915nm半导体激光器新型腔面钝化工艺

915nm半导体激光器新型腔面钝化工艺

论文摘要

针对半导体激光器腔面光学灾变损伤的发生机制,设计了一种单管芯半导体激光器腔面真空解理钝化工艺方法。在真空中解理并且直接对半导体激光器腔面蒸镀钝化膜,提出用ZnSe材料作为单管芯半导体激光器真空解理工艺的钝化膜材料,发现利用真空解理钝化工艺方法和ZnSe材料作为钝化膜可以使器件输出功率提高23%。通过电致发光(EL)对半导体激光器腔面损伤机理进行分析。进一步说明对915 nm半导体激光器制备工艺中引入真空解理钝化工艺技术并且选择ZnSe作为钝化膜可以有效保护半导体激光器腔面,提高器件可靠性。

论文目录

  • 0 引言
  • 1 外延片结构
  • 2 实验原理
  • 3 实验步骤
  • 4 实验结果及分析
  • 5 器件失效分析
  • 6 结论
  • 文章来源

    类型: 期刊论文

    作者: 王鑫,朱凌妮,赵懿昊,孔金霞,王翠鸾,熊聪,马骁宇,刘素平

    关键词: 半导体激光器,腔面钝化,真空解理钝化,失效分析

    来源: 红外与激光工程 2019年01期

    年度: 2019

    分类: 信息科技,基础科学

    专业: 物理学,无线电电子学

    单位: 中国科学院半导体研究所,中国科学院大学

    基金: 国家自然科学基金(61306057)

    分类号: TN248.4

    页码: 77-81

    总页数: 5

    文件大小: 348K

    下载量: 223

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