导读:本文包含了剥离工艺论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:工艺,柔性,纳米,采区,露天矿,芯片,酸腐。
剥离工艺论文文献综述
李海斌[1]（2019）在《倾斜煤层露天矿剥离工艺的选择》一文中研究指出针对倾斜煤层的特点,对比连续工艺、半连续工艺及间断工艺等的优缺点,着重分析了半连续工艺和间断工艺各自完成的剥离量;选择较经济的方案,提高了露天矿的经济效益。对丰富倾斜煤层露天矿剥离工艺的选择具有积极意义。(本文来源于《露天采矿技术》期刊2019年05期）
邓立伟,陈璐圆,陈新文,顾灵聪[2]（2019）在《可剥布剥离工艺性评价方法研究》一文中研究指出为了评价将可剥布从层压板表面剥离时的难易程度,针对47批次由不同可剥布和预浸料制备的复合材料层压板试样,根据胶粘剂浮辊剥离阻抗试验方法(ASTM D3167)开展浮辊剥离试验。通过回归分析发现,剥离强度均值和剥离强度峰值的均值、剥离强度谷值的均值、平均剥离振幅之间线性相关,相关系数R2分别为0.991、0.994和0.782。提出采用剥离强度均值、剥离强度峰值的均值或剥离强度谷值的均值为主要指标,平均剥离振幅为次要指标来评价可剥布剥离工艺性。根据剥离强度和剥离振幅不同,将可剥布剥离工艺性划分为5个等级,为可剥布选材提供依据。(本文来源于《失效分析与预防》期刊2019年03期）
周劳伯洋[3]（2019）在《柔性聚酰亚胺薄膜的高可靠激光剥离工艺研究》一文中研究指出聚酰亚胺(Polyimide,PI)由于其耐高温、热变形小、使用寿命长、生物兼容性强等优点,是柔性电子制造工艺中理想的柔性目标基板。为了解决将以PI为基底的超薄功能器件从源生基板大面积、高效率、无损伤地剥离与转移这一技术挑战,激光剥离工艺应运而生。目前,关于PI体系的激光剥离工艺研究尚不充分,为了增进对工艺的理解,增加工艺的可靠性以更好地指导实际应用,本文对激光剥离PI薄膜的阈值、机理、调控、监测四个重要环节进行了系统地研究,主要工作包括:(1)搭建了激光剥离工艺实验原型装备,并依托该实验装备对不同PI厚度和不同激光重复照射次数两种工况下PI薄膜能够被剥离的激光能量密度阈值进行了测定。测定结果表明激光剥离PI薄膜存在一个动态阈值,该阈值能量密度随PI厚度增大而升高,随激光重复照射次数增大而降低。(2)观测了PI-玻璃界面的微观形貌演化,发现PI脱离玻璃基板前界面会产生大量纳米柱状微连接。通过理论模型对激光辐照下界面温度场进行数值仿真,发现该微连接结构的尺度远超激光的热穿透深度。通过测试界面在激光照射后的残余粘附能与表面微观形貌,证实微连接结构的消失降低了界面粘附能并最终使PI脱离。以此为依据提出了激光剥离PI薄膜机理,激光烧蚀PI过程中的气体产物形成的极高气压顶起了薄膜并最终促使薄膜脱离。这一机理对动态阈值可以予以合理解释。(3)测定了激光剥离后的PI薄膜发生质量降级前激光能量密度和重复照射次数两个工艺参数的上限,发现较厚的薄膜相比较薄的薄膜具有更大的工艺窗口。通过对激光照射后薄膜鼓泡高度和轮廓的观测,发现两者工艺窗口区别的原因是较厚的薄膜具有更大的刚度,不易发生过量的塑性变形。据此分别提出了基于控制两个工艺参数和基于上层约束两种工艺调控策略,显着提升了超薄PI薄膜的剥离质量和剥离效率。(4)基于聚偏氟乙烯(PVDF)压电片实现了对激光剥离PI过程中气体冲击效应的实时监测,发现其与激光能量密度存在良好的线性关系,且上层约束能有效增强薄膜抵抗气体冲击的能力。基于电阻应变片实现了激光剥离PI过程中薄膜变形的实时监测,发现薄膜能够剥离的工艺参数下测试信号存在一个阶跃特征,为直观判断薄膜是否剥离提供了可能。两个实验得到的信号均呈现出显着的识别特征和良好的一致性,并对本文的诸多研究结果予以了有力佐证。(本文来源于《华中科技大学》期刊2019-05-01）
