征作为识别依据。实验结果表明,随下采样力度增大,模型识别准确率提高,当残差卷积层设置为12、卷积输出下采样为输入的1/16、卷积核增加至32且LSTM单元及其隐层神经元数均为128时,4类相同类型和批次且不同辐照剂量的射频电路识别准确率达到85.52%,对接受100Krad辐照剂量的射频电路4个不同退火时间节点识别准确率达到83.71%,识别结果证明了所提算法的有效性。(本文来源于《北京邮电大学》期刊2019-06-03）
杨翟平[4]（2019）在《Ni-Mn-Ga磁性形状记忆合金薄膜的质子辐照效应》一文中研究指出Ni-Mn-Ga磁性形状记忆合金可在外磁场作用下产生宏观可逆应变,并具有高的响应频率,作为新型智能驱动材料在航天器中具有广阔的应用前景。质子等带电粒子辐照是航天器材料与器件在轨服役期间性能衰减乃至失效的重要诱因。然而,目前并未对Ni-Mn-Ga合金空间带电粒子辐照效应进行过深入系统的研究。针对此问题,本文采用X射线衍射分析、透射电子显微观察、差示扫描量热分析、磁学特性测试、纳米压痕实验等系统研究了质子辐照对Ni-Mn-Ga薄膜微观组织结构、马氏体相变、磁学特性、力学性能和形状记忆效应的影响规律,揭示了Ni-Mn-Ga合金质子辐照效应的微观机理。研究发现,Ni-Mn-Ga薄膜经低能(120keV)和高能(1~3MeV)质子辐照后其微观组织结构发生明显变化。母相Ni-Mn-Ga薄膜经120keV质子辐照,当注量低于1×10~(15)p/cm~2时,相结构不发生改变;增加注量至1×10~(16)p/cm~2时,薄膜局部区域发生辐照诱发马氏体相变,形成调制结构正交7M马氏体,变体间呈(202)(40)型孪晶关系。正电子湮没实验结果表明,辐照后薄膜中有空位型缺陷产生,随辐照注量增加,缺陷密度升高。7M马氏体Ni-Mn-Ga薄膜经120keV、2×10~(16)p/cm~2质子辐照后,薄膜中形成非调制NM马氏体;经3MeV、5×10~(15)p/cm~2质子辐照后发生马氏体变体再取向;增加注量至2×10~(16)p/cm~2,变体再取向继续发生,同时在局部区域形成NM马氏体;继续增大注量,NM马氏体体积分数增大,当注量为5×10~(16)p/cm~2时,薄膜中出现少量尺寸约30~120nm的非晶微区。马氏体态Ni-Mn-Ga薄膜经3MeV、5×10~(15)p/cm~2质子辐照后,呈现母相?7M马氏体一步相变;注量达到2×10~(16)p/cm~2时,薄膜呈现母相?7M马氏体和7M?NM马氏体两步相变。辐照态薄膜马氏体正逆相变温度随质子注量增加而升高。此外,马氏体态薄膜经120keV质子辐照,随质子注量增加居里温度呈线性降低;经3MeV、5×10~(15)p/cm~2质子辐照后,居里温度迅速下降,继续增加注量时居里温度基本保持不变。120keV质子辐照Ni-Mn-Ga薄膜后,马氏体的饱和磁化强度及磁晶各向异性常数先升高后降低;3MeV质子辐照后,马氏体的饱和磁化强度及磁晶各向异性常数呈线性降低。马氏体态Ni-Mn-Ga薄膜经3MeV质子辐照后,硬度升高、弹性模量和形状记忆效应下降。质子辐照对Ni-Mn-Ga薄膜性能的影响与质子辐照诱发的晶体缺陷密切相关。质子辐照在Ni-Mn-Ga薄膜中引入大量空位、位错等晶体缺陷,形成内应力场,诱发母相?7M马氏体和7M?NM马氏体相变。辐照诱发形成的低界面可动性NM马氏体以及辐照晶体缺陷对孪晶界面的钉扎作用,导致薄膜记忆效应衰减。质子辐照影响Ni-Mn-Ga薄膜饱和磁化强度的机制在于辐照诱导的空位型点缺陷与辐照诱发形成的7M马氏体相互竞争。注量低时,入射质子与晶格原子发生级联碰撞,形成大量Ga空位点缺陷,造成Mn和Ni原子有悬挂电子或未配对电子存在,Mn和Ni原子本征磁矩增大,饱和磁化强度升高;注量高时,辐照薄膜中形成大量低饱和磁化强度的再取向7M马氏体,两者的竞争作用导致薄膜饱和磁化强度随辐照注量增加先升高后降低。(本文来源于《哈尔滨工业大学》期刊2019-06-01）
