导读:本文包含了低能射线论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:低能,显微成像,金属靶材,X射线
低能射线论文文献综述
牛耕,赵伟霞,刘俊标,韩立,马玉田[1]（2019）在《低能X射线显微成像靶材的优化设计》一文中研究指出基于扫描电子显微镜(SEM)的X射线显微成像是利用SEM的微聚焦电子束轰击金属靶材产生的低能X射线对样品进行投影成像,可为低原子序数材料提供的一种无损检测手段。其中,靶材是影响着X射线成像质量的一个重要因素。本文利用蒙特卡罗方法模拟计算了靶材的材料和靶材与电子束作用面的倾角与探测器接收到的X射线强度的关系,仿真结果表明靶材作用面在与水平面倾角为60°时有最佳的X射线出射率;此外,在该倾角下的靶材产生的X射线强度分布均匀;实验结果也验证了这些结论。最后,使用不同材质的靶材对杨树叶样品进行成像实验,结果表明钨靶材具有较好的亮度和对比度,更适合X射线显微成像。(本文来源于《电子显微学报》期刊2019年04期）
王万俊[2]（2019）在《低能X射线硅吸收剂量测量方法》一文中研究指出随着我国载人航天器的研究进展和原子能开发技术的研究进展,对半导体元器件在复杂辐射环境中稳定工作提出了更高要求。准确测量X射线硅吸收剂量是研究元器件辐射效应和开展电子器件抗辐射加固技术的基础,由于直接测量硅材料的吸收剂量比较困难,本文通过借鉴医学上测量水吸收剂量的方法,获得低能连续X射线常用辐射质水吸收剂量,然后再结合Monte-Carlo方法运用Geant4仿生工具包构建水模体与硅模体模型,模拟计算硅与水的吸收剂量转换因子,我们只需要通过测得的水吸收剂量就能换算得到硅吸收剂量。本文的主要研究内容如下:(1)首先对所使用的X光机建立了满足测量要求的辐射质,其中,实验测量得到的40kV、50kV、60kV管电压X射线辐射质的第一半值层、第二半值层和同质系数与JJG912-2010标准对比,最大偏差不超过5%,这是符合要求的,测量X光机固有过滤为0.118mmAl,并没有超过ISO-4037标准规定的3.5mmAl,另外分别得到了40kV、50kV、60kV管电压所对应的有效能量分别为19.805keV、24.059keV、31.391keV。(2)通过介绍DIN 6809-4标准、IAEA TRS277规程和IAEA TRS398规程这叁种测量X射线水吸收剂量的标准方法,发现DIN 6809-4标准所采用的修正因子繁多,造成测量结果的不确定度高,因此采用基于照射量校准电离室或空气比释动能校准电离室的TRS277规程的方法测量计算低能X射线水吸收剂量,另外采用修正因子更加少的基于水吸收剂量校准因子校准电离室的TRS398规程测量计算低能X射线水吸收剂量。(3)通过SpekCalc程序模拟计算了40kV、50kV、60kV管电压时低能X射线的能谱分布,作为模拟X射线在水模体和硅模体中吸收剂量的基础,另外通过Geant4程序模拟计算了低能X射线硅和水的吸收剂量转换因子,即40kV、50kV、60kV管电压所对应的结果为6.2676、6.7020、6.9290与通过质能吸收系数方法得到的值进行比较,二者符合得很好,因此为测量低能X射线硅吸收剂量提供了一种新的方法。(本文来源于《新疆大学》期刊2019-05-19）
