导读:本文包含了低相位噪声论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:相位,噪声,振荡器,混频器,频率,毫米波,分频器。
低相位噪声论文文献综述
王增双,高晓强[1]（2019）在《一款低相位噪声的可编程分频器》一文中研究指出设计了一款低相位噪声的可编程分频器,主要用于高鉴相频率的锁相环频率源中。电路设计采用2/3分频器级联结构,通过数选电路实现连续可变分频。从相位噪声产生机理、噪声来源及相位噪声与抖动的关系等方面分析影响分频器相位噪声的关键因素,通过工艺选择、电路设计和仿真分析来优化分频器的相位噪声。采用0.13μm SiGe BiCOMS工艺进行了设计仿真和流片,芯片面积为1.3 mm~2。测试结果表明:该分频器最高工作频率为20 GHz,电源电压为+3.3 V,最大电流为80 mA,可实现1～31连续分频,在输入6 GHz正弦波信号下20分频时的相位噪声为-145 dBc/Hz@1 kHz。(本文来源于《半导体技术》期刊2019年12期）
许奔,丁庆,王鑫,冯军正,吴光胜[2]（2019）在《一种低相位噪声压控振荡器的设计》一文中研究指出设计了一种低相位噪声的CMOS压控振荡器,采用互补差分对结构、开关偏置电流源和源极电容耦合技术,有效降低了压控振荡器的相位噪声。芯片采用标准0.18 um 1P6M RF CMOS工艺实现,电源电压为1.8 V。测得的输出频率范围是2.435～2.771 GHz,消耗电流为3.3 mA,当控制电压接地时,相位噪声分别为-94.55 dBc/Hz@10 kHz和-127.24 dBc/Hz@1 MHz,算得其FOMT为-188.32 dB。(本文来源于《通信技术》期刊2019年11期）
管媛辉,吴德胜[3]（2019）在《基于漏栅极反馈技术的低相位噪声VCO设计》一文中研究指出提出了一种新颖的嵌有阻抗变换模块(ITB),而不具有尾电流源的压控振荡器(VCO)。ITB的引入抑制了由有源器件引起的噪声退化问题,交叉耦合晶体管基本上工作于饱和状态,抑制了LC谐振回路品质因子的降低。而且,该结构相对于传统的VCO而言,具有更容易满足的起振条件,并且保持了低电压工作下的低噪声性能。基于0.18μm CMOS工艺对该VCO进行设计并流片实现,测试结果表明,所提出的VCO振荡频率为4.82 GHz～6.1 GHz,调谐范围为23.5%,相位噪声为-122.5 dBc/Hz@1 MHz～115.6 dBc/Hz@1 MHz,电路在1 V电压供电下,消耗了1.5 mW的功耗。(本文来源于《电子器件》期刊2019年04期）
梁博,童旭升,扈田[4]（2019）在《一种超低相位噪声频率源的设计与实现》一文中研究指出本文设计了一种具备超低相位噪声的双环锁相环频率源电路,相比于传统的单环电路,具备超低的相位噪声指标。经过理论分析和Matlab计算,分析影响锁相环相位噪声的主要因素。通过合理的电路布局设计双环锁相环电路的实物,测试结果表明,输出5GHz信号时,相位噪声为-111.7d Bc/Hz@1KHz、-123.9dBc/Hz@10KHz,输出6GHz信号时,相位噪声为-111dBc/Hz@1KHz、-124dBc/Hz@10KHz,满足指标要求。(本文来源于《2019年全国微波毫米波会议论文集（下册）》期刊2019-05-19）
张博[5]（2019）在《基于混频锁相技术的低相位噪声毫米波频率源》一文中研究指出随着毫米波元器件的发展,毫米波频率源在高频性能、工艺结构以及功率容量等方面均有较大的进展。于是对毫米波频率源的相位噪声要求也越来越高,目前,已经实现了高相噪的频率源的工程化;本文利用混频锁相技术来实现锁相源的高相位噪声以及低杂散,小体积。(本文来源于《2019年全国微波毫米波会议论文集（上册）》期刊2019-05-19）