姚建华[4]（2018）在《拉斗铲倒堆剥离工艺采区转向研究》一文中研究指出针对黑岱沟露天煤矿已进入了采区转向的关键时期,在抛掷爆破-拉斗铲倒堆这种新工艺以及煤炭生产不间断的情况下,通过对连续留沟缓帮和连续扇形推进2种转向方式进行了分析和研究,为露天矿更加高效、合理地完成转向提供了理论基础。(本文来源于《露天采矿技术》期刊2018年03期）
朱晓辉[5]（2017）在《超薄芯片多顶针剥离工艺机理分析与优化》一文中研究指出芯片超薄化是集成电路(Integrated Circuit,IC)产业发展的必然趋势,然而超薄芯片的易碎、易弯曲等特性却给IC封装核心工艺之一—芯片剥离带来极大挑战,实现超薄芯片无损剥离具有重大意义。针对超薄芯片易碎、难剥离的突出问题,本文聚焦多顶针剥离工艺,分析其剥离工艺机理,对常规多顶针剥离工艺进行优化并验证。本文主要研究内容及创新之处包括:(1)建立了超薄芯片多顶针工艺仿真模型,介绍了仿真理论依据以及仿真方法。介绍了超薄芯片多顶针剥离工艺的工况,针对工况建立了有限元分析模型,采用有限元分析与虚拟裂纹闭合理论结合的仿真方法,为分析和提取超薄芯片剥离的重要影响因素以及工艺优化提供基础。(2)分析了多种工艺参数对超薄芯片多顶针剥离工艺的影响机理。首先介绍了界面剥离与芯片碎裂之间的竞争关系,重点分析了顶针间距、芯片尺寸、蓝膜材质和长度等多项关键参数对剥离过程的影响机理,分析了常规多顶针工艺的局限性,为超薄芯片多顶针剥离工艺优化提供指导。(3)提出并仿真验证了多顶针组合运动剥离工艺的设想,设计了工艺流程和装置结构。结合有限元仿真的研究成果,提出优化设想,并与常规多顶针剥离工艺进行对比分析,验证设想的可行性和优越性,详细设计其工艺动作流程,基于此,设计了一套优化的多顶针剥离装置,以实现超薄芯片的高效、高可靠剥离。(4)验证了超薄芯片多顶针组合剥离工艺的优越性。通过搭建多顶针剥离工艺实验平台,验证了常规多顶针工艺的部分仿真结论,针对优化后的多顶针剥离工艺进行实验,验证优化工艺可行性。综上所述,本文通过超薄芯片多顶针工艺机理的仿真研究,给出了针对超薄芯片多顶针优化工艺和装置机构方案,为超薄芯片高效、无损剥离的实现奠定基础。(本文来源于《华中科技大学》期刊2017-05-01）
黎敏,生海,曹建平[6]（2017）在《合金化镀锌板的电化学剥离工艺优化》一文中研究指出使用电化学方法对合金化镀锌(GA)板的镀层进行剥离,通过测量溶解过程的电位-时间曲线,研究了电解液组成、电流密度和电解液使用次数对各相溶解过程的影响,得到最佳工艺条件为:NaCl 250 g/L,ZnSO_4 50 g/L,电流密度0.3 mA/cm~2。上述电解液不能循环使用。在扫描电镜下能清晰地看到剥离后每个相的形貌,表明该法的剥离效果理想。(本文来源于《电镀与涂饰》期刊2017年07期）
高丹,佟丽英[7]（2016）在《SiO_2膜背封片边缘剥离工艺进展》一文中研究指出背封工艺是外延衬底材料制备的关键工艺之一,由于硅片背面边缘沉积的Si O2膜,在外延工艺中造成外延片边缘多晶颗粒沉积及应力集中,因此越来越多的外延厂家要求对背封片Si O2膜进行边缘剥离,主要介绍了几种边缘剥离的方法,并对其各自的特点进行了分析。(本文来源于《电子工艺技术》期刊2016年04期）