梁烨[3]（2019）在《低能正负电子致Pb和Bi的M壳层特征X射线产生截面的测量研究》一文中研究指出作为原子核物理领域的一项基础研究,低能正负电子致原子内壳层电离截面的实验测量在理论研究和实际应用上都具有重要意义。在理论研究上,可靠的低能正负电子致原子内壳层电离截面的实验数据可以帮助人们正确认识正负电子与物质之间的相互作用机制,人们基于不同的作用机制,提出了不同的理论模型,这些理论模型也需要可靠的实验数据进行检验;在实际应用上,正负电子致原子内壳层电离截面在完善核科学相关的软件数据库、材料科学、受控核聚变、放射医学治疗等许多领域有着广泛的应用。目前已发表的低能正负电子致原子内壳层电离截面数据比较缺乏,其中电子的数据多集中在K和L壳层,M壳层的实验数据很少,且不同作者对同一元素的截面测量结果有较为显着的差异;正电子的实验数据只限于少数几个元素的K、L壳层,而且已发表的文章在实验技术和数据处理上存在着不足,需要对已有的实验数据进行检验。本工作在实验技术和数据处理上对低能正负电子致原子内壳层电离截面测量进行了研究。在电子致原子内壳层电离截面测量实验中,使用了先进的扫描电子显微镜,用30 keV以下的电子碰撞薄膜薄碳衬Bi靶和薄膜厚碳衬Bi靶,并对薄膜厚衬靶的修正算法进行了检验,得到了 6-30keV电子致Bi的Lα和Mαβ特征X射线产生截面。在正电子致原子内壳层电离截面测量的厚靶实验中,采用了在线监测技术获得实时的入射正电子数,而他人工作中的入射正电子数是通过离线法粗略得到的;基于理论数值积分和蒙卡模拟相结合的方法,计算了正电子散射效应、轫致光子、湮灭光子及其它次级粒子对特征X射线产额贡献份额的修正算法,而他人工作中忽略了此部分贡献;鉴于本工作使用的X射线能谱仪无法将Mαβ峰分开,先用理论积分产额将实验Mαβ峰分开,再用正则化方法处理由修正后的产额算截面的逆问题;采用上述方法得到了 6.25—8.75 keV正电子致Pb、Bi的Mαβ特征X射线产生截面。将上述实验数据与近年来新发表的相对论扭曲波波恩近似(DWBA)理论预测值进行了比较,发现DWBA理论能很好描述6-30 keV电子致Bi的L和M壳层的电离过程,及6.25—8.75 keV正电子致Pb、6.75—8.75 keV正电子致Bi的M壳层的电离过程。本工作的实验数据中,正电子致Pb、Bi的Mαβ特征X射线产生截面是国际上首次测量的。(本文来源于《华北电力大学(北京)》期刊2019-03-01）
陈勇,崔苇苇,李炜,王娟,韩大炜[4]（2018）在《硬X射线调制望远镜卫星低能望远镜设计与验证》一文中研究指出低能望远镜是硬X射线调制望远镜(HXMT)卫星上重要的科学载荷之一。它主要包括3个低能探测器机箱和1个低能电控箱,探测器采用扫式电荷器件(SCD),同时拥有良好的能量分辨率和时间分辨率,抗堆积性能突出,适合强源的能谱和时变观测。结合解调方法,还可以进行扫描成像,胜任暂现源和暴发源的发现和观测任务。低能望远镜在轨运行结果表明:仪器各项性能正常,能够满足观测需求。(本文来源于《航天器工程》期刊2018年05期）
张绍刚,杜海燕,周振杰[5]（2018）在《低能X射线输出量的测算与质量保证》一文中研究指出本文利用平板型电离室及PMMA模体,应用参考限束筒,对治疗机50kV/70kV的X射线剂量率,剂量重复性、稳定性,积分剂量及积分剂量率线性,射野输出因数,深度剂量PDD与射野对称性进行了检测。检测频率每月4次,间隔为一周。结果表明:输出量的测算与其质量保证的检测是准确放疗不可或缺的基础与保障。(本文来源于《计量技术》期刊2018年06期）
祝宇轩[6]（2018）在《硬X射线调制望远镜低能望远镜能量响应矩阵及在轨能量标定》一文中研究指出“慧眼”卫星(硬X射线调制望远镜,Hard X-ray Modulation Telescope,简称Insight-HXMT)是我国科研工作者利用上世纪90年代由李惕碚和吴枚提出的直接解调方法自主研发的第一台空间X射线天文望远镜。低能X射线望远镜(Low Energy X-ray Telescope,简称LE)是“慧眼”卫星的有效载荷的重要组成之一。其选用半导体探测器CCD236,总有效面积为384cm~2,具有较高的时间响应和能量分辨,满足对低能X射线天体的光变和能谱研究的要求。