王维[5]（2019）在《钙钛矿氧化物薄膜的微结构表征及电子束辐照效应的研究》一文中研究指出在强关联电子体系中,晶格,自旋,轨道和电荷之间的相互作用一直是人们关注的热点问题。二维薄膜材料的发展,实现了通过引入外界应力,化学掺杂等方式,调控这些微观的相互作用,使得材料的宏观性质不断得到优化。电子显微学作为一种研究物质微结构的有利方法,随着球差校正,色差校正技术的不断发展,原子级空间分辨率的微结构表征技术成为了一种不可替代的研究手段。本文将利用透射电子显微镜技术研究几种钙钛矿氧化物薄膜材料的晶体结构和电子结构。同时,关注电子束辐照效应对测试样品微结构带来的影响。本文主要包括以下部分:1.通过扫描透射电子显微镜(STEM)的方法观测薄膜样品(LaCoO_3/SrRuO_3多层膜)的缺陷结构。根据高角环形暗场像(HAADF),观测到了薄膜的界面以及其内部形成了多种不同的Ruddlesden-Popper(R.P.)型层错结构。按照层错的方向来分,可将其分为平行于界面的层错(即,水平层错)和垂直于界面的层错;从层错形成的位置来分,水平层错会出现在界面附近,也会出现在LCO层的内部;而垂直层错一般出现在SRO层内。这些层错的形成与多层膜生长的化学环境,薄膜应力和生长材料的热膨胀系数等因素相关。除此之外,根据层错中的原子排列特点,我们为每一种层错类型都提出了相应的3D原子结构模型,进而可以为薄膜的生长提供一些更为直观的观测结果。2.研究生长在SrTiO3衬底上的La_(1-x)Sr_xCoO_(3-)δ/La_(2/3)Sr_(1/3)MnO_3/La_(1-x)Sr_xCoO_(3-)δ(x=0.2,0.5)叁层膜的微结构,来进一步探究其易磁化轴在低温下发生转变的机制和易磁化能提高的原因。利用原子分辨率的STEM图像分析LSCO层对LSMO层提供的应力影响。研究结果显示,在LSCO层中存在横向和纵向的暗条纹,这些不同方向的暗条纹会为LSMO层提供不同的应力影响,导致LSMO层中MnO_6八面体的拉伸和压缩,从而使得Mn离子的3d轨道在室温下无序排布。通过低温和室温电子能量损失谱的前后对比,结合文献报道,低温下LSCO层中的晶面间距总体上发生收缩,这一变化会通过界面,为LSMO层提供更多的压应力影响,诱导LSMO层晶格畸变,使得MnO_6八面体沿着c轴拉长,3d电子更容易占据dz~2-r~2轨道。由于过渡金属中存在自旋-轨道耦合,从而为其自旋磁矩方向发生改变,薄膜样品中总磁矩沿着c轴方向,易磁化轴的方向指向面外。该研究从微观角度为易磁化轴在低温下发生转变提供了一定的实验证据。由于LSCO中不同的畴结构为LSMO提供了不同的应力影响,导致LSMO层的对称性降低,使其易磁化能提高。3.铜氧化物常常具有高温超导性,而Cu-O之间的相互作用诱导的晶格畸变与超导性的关联,一直受到广泛的关注。本文主要研究Tb_2Cu_(0.83)Pd_(0.17)O_4化合物中的非公度调制结构的本质。通过拍摄不同带轴的选区电子衍射图,我们发现调制结构是由于Cu离子沿着CuO_2平面的面外方向移动导致的,这种面外型移动的结构在R_2CuO_4(R=稀土金属)化合物中是一种新型的超结构。该样品在电子束辐照之下,通过调控电子束辐照剂量率的大小,发生可逆的,可重复的相变过程:近晶相-向列相-近晶相。