刘慧敏[8]（2016）在《柔性多层结构共形剥离工艺机理研究》一文中研究指出柔性电子转印(剥离与转移)是实现器件功能封装、产品包装必须要解决的核心工艺之一。卷到卷(Roll-to-roll, R2R)系统可以实现高效率、低成本的连续制造,能够与柔性薄膜结构兼容,是柔性电子的理想制造方式。因此,研究如何将R2R制造系统与柔性电子转印工艺集成,实现大面积柔性电子R2R批量制备,对于提高其生产效率、降低成本具有显着意义。本文以器件层-粘胶层-载带层柔性叁层结构为对象,研究基于R2R系统的辊筒共形剥离和R2R转移工艺,从力学建模、机理分析和工艺实验等方面开展系统研究。本文主要研究工作和创新之处包括：1)建立了器件层-粘胶层-载带层多层复合结构共形剥离工艺的力学模型,给出了曲面共形状态下中间粘胶层的正应力和剪应力的解析表达式,精确计算出多层结构中各层厚度对粘胶层能量释放率的贡献率,确定了器件可安全剥离的器件层和载带层厚度允许范围,为柔性电子器件的可共形剥离性提供判定准则。2)研究了器件层-粘胶层-载带层多层复合结构中材料组成和几何尺寸,结合共形剥离工艺机理模型揭示了材料属性、几何尺寸、剥离刀半径以及共形角等器件与刀具参数对共形剥离的影响规律,建立了器件断裂与剥离的竞争关系模型,计算出剥离刀的设计参数范围,设计了含有多个剥离半径的剥离刀,通过多层结构的剥离实验验证了剥离刀设计方法的正确性。3)研究了张力与速度对共形剥离过程的影响规律,提出了张力辅助的共形剥离方法,提高了剥离的成功率并给出了张力设定的工艺范围。建立了多层复合结构的黏弹性界面力学模型,并结合剥离实验所获界面断裂能与速度之间的关系,为选择合适的R2R工艺参数(张力与速度)提供理论方法,实现共形剥离与R2R系统的综合设计。4)研究了R2R转移过程界面残余应力的产生机制,提出了低界面残余应力的R2R转移工艺方法,综合考虑薄膜材料、结构、载带层张力和工艺温度等参数的影响,推导了R2R转移工艺过程中的应变失配模型,对材料属性和结构参数进行协同优化,通过R2R实验平台验证了降低柔性电子器件的界面残余应力的可行性。本文所研究的共形剥离与转移工艺理论与设计方法已经在实际柔性多层结构R2R复合系统中得到了试验验证,具有较好的应用效果。(本文来源于《华中科技大学》期刊2016-05-17）
徐佳[9]（2016）在《40纳米及以下节点DIO_3代替SPM药液在前段浅掺杂聚合物剥离工艺中应用的研究》一文中研究指出随着40纳米及以下集成电路工艺逐步走向成熟。传统集成电路制造工艺面临更多的挑战和更高的要求。其中湿法清洗工艺是整个集成电路工艺中必不可少的组成部分。由于对硅片颗粒杂质尺寸、硅片均匀性等要求越来越高,传统槽式清洗工艺已经被单枚清洗工艺所取代。但随之带来了工艺成本提高、环境污染加重等新的问题还需解决。本文主要研究40纳米及以下节点DIO_3代替SPM药液在前段浅掺杂(LDD)聚合物剥离工艺中的应用,旨在通过改变现有工艺药液,在不改变现有工艺集成和器件良率的前提下,有效降低工艺成本同时减少环境污染和安全隐患。本文首先从现有SPM聚合物剥离清洗工艺的使用现状出发,把它与DIO_3工艺进行比较,分析DIO_3工艺的优势与应用难点(硅损耗的控制)。之后对这两种聚合物剥离工艺的原理进行比较分析,并在考虑到现有资源的情况下确定了研究实施方案。最后通过大量实验确认了工艺条件并解决了硅损耗等问题,并且分析量化了硅损耗的过程,同时分析了实验中发现的一些现象并给出合理解释(包括在blanket wafer与full loop wafer中所存在硅损耗差异等)。最后对实验的硅片与现有SPM工艺条件下的硅片横向比较,通过TEM切片测试、缺陷扫描和WAT电性测试,得出DIO_3完全可以代替SPM在40纳米浅掺杂聚合物剥离清洗工艺中应用的结论。此外,通过28纳米工艺中切片比较实验,为DIO_3代替SPM在28纳米工艺中应用打下基础。(本文来源于《上海交通大学》期刊2016-05-01）