对天体源能谱开展研究,首先需要获得探测器的能量响应,利用探测器的能量响应和实际观测能谱,依靠天文数据处理软件算法来得到天体源的实际发射能谱。一般产生能量响应矩阵主要有两种方法。第一种是利用蒙特卡罗模拟的方式,这种方法主要原理是在探测器响应能区内选取一些典型能量的光子进行能谱测量,然后根据能谱的拟合结果(包括能量-能道(Energy-Channel,简称E-C)关系、能量-能量分辨率关系)结合一些表征探测器性能的关系,通过蒙特卡罗模拟的方式获取探测器的能量响应。这种方法需要对探测器各项性能参数化作为蒙特卡罗方法的输入参量,其过程较为复杂,但是所得到的模拟结果更加精确。第二种方法为线性插值的方法,这种方法的主要原理是通过线性插值的方法,利用能谱相似但两个不同能量的单能入射光子在CCD236探测器中的能量响应,结合CCD236探测器的E-C关系插值得到这一能量区间内各种能量的光子的能量响应,这种方法简单有效,其拟合精度可用于后续能谱分析。本文主要介绍了基于线性插值产生CCD236探测器能量响应矩阵的方法。能量响应矩阵基于双晶体单色仪标定试验产生的能谱数据,其由“慧眼”卫星前期标定装置获得。该装置的主要组成部分包括:光源、束线、靶室和配套系统。其中光源使用X光机和双晶体单色仪,双晶体单色仪内含Si(111)和KAP晶体各一对。KAP晶体的能量范围为0.9-3.0 keV,Si(111)晶体的能量范围为3.0-30 keV。因此使用KAP晶体进行0.9-2.5 keV的能量响应实验,使用Si(111)晶体进行3-15keV的能量响应实验。在KAP晶体实验中选择的能量点有0.929 keV、1.5 keV、1.77keV、2.03 keV和3.0 keV。在Si(111)晶体实验中,在3.5-8 keV每0.5 keV进行一次单能实验,在8-12 keV每1 keV进行一次单能实验。由于CCD236探测器在不同温度下的性能不同,这里测试的工作温度是-70℃至-20℃每10℃进行一组实验,共6组。在“慧眼”卫星发射前完成了CCD236探测器的标定工作,从CCD236探测器的标定工作中得知CCD236探测器的E-C线性关系随温度等各项工作条件变化会改变。在轨数据处理中,能谱拟合出现了一些误差,我们认为卫星在轨的条件和地面试验条件不同,因此需要对探测器进行详细的在轨标定。在轨标定选用特定的天体源作为标定源。本文选用超新星遗迹CASSIOPEIA A(简称Cas A),其能谱结构具有多条离子态元素发射线,可用于能量标定。(本文来源于《吉林大学》期刊2018-04-01）
徐国庆,李永明,张宏俊,熊忠华[7]（2018）在《LaBr_3:Ce探测器对低能γ射线角响应研究》一文中研究指出建立以探测器前表面中心和探测器体心为参考原点的两种几何模型,研究了Saint-Gobain Brillan Ce380探测器对~(241)Am、~(133)Ba、~(137)Cs源γ射线在15 cm、25 cm、35 cm处由0~90°范围内入射能量沉积脉冲高度谱,通过源峰探测效率的差异表征角响应的变化。实验结果表明:该探测器对低能γ射线响应随入射角度的增大呈递减趋势,源峰探测效率最大变化约达30%,并随源距离的增加各向异性程度逐渐减弱。此结果可为LaBr_3:Ce探测器检测未知核材料及其剂量水平提供修正参考。(本文来源于《核电子学与探测技术》期刊2018年02期）