通过一系列原位的TEM实验(加热实验,低温实验,低电压实验),可以判断电子束辐照分解效应是诱导相变主要的因素。根据实验观测的结果,我们推测调制结构形成的原因是由于Cu离子化合价态的有序分布导致的。4.溴化锰是用来制备有机-无机杂化钙钛矿材料的主要原料之一。了解其结构特性和化学稳定性对控制其性质具有重要的意义。在本文中我们主要关注溴化锰的耐辐照能力。在TEM中,用电子束辐照样品,原位实时地观测样品的变化过程。实验结果显示,暴露在空气中的溴化锰很容易吸收空气中的水分,其水合物在电子束的辐照下以及TEM铜网的催化作用下,会发生分解。(本文来源于《中国科学院大学(中国科学院物理研究所)》期刊2019-06-01）
胡培培[6]（2019）在《Ⅲ-Ⅴ族半导体材料及AlGaN/GaN HEMT器件辐照效应研究》一文中研究指出随着半导体技术的发展,芯片集成度越来越高,硅器件尺寸已逼近物理极限。同时,高集成度带来了新的问题,即微纳米器件在辐射环境下工作的长期可靠性,这些问题导致器件发展面临巨大的挑战。目前,随着航天事业的崛起,新型半导体材料广泛应用于卫星、空间站等航天领域。宇宙射线中的高能重离子,会引起宇航器件单粒子效应,还会在器件材料内部产生永久性的结构损伤,从而影响器件稳定性。因此,InP和GaN等Ⅲ-Ⅴ族半导体材料及器件快重离子辐照效应的研究对宇航器件的应用及抗辐射加固具有指导意义。本论文利用兰州重离子加速器提供的多种快重离子(Ar、Fe、Kr、Xe、Ta和Bi)辐照Ⅲ-Ⅴ族半导体InP及GaN晶体。辐照实验在真空和室温条件下进行,实验中通过增加不同厚度的降能片,改变入射离子的能量从而调节入射离子在材料中的电子能损,满足实验设计的需求。我们采用透射电子显微镜(TEM)和拉曼光谱(Raman)对辐照前后的样品进行表征,系统研究了快重离子辐照在两种材料中产生的缺陷及潜径迹的形貌和尺寸。采用Xe、Ta和Bi离子在真空条件下静态辐照AlGaN/GaN HEMT器件。利用半导体参数测试仪对辐照前后的器件进行电学参数测试,研究重离子辐照对器件电学性能的影响。利用聚焦离子束系统制备器件剖面样品,然后利用TEM观测器件不同区域潜径迹的形貌和尺寸,通过研究辐照产生的缺陷和潜径迹,探索器件结构损伤的根本原因。快重离子辐照引起InP晶体结构损伤。(a)Fe、Ar、Kr和Xe四种离子辐照后,拉曼谱中LO’模式被激发,根据InP晶体的能带结构判定LO’模式属于X点声子散射引起的二级拉曼散射,参与一级拉曼散射的声子不再局限于Γ点而是扩展到整个布里渊区,说明辐照引起晶体无序化,晶格畸变导致拉曼声子模式被修正。LO’模式与LO模式的强度比I_(LO’)/I_(LO)存在峰值且随辐照参数变化。辐照注量逐渐增大时晶体的无序化程度逐渐增大,I_(LO’)/I_(LO)增大;随辐照注量不断升高,出现退火效应,I_(LO’)/I_(LO)减小。(b)Bi离子辐照实验中发现TO模式受激发,I_(TO)/I_(LO)随着辐照注量的增大逐渐增大。TO模式受激发说明辐照引起晶体结晶度的改变,TEM实验结果验证了这一结论。因此,I_(TO)/I_(LO)比值能够定量描述晶体的结晶度。(c)Ta离子和Bi离子辐照在InP晶体中产生了潜径迹。随着电子能损不断增大,潜径迹的尺寸逐渐增大,连续性增强。电子能损的波动性以及Rayleigh不稳定性导致非连续径迹的形成。TEM和拉曼实验结果直接和间接的表明辐照导致InP晶体结构损伤。利用不同能量的Ar、Xe和Ta离子辐照GaN晶体,拉曼光谱的变化不明显。Fe离子辐照后在较高的注量下,不同频率的拉曼散射模式被激发,相关研究表明新模式的激发是由Ga原子或N原子相关缺陷态的作用引起的。