论文摘要
针对半导体激光器腔面光学灾变损伤的发生机制,设计了一种单管芯半导体激光器腔面真空解理钝化工艺方法。在真空中解理并且直接对半导体激光器腔面蒸镀钝化膜,提出用ZnSe材料作为单管芯半导体激光器真空解理工艺的钝化膜材料,发现利用真空解理钝化工艺方法和ZnSe材料作为钝化膜可以使器件输出功率提高23%。通过电致发光(EL)对半导体激光器腔面损伤机理进行分析。进一步说明对915 nm半导体激光器制备工艺中引入真空解理钝化工艺技术并且选择ZnSe作为钝化膜可以有效保护半导体激光器腔面,提高器件可靠性。
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 王鑫,朱凌妮,赵懿昊,孔金霞,王翠鸾,熊聪,马骁宇,刘素平
关键词: 半导体激光器,腔面钝化,真空解理钝化,失效分析
来源: 红外与激光工程 2019年01期
年度: 2019
分类: 信息科技,基础科学
专业: 物理学,无线电电子学
单位: 中国科学院半导体研究所,中国科学院大学
基金: 国家自然科学基金(61306057)
分类号: TN248.4
页码: 77-81
总页数: 5
文件大小: 348K
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