储艳飞[6]（2019）在《高速低相位噪声激励源设计》一文中研究指出介绍了一种基于ADI频率合成芯片的激励源设计,采用48位的小数合成芯片,-227dBc的噪声基底的检波器,结合50MHz的鉴相频率,实现了频率覆盖300kHz～20GHz,1Hz的频率分辨率,-90dBc/Hz@10kHz相位噪声的同时,锁相速度控制在10μs以内,为高速低相位噪声激励源的研制打下基础。(本文来源于《2019年全国微波毫米波会议论文集（上册）》期刊2019-05-19）
朱玲,单奇星,胡成成,高海军[7]（2019）在《一种低相位噪声的CMOS毫米波压控振荡器》一文中研究指出基于65 nm CMOS工艺,设计了一种低相位噪声的压控振荡器。采用LC谐振回路,通过控制电压来改变电容的容值,达到振荡器输出频率可控的效果。仿真结果表明:在电源电压为1.2 V,控制电压在-3～3 V范围内变化时,振荡器的输出频率为139.4～149.3 GHz。振荡频率为140 GHz下,频偏1 MHz处的相位噪声为-91.83 dBc·Hz~(-1)。(本文来源于《杭州电子科技大学学报(自然科学版)》期刊2019年03期）
罗永刚[8]（2019）在《一种新颖的低功耗低相位噪声VCO设计》一文中研究指出作为收发器的重要模块,与其他收发器模块相比,压控振荡器(VCO)消耗了大量能源。由于许多射频应用系统采用电池作为能源,如WiFi、蓝牙及物联网等系统,因此,在保持合理的系统性能的前提下,需尽量降低功耗。该文研究了标准VCO结构的性能,并提出了一种新的CMOS VCO电路结构。与传统的CMOS VCO相比,该文提出的CMOS VCO只需较少的外部偏置电流便可产生更高的跨导,因而可以消耗更低的功耗。在1.8 V电压供电下,该文提出的VCO仅消耗了2.9 mW,取得了-124.3 dBc/Hz@1 MHz的相位噪声。(本文来源于《压电与声光》期刊2019年05期）
陈成[9]（2019）在《宽带低相位噪声压控振荡器的研究与设计》一文中研究指出电感电容压控振荡器被广泛应用于时钟生成器和频率合成器等电路中。随着通信系统的发展,对压控振荡器的带宽和近边带相位噪声性能提出了更高的要求。另一方面,电感电容压控振荡器通常使用片上螺旋电感,其具有品质因数较低、单位面积电感值较小和电感值不可调节等缺点。针对这些问题,本文研究了降低振荡器的幅度-相位调制(AM-PM)转换以降低近边带相位噪声和提高有源电感的品质因数的方法。本文对电感电容振荡器中交叉耦合管的尺寸对AM-PM转换的影响进行了量化分析,通过建立交叉耦合管的栅极-漏极寄生电容和漏极-衬底寄生电容的等效模型,推导出了AM-PM转换系数的表达式。结果表明,随着交叉耦合管尺寸的增大,压控振荡器的AM-PM转换系数会随之增大。因此在低相位噪声压控振荡器中,交叉耦合管的尺寸应该最小化以降低AM-PM转换。研究了电感电容振荡器中交叉耦合管的体效应对AM-PM转换的影响。结果表明,引入体效应可提高交叉耦合管的线性范围,增大振荡器的振荡幅度和谐振腔的品质因数,使漏极-衬底寄生电容工作在C-V曲线更加平滑的区域,从而减小了压控振荡器的AM-PM转换系数和降低了1/f~3区域的相位噪声,提高了1/f~3区域的品质因数FoM~(1/f~3)。基于含反馈电阻共源共栅接地有源电感电路,通过引入一个片上电容提高其品质因数。结果表明,引入片上电容增大了有源电感的等效电感和减小了串联等效电阻,从而提高了有源电感的品质因数。为了实现有源电感在整个电感值可调的范围内具有大的品质因数,进一步引入一个可变电容器,通过控制可变电容器的电容值实现有源电感品质因数的调节。最后设计了一个采用有源电感代替无源电感的压控振荡器,采用TSMC0.18-μm工艺,用Cadence Virtuoso软件对电路进行了版图设计,压控振荡器调谐范围为136%,在频偏为1 MHz处的相位噪声为-112.5 dBc/Hz。(本文来源于《华南理工大学》期刊2019-04-09）
