导读:本文包含了自由载流子吸收论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译,主要关键词:载流子,自由,外延,特性,半导体,硫化锌,光学。
自由载流子吸收论文文献综述
王谦,刘卫国,巩蕾,王利国,李亚清[1](2018)在《双波长自由载流子吸收技术测量半导体载流子体寿命和表面复合速率》一文中研究指出提出了采用双波长自由载流子吸收技术同时测量半导体材料载流子体寿命和前表面复合速率的方法.通过数值模拟,定性分析了不同载流子体寿命和前表面复合速率对信号的影响,同时对测量参数的可接受范围和不确定度进行计算并与传统频率扫描自由载流子吸收方法测量结果进行比较.结果表明:提出的双波长自由载流子吸收方法可明显减小载流子体寿命和前表面复合速率的测量不确定度,提高参数测量精度;表面杂质和缺陷越多的样品,其前表面复合速率测量不确定度越小.进一步分析表明,此现象与不同波长激光抽运产生的过剩载流子浓度分布不同有关.(本文来源于《物理学报》期刊2018年21期)
张希仁,高椿明[2](2014)在《方波调制下自由载流子吸收测量半导体载流子输运参数的时域模型》一文中研究指出本文建立了用于测量半导体载流子输运特性(载流子寿命、载流子扩散系数和前表面复合速度)的方波调制下自由载流子吸收(free carrier absorption,FCA)检测技术的时域理论模型.通过数值模拟,分析了在不同调制频率下时域曲线的变化趋势以及各个载流子输运参数对时域曲线的影响.结果表明方波调制下的自由载流子吸收的时域信号对各个参数都用较高的灵敏度,且参数值的测量范围大于频域测量范围.(本文来源于《物理学报》期刊2014年13期)
魏薇[3](2014)在《ZnSe和ZnS双光子吸收诱导自由载流子吸收的光学非线性研究》一文中研究指出随着第一台激光器的问世,强光光源应运而生,光学实验也随之从线性光学拓展到非线性光学。由于半导体材料在光计算、光通讯与光存储方面具有广阔应用前景,因此深入研究半导体材料的光学非线性性质尤为重要。本论文以Ⅵ族Zn类半导体为研究对象,基于Z-scan技术在宽波段范围内对此类半导体材料的光学非线性特性进行了系统的探究。基于耦合波理论与半导体导价带理论,在理论上探索了半导体中双光子吸收诱导的自由载流子吸收。在宽波段范围内,进一步分析了双光子吸收系数和叁阶非线性折射率与激发波长之间的变化规律。此外,在特定波长处,通过数值模拟比较了不同带隙宽度半导体的双光子吸收系数和叁阶非线性折射率。最后,理论上推导了双光子吸收诱导的自由载流子吸收过程,并定性阐明了两者之间的关系。在理论方面,利用慢变振幅近似,根据光束传播方程与载流子速率方程,理论上推导了半导体在稳态与瞬态条件下的场分布解析解,并在此基础上分析了双光子吸收与自由载流子吸收之间的竞争关系。最后,在可见光波段内对ZnSe、ZnS多晶的两种吸收的竞争过程进行了系统的研究。通过数值模拟研究了双光子吸收和自由载流子吸收的能量与入射能量之间的关系,得到两种吸收机制分别占主导地位时的阈值能量。在实验方面,基于Z-scan技术在不同波长不同能量下对ZnSe、ZnS多晶的光学非线性进行了测量,结合数值拟合得到了有效双光子吸收和有效叁阶非线性折射系数。在纳秒条件下研究了在同一波长下,开孔谷值、闭孔峰谷值随能量的变化规律,主要分析了此时双光子吸收与自由载流子吸收之间的竞争。特别在580nm、600nm小能量下ZnS多晶的非线性折射系数为正,大能量下非线性折射系数为负,根据双光子吸收与自由载流子吸收的竞争机制中解释了出现这种现象的原因,进一步证明理论的自洽性。(本文来源于《哈尔滨工业大学》期刊2014-06-01)
刘军,罗章,陈亮,张显鹏[4](2012)在《自由载流子吸收损耗控制研究》一文中研究指出利用数值方法研究了SOI脊形光波导损耗问题,重点讨论了PIN结构对自由载流子损耗控制的影响情况。研究表明SOI脊形波导在引入PIN结构后,偏置电压、入射光强和本征区宽度是影响自由载流子吸收损耗的主要因素,通过调整PIN结所加偏置电压、入射光强和本征区宽度,可以实现对脊形波导自由载流子吸收损耗的控制。计算结果可为硅基光调制器和拉曼激光器的设计制备提供一定的参考依据。(本文来源于《光学与光电技术》期刊2012年03期)