高润龙[8]（2018）在《基于外延式碳化硅探测器低能X射线能谱测量方法研究》一文中研究指出在惯性约束核聚变试验(ICF)中,激光与等离子体相互作用中相当大部分的激光能量被等离子体吸收后转为X射线辐射,通过诊断激光等离子体发射的X射线能谱可以研究激光与物质的相互作用、等离子体中原子物理过程及高温物质的特性等。本文的工作就是寻求一种满足对高强度脉冲软X射线能谱进行快速、准确测量需求的能谱测量方法。测量方法与解谱技术是软X射线能谱测量领域中的两个关键突破点,本文在深入研究国内外相关成果的基础上,提出了一种基于碳化硅半导体探测器的软X射线能谱测量方案。该方案采用的测量方法与传统方法的区别在于不采用独立分光元件,而是利用阵列式探测器同时实现分光作用与探测作用。阵列式探测器采用厚度各异的探头实现对待测X射线的吸收率阶梯式增加,该能谱测量方法也因这一特点命名为阶梯吸收法。本文采用Geant4蒙特卡罗软件为阶梯吸收法能谱测量系统建立了一套探测器响应函数模型,将复杂的反解能谱问题提炼为求解线性方程组的问题。由于方程组中探测器响应矩阵多为病态矩阵,仅从数学角度是不可解的,必须依靠物理问题本身的特性增加约束条件。本文根据响应函数特点设计了一种新型解谱算法—两步逆向迭代法。两步逆向迭代法由两部分组成,本质上属于迭代法范畴。根据两步逆向迭代法解谱步骤编写了 MATLAB解谱程序,并求解得到了叁种软X射线源的能谱分布,结果与原始能谱符合较好,证明了解谱方法的正确性和准确性。将两步逆向迭代法与GRAVEL方法对比,结果表明两步逆向迭代法在求解软X射线能谱方面具有更好的效果。(本文来源于《华北电力大学(北京)》期刊2018-03-01）
常纯卉,徐梦霞,吴英[9]（2017）在《硅漂移(SDD)X射线能谱仪低能端效率刻度的研究》一文中研究指出德国KETEK公司生产的VITUS H80型硅漂移X射线能谱仪因其高计数率、探测效率高、能量分辨率高等优点而广泛地用于低能γ和X射线的测量。由于低能区点源的自吸收效应比较严重,所以传统的标准放射源效率刻度方法很难准确对SDD低能区进行效率刻度。本文分别采用相对效率刻度法和理论模型计算法对硅漂移X射线谱仪低能区(>0.7 keV)进行效率刻度。相对效率刻度法为,通过测量19 keV电子束轰击纯厚碳靶得到实验韧致辐射谱,以及Monte Carlo程序PENELOPE模拟同样实验条件下得到理论韧致辐射谱,二者的比值即获取相对效率曲线,最后由~(241)Am和~(57)Co标准源发射的X射线全能峰的绝对探测效率值将相对效率曲线绝对化。理论模型计算法为,利用厂商提供SDD能谱仪的几何参数,采用理论模型计算公式得到SDD低能区的相对探测效率曲线,同样采用~(241)Am和~(57) Co标准源进行绝对化。本文中两种方法确定的绝对探测效率曲线较为一致。(本文来源于《中国核科学技术进展报告（第五卷）——中国核学会2017年学术年会论文集第9册（核情报分卷、核技术经济与管理现代化分卷、核电子学与核探测技术分卷）》期刊2017-10-16）
廖益传,徐对功,张鹏程[10]（2017）在《羧化丁腈基低能伽马射线防护柔性膜的辐照老化》一文中研究指出铅板、钢板、混凝土、玻璃、高分子板材等作为承重的结构材料广为应用,但某些场合需要使用防γ(Χ)辐射用柔性材料,比如放射环境下的操作人员需要使用防护服、防护手套等,需要开发可任意塑性的橡胶基辐射防护材料。含钨(W)材料可用于防护低能γ(Χ)射线,且对70~90 ke V的γ(Χ)射线的防护效果优于铅(Pb)。本文制备了羧化丁腈基(XNBR)柔性膜材料用于防护低能γ射线。显微观察表明WO3在XNBR中分散良好。衰减测试结果显示50wt.%WO3/XNBR对81.0 ke V的γ射线有较好的防护效果。测量了WO3/XNBR柔性膜经10 k Gy、50 k Gy、100 k Gy、200 k Gy、300 k Gy、400 k Gy、500 k Gyγ射线辐照后的拉伸强度、拉断伸长率和硬度,并据此预测了其在γ射线辐照环境下的使用寿命,简要探讨了辐照老化机理。WO3/XNBR膜能够满足对低能γ射线的柔性防护需求。(本文来源于《中国化学会2017全国高分子学术论文报告会摘要集——主题M：高分子共混与复合体系》期刊2017-10-10）