庞博[10]（2019）在《宽带低相位噪声压控振荡器芯片设计》一文中研究指出近年来5G通信以及物联网系统引起的技术热潮推动了新的无线通信技术的研究与发展。随着通信标准的不断更新和提高,对于无线通信系统中的射频收发机的性能要求也日益增加。压控振荡器(VCO)是无线通信收发系统中的重要模块之一,它为无线收发机提供相位稳定的本振信号,参与信号调制和解调过程。它的相位噪声、调谐范围、压控增益等指标对无线通信收发系统的性能有着非常重要的影响。如何实现同时具备较宽调谐频带和较好相位噪声特点的单片集成压控振荡器,成为了近年来人们所关注的焦点。本文针对上述问题,系统学习了压控振荡器的原理和实现方法,调研了国内外宽带低相位噪声压控振荡器的研究现状,探究了宽调谐范围压控振荡器的设计方法。基于不同的芯片制造工艺,设计了两款宽调谐范围、低相位噪声的压控振荡器。本文针对窄带物联网(NB-IoT)的通信应用需求,设计了一款工作频率为2倍NB-IoT频段的L波段宽带低相位噪声压控振荡器。由于NB-IoT应用需要整个系统的总体功耗尽量低,所以选取了硅基55 nm CMOS LPe工艺进行低功耗设计。本设计为了拓宽压控振荡器的调谐带宽,引入了开关电容技术。出于优化相位噪声性能的考虑,采用了Class-C结构来提升压控振荡器在低功耗工作时的相位噪声表现;同时采取了变压器结构电感代替传统的差分电感,增加LC谐振回路的Q值来进一步优化相位噪声性能表现。本文针对飞机应用特殊需求,设计了一款调谐频带为10 GHz~20 GHz的低相位噪声压控振荡器。由于所设计的宽带压控振荡器工作频率较高,并且该设计对相位噪声和输出功率都具有较高要求,所以本设计考虑基于0.15μm GaAs工艺进行研究设计。本设计的要求中需要仅由一个外加调谐电压进行连续调谐控制,在综合比较片上可变电容与片外变容二极管的变容比和Q值之后,采取了片外高变容比、高Q值变容二极管,然后再通过多芯片组件技术(MCM)进行集成的方案进行设计,即将电感电容谐振回路的可变电容部分放在芯片外,采用片外高性能变容二极管,将电路的其他部分放在芯片上,然后通过倒装工艺将两者进行集成处理,再将所得到的集成芯片进行统一的封装。通过采用片外高变容比和高Q值的变容管实现了10 GHz的调谐带宽和-90 dBc/Hz@100kHz的相位噪声性能。(本文来源于《电子科技大学》期刊2019-04-01）
低相位噪声论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
设计了一种低相位噪声的CMOS压控振荡器,采用互补差分对结构、开关偏置电流源和源极电容耦合技术,有效降低了压控振荡器的相位噪声。芯片采用标准0.18 um 1P6M RF CMOS工艺实现,电源电压为1.8 V。测得的输出频率范围是2.435～2.771 GHz,消耗电流为3.3 mA,当控制电压接地时,相位噪声分别为-94.55 dBc/Hz@10 kHz和-127.24 dBc/Hz@1 MHz,算得其FOMT为-188.32 dB。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
低相位噪声论文参考文献
[1].王增双,高晓强.一款低相位噪声的可编程分频器[J].半导体技术.2019
[2].许奔,丁庆,王鑫,冯军正,吴光胜.一种低相位噪声压控振荡器的设计[J].通信技术.2019
[3].管媛辉,吴德胜.基于漏栅极反馈技术的低相位噪声VCO设计[J].电子器件.2019
[4].梁博,童旭升,扈田.一种超低相位噪声频率源的设计与实现[C].2019年全国微波毫米波会议论文集（下册）.2019
[5].张博.基于混频锁相技术的低相位噪声毫米波频率源[C].2019年全国微波毫米波会议论文集（上册）.2019
[6].储艳飞.高速低相位噪声激励源设计[C].2019年全国微波毫米波会议论文集（上册）.2019
[7].朱玲,单奇星,胡成成,高海军.一种低相位噪声的CMOS毫米波压控振荡器[J].杭州电子科技大学学报(自然科学版).2019
[8].罗永刚.一种新颖的低功耗低相位噪声VCO设计[J].压电与声光.2019
[9].陈成.宽带低相位噪声压控振荡器的研究与设计[D].华南理工大学.2019
[10].庞博.宽带低相位噪声压控振荡器芯片设计[D].电子科技大学.2019
论文知识图