李巍,李斌成[5](2009)在《半导体特性的调制自由载流子吸收变距频率扫描方法研究》一文中研究指出根据调制自由载流子吸收(modulatedfree carrier absorption,MFCA)检测技术的叁维理论模型,采用变间距频率扫描方式测量单晶硅样品的电子输运参数,进行了仿真与实验,对结果进行了分析;通过多参数拟合,获取了测试样品的载流子扩散系数、少数载流子寿命和前表面复合速度.仿真与实验都表明,变间距频率扫描结合多参数拟合,可以提高输运参数的测量精度.(本文来源于《物理学报》期刊2009年09期)
张希仁,李斌成,刘显明[6](2008)在《调制自由载流子吸收测量半导体载流子输运参数的叁维理论》一文中研究指出推导出用于测量半导体载流子输运特性(载流子寿命、载流子扩散系数和前表面复合速度)的调制自由载流子吸收(modulatedfree carrier absorption,MFCA)检测技术的叁维理论模型,给出了调制自由载流子吸收检测信号与调制频率和抽运-探测光相对距离的关系.定性分析了在不同调制频率时各个载流子输运参数对径向位置扫描曲线(信号与两束光相对距离的关系)的影响,结果表明调制自由载流子吸收检测信号对各个参数的灵敏度随抽运-探测光相对距离的增加而增加.仿真和实验结果表明,通过拟合不同调制频率时调制自由载流子吸收信号的径向位置扫描曲线能精确确定半导体材料的载流子输运特性.(本文来源于《物理学报》期刊2008年11期)
张希仁,李斌成[7](2006)在《自由载流子吸收测量半导体电子输运特性》一文中研究指出半导体的电子输运特性(载流子寿命τ,载流子扩散系数D,前后表面复合速度s1和s2)是评价半导体品质(表面缺陷、表面“陷阱”密度、结构、表面复合中心)的重要参数。如何准确测量这些参数一直是半导体制造业中一个十分重要的课题。调制自由载流子吸收(modulated free carrier absorption,MFCA)是作为一种纯光学的泵浦.探测方法,具有非接触非破坏性等特点而被用于测量半导体的这些参数。本文宽展了传统的MFCA检测方法,拓展后的MFCA不仅包含了频率信息也包含了载流子空间分布信息,因而能更为精确地确定半导体的电子输运特性。(本文来源于《中国光学学会2006年学术大会论文摘要集》期刊2006-09-01)
李标,褚君浩,石晓红,陈新强,曹菊英[8](1996)在《Hg1-_xCd_xTe外延薄膜的自由载流子吸收》一文中研究指出讨论了Hg1-xCdxTe外延薄膜的自由载流子吸收光谱,分析了外延层的纵向组分分布及Te沉淀物对吸收曲线的影响.结果表明,由于外延薄膜存在着纵向组分的不均匀性,其吸收特性与体材料有区别;对某些透过率较低的样品,则应考虑Te沉淀物对吸收的贡献(本文来源于《物理学报》期刊1996年09期)
马碧兰,邬建根,屈逢源,朱景兵,张继昌[9](1991)在《硅中载流子浓度的红外自由载流子吸收测定法》一文中研究指出硅材料和硅器件的许多性质和性能都与载流子浓度有直接依赖关系。测定硅中载流子浓度已发展有许多方法,如四探针法、霍耳系数法,C-V法、光致荧光法、杂质吸收法等等。1958年吴仲墀等人利用室温下10.6μm处自由载流子的吸收系数α测定硅中载流子浓度,作者则采用在500~3500cm~(-1)红外波段内测量的吸收系数α,得到了载流子浓度N。(本文来源于《稀有金属》期刊1991年06期)
A,E,BELYAEV,N,V[10](1991)在《窄禁带半导体的自由载流子吸收》一文中研究指出从理论和实验上研究了77K和300K温度下,本征型半导体InSb,Hg_(1-x)Cd_xTe,Hg_(1-x)Mn_xTe和高掺杂Hg_(1-x)Cd_xTe在2.5~50μm波段范围内的自由载流子吸收,结果表明:对于所研究的叁种本征型样品,均是极性光学声子散射起主要作用,对于InSb还应考虑声学声子和电离杂质散射。对有缺陷的Hg_(1-x)Mn_xTe样品,理论计算的自由载流子吸收系数与实验值不一致,表明存在附加的散射机制,对高掺杂Hg_(1-x)Cd_xTe的研究证实了这一假设。还讨论了非弹性电子-声子散射机制的起因,估算了特性参数。(本文来源于《红外与毫米波学报》期刊1991年04期)