低能射线论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
随着我国载人航天器的研究进展和原子能开发技术的研究进展,对半导体元器件在复杂辐射环境中稳定工作提出了更高要求。准确测量X射线硅吸收剂量是研究元器件辐射效应和开展电子器件抗辐射加固技术的基础,由于直接测量硅材料的吸收剂量比较困难,本文通过借鉴医学上测量水吸收剂量的方法,获得低能连续X射线常用辐射质水吸收剂量,然后再结合Monte-Carlo方法运用Geant4仿生工具包构建水模体与硅模体模型,模拟计算硅与水的吸收剂量转换因子,我们只需要通过测得的水吸收剂量就能换算得到硅吸收剂量。本文的主要研究内容如下:(1)首先对所使用的X光机建立了满足测量要求的辐射质,其中,实验测量得到的40kV、50kV、60kV管电压X射线辐射质的第一半值层、第二半值层和同质系数与JJG912-2010标准对比,最大偏差不超过5%,这是符合要求的,测量X光机固有过滤为0.118mmAl,并没有超过ISO-4037标准规定的3.5mmAl,另外分别得到了40kV、50kV、60kV管电压所对应的有效能量分别为19.805keV、24.059keV、31.391keV。(2)通过介绍DIN 6809-4标准、IAEA TRS277规程和IAEA TRS398规程这叁种测量X射线水吸收剂量的标准方法,发现DIN 6809-4标准所采用的修正因子繁多,造成测量结果的不确定度高,因此采用基于照射量校准电离室或空气比释动能校准电离室的TRS277规程的方法测量计算低能X射线水吸收剂量,另外采用修正因子更加少的基于水吸收剂量校准因子校准电离室的TRS398规程测量计算低能X射线水吸收剂量。(3)通过SpekCalc程序模拟计算了40kV、50kV、60kV管电压时低能X射线的能谱分布,作为模拟X射线在水模体和硅模体中吸收剂量的基础,另外通过Geant4程序模拟计算了低能X射线硅和水的吸收剂量转换因子,即40kV、50kV、60kV管电压所对应的结果为6.2676、6.7020、6.9290与通过质能吸收系数方法得到的值进行比较,二者符合得很好,因此为测量低能X射线硅吸收剂量提供了一种新的方法。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
低能射线论文参考文献
[1].牛耕,赵伟霞,刘俊标,韩立,马玉田.低能X射线显微成像靶材的优化设计[J].电子显微学报.2019
[2].王万俊.低能X射线硅吸收剂量测量方法[D].新疆大学.2019
[3].梁烨.低能正负电子致Pb和Bi的M壳层特征X射线产生截面的测量研究[D].华北电力大学(北京).2019
[4].陈勇,崔苇苇,李炜,王娟,韩大炜.硬X射线调制望远镜卫星低能望远镜设计与验证[J].航天器工程.2018
[5].张绍刚,杜海燕,周振杰.低能X射线输出量的测算与质量保证[J].计量技术.2018
[6].祝宇轩.硬X射线调制望远镜低能望远镜能量响应矩阵及在轨能量标定[D].吉林大学.2018
[7].徐国庆,李永明,张宏俊,熊忠华.LaBr_3:Ce探测器对低能γ射线角响应研究[J].核电子学与探测技术.2018
[8].高润龙.基于外延式碳化硅探测器低能X射线能谱测量方法研究[D].华北电力大学(北京).2018
[9].常纯卉,徐梦霞,吴英.硅漂移(SDD)X射线能谱仪低能端效率刻度的研究[C].中国核科学技术进展报告（第五卷）——中国核学会2017年学术年会论文集第9册（核情报分卷、核技术经济与管理现代化分卷、核电子学与核探测技术分卷）.2017
[10].廖益传,徐对功,张鹏程.羧化丁腈基低能伽马射线防护柔性膜的辐照老化[C].中国化学会2017全国高分子学术论文报告会摘要集——主题M：高分子共混与复合体系.2017