此外,不同能量的Bi离子辐照后,晶体中产生压应力随辐照注量的增大逐渐增大,导致E_2(high)模式蓝移。拉曼实验结果表明在高电子能损、高注量等极端条件下,快重离子辐照同样会引起GaN材料晶体结构损伤。Xe、Ta和Bi离子在辐照后GaN晶体中发现了大小不同的潜径迹,潜径迹半径随电子能损的增大而增大。实验结果及理论分析得出结论,GaN晶体中潜径迹形成的电子能损阈值约为23 keV/nm。快重离子辐照引起AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)电学参数退化,器件材料结构损伤。测量转移特性曲线发现辐照后器件阈值电压正向漂移,饱和漏电流减小。输出特性曲线比较分析发现辐照后饱和漏电流大幅度降低,并且在高注量下器件性能失效,晶体管不导通,无外加偏压下有漏电现象。采用TCAD软件模拟离子辐照引起器件中电场分布的变化,发现离子入射3 ns后电场分布恢复到初始状态,说明辐照后器件电学参数的退化与电场分布的变化没有关系。我们利用聚焦离子束制备器件的剖面样品,在TEM下观察到异质结及缓冲层区域形成了潜径迹,径迹形貌和尺寸随入射深度变化而变化。通过实验和仿真结果综合分析得出结论,重离子辐照在器件材料中沿离子路径形成潜径迹,晶格结构被破坏,导致二维电子气(2DEG)面密度减小,迁移率下降,引起AlGaN/GaN HEMT器件阈值电压正向漂移,饱和漏电流急剧减小,最终导致器件电学性能退化,在这一过程中潜径迹起到至关重要的作用。(本文来源于《中国科学院大学(中国科学院近代物理研究所)》期刊2019-06-01）
谭海容[7]（2019）在《复杂条件下聚醚醚酮的辐照效应研究》一文中研究指出聚醚醚酮(Poly(ether-ether-ketone),PEEK)是一种芳香有机热塑性聚合物,具有高熔点、耐化学腐蚀、耐水解、耐摩擦和耐辐照等优异性能,被广泛运用于航天航空、电子信息、能源、机械、汽车等领域。在复杂辐照条件下,高能射线会引发PEEK裂解、交联及氧化反应,损害材料性能,降低装置及系统运行的可靠性,甚至缩短服役寿命。研究氧、热环境下PEEK的辐照效应,评估材料辐射老化对性能的影响,可以为预测PEEK部件的服役寿命提供科学依据。本论文通过ESR测试分析了空气和氧气条件下电子束辐照PEEK的自由基种类和浓度以及辐照样品高温热退火后的自由基演变。研究了电子束辐照下氧气含量、辐照温度、吸收剂量对辐照PEEK的化学结构、氧化程度、熔融行为、热稳定性、结晶结构等性能的影响。具体研究内容及结果如下:(1)将不同尺寸的PEEK粉末和薄膜分别在空气和氧气条件下进行电子束辐照,通过ESR分析了PEEK辐照后以及高温热退火后的自由基种类和浓度。研究发现,室温空气和氧气下辐照样品中主要有苯氧自由基和过氧自由基。自由基浓度随吸收剂量增加逐渐增加。氧气下辐照样品由于更多过氧化物的产生导致自由基浓度比空气下辐照样品更低。将辐照后的样品置于50-250oC进行热退火处理,并在冷却至室温后进行ESR测试。随着温度增加,空气条件下辐照样品的自由基浓度逐渐降低;氧气条件下辐照样品的自由基浓度先增加后降低。将辐照后的样品置于300oC热退火不同时间,并在冷却至室温后进行ESR测试。分析发现样品中主要有苯氧自由基,随着退火时间的延长苯氧自由基数量没有显着变化,氧气下辐照样品由于更多过氧化物的分解导致苯氧自由基浓度比空气下辐照样品更高。(2)通过FT-IR、XPS、DSC、TGA、XRD等表征手段详细研究了电子束辐照下氧气含量、辐照温度、吸收剂量对PEEK性能的影响。