自由载流子吸收论文开题报告
(1)论文研究背景及目的
此处内容要求:
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景,再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题,并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例:
本文建立了用于测量半导体载流子输运特性(载流子寿命、载流子扩散系数和前表面复合速度)的方波调制下自由载流子吸收(free carrier absorption,FCA)检测技术的时域理论模型.通过数值模拟,分析了在不同调制频率下时域曲线的变化趋势以及各个载流子输运参数对时域曲线的影响.结果表明方波调制下的自由载流子吸收的时域信号对各个参数都用较高的灵敏度,且参数值的测量范围大于频域测量范围.
(2)本文研究方法
调查法:该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法:用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法:通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法:通过调查文献来获得资料,从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法:依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法:对研究对象进行“质”的方面的研究,这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法:通过具体的数字,使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法:运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法:这是社会科学用来分析社会现象的一种方法,从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法:通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
自由载流子吸收论文参考文献
[1].王谦,刘卫国,巩蕾,王利国,李亚清.双波长自由载流子吸收技术测量半导体载流子体寿命和表面复合速率[J].物理学报.2018
[2].张希仁,高椿明.方波调制下自由载流子吸收测量半导体载流子输运参数的时域模型[J].物理学报.2014
[3].魏薇.ZnSe和ZnS双光子吸收诱导自由载流子吸收的光学非线性研究[D].哈尔滨工业大学.2014
[4].刘军,罗章,陈亮,张显鹏.自由载流子吸收损耗控制研究[J].光学与光电技术.2012
[5].李巍,李斌成.半导体特性的调制自由载流子吸收变距频率扫描方法研究[J].物理学报.2009
[6].张希仁,李斌成,刘显明.调制自由载流子吸收测量半导体载流子输运参数的叁维理论[J].物理学报.2008
[7].张希仁,李斌成.自由载流子吸收测量半导体电子输运特性[C].中国光学学会2006年学术大会论文摘要集.2006
[8].李标,褚君浩,石晓红,陈新强,曹菊英.Hg1-_xCd_xTe外延薄膜的自由载流子吸收[J].物理学报.1996
[9].马碧兰,邬建根,屈逢源,朱景兵,张继昌.硅中载流子浓度的红外自由载流子吸收测定法[J].稀有金属.1991
[10].A,E,BELYAEV,N,V.窄禁带半导体的自由载流子吸收[J].红外与毫米波学报.1991