王倩怡[10]（2016）在《单层亚波长金属光栅的剥离工艺及性能分析》一文中研究指出随着微纳加工工艺不断发展,亚波长金属光栅的特征尺寸逐渐降低,其应用领域也随之从远红外光谱领域拓展到了近红外和可见光光谱领域。多方向金属纳米光栅阵列作为偏振器件和光电探测器等设备相结合,组成的偏振角度测试样机可以利用天空的偏振光方位角进行导航。现今,该导航方式已经成为一种新兴的导航方法,不易受干扰、无积累误差等优点使其成为国内外研究的热点。本文致力于采用先进的微纳加工工艺制作出可以用于偏振角度测量的多方向单层亚波长金属光栅阵列,并将其作为感光元件应用于课题组制作的导航传感器样机中进行相关的测试。本文首先利用等效布拉格腔体模型,讨论了TM偏振光和TE偏振光下亚波长金属光栅透射性能的异同。借助时域有限差分方法(FDTD),分析了介质层的添加对金属光栅透射性能的影响,研究了透射增强现象随光栅金属层高度和入射光波长增加的变化趋势。证明了TE偏振光与TM偏振光相同,均可以在亚波长范围内出现透射异常的现象,并且介质层的添加是TE偏振光通过亚波长金属光栅产生透射增强的主要原因。依据课题组对偏振器件的性能要求,设计了一种基于纳米压印工艺和剥离工艺的单层亚波长金属光栅的制作工艺流程。对各工艺步骤进行了详细地分析：讨论了基底清洗对旋涂工艺的影响；通过正交实验得到了合适的ICP刻蚀参数,用于获得侧壁垂直的剥离胶结构；提出了一种间隔超声方法,在提高了剥离工艺的效率的同时避免了长时间大功率超声对光栅结构的破坏。根据优化的工艺流程,本文在石英基底上制作了多方向的金属光栅阵列作为本课题组的偏振光导航传感器的感光元件。传感器样机的原始测角误差在士1.2。以内,经过多项式误差补偿后的测角误差在±0.45°以内。为了提高传感器样机的测角精度,从光栅加工流程角度讨论了提高其偏振性能的办法,提出了一种制作单层金属光栅的改进工艺,将金属光栅在绿光下的透射率从40%提高到70%。利用改进工艺制作出的多方向金属光栅经过传感器样机测试后,得到的测角原始误差在士0.7。以内,经过多项式误差补偿后均小于+0.25°(本文来源于《大连理工大学》期刊2016-05-01）
剥离工艺论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
为了评价将可剥布从层压板表面剥离时的难易程度,针对47批次由不同可剥布和预浸料制备的复合材料层压板试样,根据胶粘剂浮辊剥离阻抗试验方法(ASTM D3167)开展浮辊剥离试验。通过回归分析发现,剥离强度均值和剥离强度峰值的均值、剥离强度谷值的均值、平均剥离振幅之间线性相关,相关系数R2分别为0.991、0.994和0.782。提出采用剥离强度均值、剥离强度峰值的均值或剥离强度谷值的均值为主要指标,平均剥离振幅为次要指标来评价可剥布剥离工艺性。根据剥离强度和剥离振幅不同,将可剥布剥离工艺性划分为5个等级,为可剥布选材提供依据。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
剥离工艺论文参考文献
[1].李海斌.倾斜煤层露天矿剥离工艺的选择[J].露天采矿技术.2019
[2].邓立伟,陈璐圆,陈新文,顾灵聪.可剥布剥离工艺性评价方法研究[J].失效分析与预防.2019
[3].周劳伯洋.柔性聚酰亚胺薄膜的高可靠激光剥离工艺研究[D].华中科技大学.2019
[4].姚建华.拉斗铲倒堆剥离工艺采区转向研究[J].露天采矿技术.2018
[5].朱晓辉.超薄芯片多顶针剥离工艺机理分析与优化[D].华中科技大学.2017
[6].黎敏,生海,曹建平.合金化镀锌板的电化学剥离工艺优化[J].电镀与涂饰.2017
[7].高丹,佟丽英.SiO_2膜背封片边缘剥离工艺进展[J].电子工艺技术.2016
[8].刘慧敏.柔性多层结构共形剥离工艺机理研究[D].华中科技大学.2016
[9].徐佳.40纳米及以下节点DIO_3代替SPM药液在前段浅掺杂聚合物剥离工艺中应用的研究[D].上海交通大学.2016
[10].王倩怡.单层亚波长金属光栅的剥离工艺及性能分析[D].大连理工大学.2016
论文知识图