随着氧气含量、辐照温度、吸收剂量的增加,PEEK样品的氧化程度增加。反映在表征结果中羰基和芳醚键的红外吸收峰强度增加,样品中的O/C比例增加,样品的热稳定性、熔融温度和结晶温度的降低。但PEEK辐照前后XRD特征衍射峰的峰强度和峰位置并没有明显变化,说明辐照对样品的晶体结构没有较大影响。在500-4500kGy范围内,随吸收剂量的增加,PEEK薄膜表面氧化物增加造成接触角逐渐降低;而PEEK薄膜拉伸断裂应力和断裂伸长率先增后降,这是低剂量下PEEK辐照交联占主导作用,而随着吸收剂量的增加,辐照裂解逐渐占据主导作用的结果。(本文来源于《中国科学院大学(中国科学院上海应用物理研究所)》期刊2019-06-01）
赵彦[8]（2019）在《分子动力学模拟硼硅酸盐玻璃的组分效应和辐照效应》一文中研究指出近年来,核能产业发展迅速。硼硅酸盐玻璃(NBS玻璃)由于在核工业中具有重要的应用,因此受到了广泛关注与研究。一方面,NBS玻璃是一种重要的地质处置中用于高放废物固化的材料,是屏蔽放射性废物的第一道屏障,在长期的地质处置过程中不可避免地会受到放射性废物衰变产生的射线照射;另一方面,NBS玻璃也是惯性约束聚变(ICF)靶丸——空心玻璃微球(HGM)的主要成分,在聚变实验中既要向微球内充入氘氚等燃料气体,也要充入Ar气等惰性气体作为诊断气体用以诊断等离子体的密度温度等特性,粒子束辐照改性法是目前实验上应用较多的充气方法。基于NBS玻璃在地质处置中和ICF实验上的重要应用,本工作利用分子动力学(MD)模拟手段对NBS玻璃的组分效应和辐照效应开展了两方面的研究,希望从微观层面剖析NBS玻璃的性能机理,在一定程度上弥补实验手段的不足,并力求对实验工作有一定指导作用。1.NBS玻璃的组分效应研究在这一部分的工作中,采用MD模拟和实验手段分别对SNBS1-8系列未辐照的玻璃样品进行了机械性能分析测试,模拟结果和实验结果都显示玻璃的硬度和模量都随着钠硼比(R值)的上升而增加,实验和模拟结果符合一致。通过对玻璃微观结构的统计分析发现,玻璃体系中的[BO_3]向[BO_4]随R值增大线性转换,同时Si-O-Si结构增加而非桥氧基本保持不变,这反映玻璃体系的聚合度上升,因此我们认为玻璃的机械性能上升应该主要是由玻璃体系的聚合度上升导致的。对于组分效应的研究可以说明MD模拟在研究NBS玻璃的机械性能变化方面具有可行性,并且玻璃的机械性能受玻璃体系聚合度的影响较大。2.NBS玻璃的辐照效应研究这一部分研究的玻璃样品组分基于实验上所用的玻璃微球组分设计。将能量为1 keV的Au粒子采用外辐照的方式注入到玻璃体系内,随着辐照剂量的增加玻璃体系内产生的缺陷空穴越来越多,最终可以在里面产生明显的扩散通道,说明粒子束辐照可以提升玻璃微球的充气性能。将辐照后的玻璃体系在高温高压的条件下弛豫一段时间,发现辐照产生的缺陷损伤在一定程度上可以得到修复,扩散通道逐渐关闭,并且温度越高修复效应越显着。这对实验上靶丸充气具有指导作用:Ar原子可以通过辐照产生的微通道扩散进入到微球腔体内部,并且经过一段时间的热弛豫微通道关闭,最终实现了充气保气的目的;在不破坏靶丸结构的条件下,升高温度有利于辐照后微球的修复。(本文来源于《兰州大学》期刊2019-05-01）
李鹏伟,吕贺,张洪伟,孙明,刘凡[9]（2019）在《国产双极工艺线性电路低剂量率辐照效应评估方法》一文中研究指出国产双极工艺元器件应用于航天型号存在低剂量率辐射损伤增强效应风险,需要对其开展低剂量率辐照试验评估。在0.01 rad(Si)/s低剂量率辐照条件下,测试分析了不同工艺器件对不同偏置条件的敏感性差异;对比0.1 rad(Si)/s辐照试验结果,分析了器件的低剂量率辐射损伤增强效应特性,建立了辐射损伤增强因子和参数判据法相结合的评价标准;依据此标准讨论了各型号器件的低剂量率辐射增强敏感度以及抗电离总剂量辐射的能力。(本文来源于《航天器环境工程》期刊2019年02期）
高炜祺,刘虹宏[10]（2019）在《一种高压PMOS器件低剂量辐照效应分析》一文中研究指出对MOS器件总剂量辐照机理的研究,多从γ射线在SiO_2中产生电子-空穴对,以及γ射线作用在SiO_2-Si界面上产生新生界面态方面出发,分析γ射线对MOS器件的阈值影响,但很少分析γ射线对高压MOS器件漏源击穿电压的影响。文章针对低剂量γ射线对高压PMOS器件中漏源击穿电压的作用进行综合分析;重点研究了低剂量辐照情况下高压PMOS器件的漏源击穿电压特性相对于常规剂量辐照后的变化。研究表明:低剂量的γ射线会引起高压PMOS器件漏源发生严重漏电;高压PMOS器件版图设计不当时,长期的低剂量γ射线会引起高压CMOS集成电路发生功能失效的风险。(本文来源于《空间电子技术》期刊2019年02期）
辐照效应论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
玻璃固化是目前国际上广泛采用的处理高放废物的方式.硼硅酸盐玻璃作为固化体备选材料之一,其辐照效应引起了人们的重视.本工作利用不同种类重离子辐照硼硅酸盐玻璃来研究其辐照效应,利用飞行时间二次离子质谱、原子力显微镜和纳米压痕的方式测量辐照后样品的元素分布、体积改变以及硬度和模量的改变.研究发现,辐照后玻璃元素仍呈均匀分布,产生了3.5%的体积膨胀.硬度和模量都出现迅速降低随后饱和的趋势,其饱和硬度和模量分别下降了35.4%和18.7%.根据实验结果可以得出,离子辐照导致硼硅酸盐玻璃的宏观性质(硬度、模量等)显着改变.由此可知在α衰变条件下,硼硅酸盐玻璃的宏观性质也会显着改变.核能量沉积是造成硼硅酸盐玻璃性质改变的重要原因.衰变产生的α粒子和反冲核对硼硅酸盐玻璃性质改变都有贡献,且都不能忽略.可以用单能重离子辐照的方式,同时模拟反冲核与α粒子的辐照损伤.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
辐照效应论文参考文献
[1].张振闯,周海山,秦经刚,罗广南.核聚变用超导材料辐照效应的研究进展[J].材料热处理学报.2019
[2].彭海波,刘枫飞,孙梦利,张建东,杜鑫.硼硅酸盐玻璃离子辐照效应的研究[J].中国科学:物理学力学天文学.2019
[3].张世影.深度学习在辐照效应下射频电路指纹识别与可靠性分析中的应用研究[D].北京邮电大学.2019
[4].杨翟平.Ni-Mn-Ga磁性形状记忆合金薄膜的质子辐照效应[D].哈尔滨工业大学.2019
[5].王维.钙钛矿氧化物薄膜的微结构表征及电子束辐照效应的研究[D].中国科学院大学(中国科学院物理研究所).2019
[6].胡培培.Ⅲ-Ⅴ族半导体材料及AlGaN/GaNHEMT器件辐照效应研究[D].中国科学院大学(中国科学院近代物理研究所).2019
[7].谭海容.复杂条件下聚醚醚酮的辐照效应研究[D].中国科学院大学(中国科学院上海应用物理研究所).2019
[8].赵彦.分子动力学模拟硼硅酸盐玻璃的组分效应和辐照效应[D].兰州大学.2019
[9].李鹏伟,吕贺,张洪伟,孙明,刘凡.国产双极工艺线性电路低剂量率辐照效应评估方法[J].航天器环境工程.2019
[10].高炜祺,刘虹宏.一种高压PMOS器件低剂量辐照效应分析[J].空间电子技术.2019
论文知识图
