导读:本文包含了深刻蚀论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:强场非对称离子迁移谱,MEMS技术
深刻蚀论文文献综述
汪小知,汪永欢,徐天白,李灵锋,李鹏[1]（2015）在《基于硅基深刻蚀的强场非对称离子迁移谱仪器的性能研究》一文中研究指出强场非对称离子迁移谱技术(FAIMS)是离子迁移谱技术的一个分支[1]。与飞行时间离子迁移谱技术不同,FAIMS利用在大气压下高电场的离子迁移率与电场的非线性关系,将飞行的离子置于施加了非对称射频场的平行板电极之中,实现不同离子在空间上的分离[2]。理论表明,射频电场越强,离子在空间上的区分将越大,从而实现分辨率的提高。利用MEMS技术,可以将平行板电极的间距降低到微米级别,施加100V的射频电压,既能实现超过50000V/cm的分离电场。我们通过高纵宽比的硅刻蚀技术和阳极键合技术,实现了以高掺杂单晶硅片为基础的FAIMS平行板电极。该结构的优点包括:1)刻蚀技术可以在缩小单一沟道间距的同时实现多平行板电极沟道[3],在200V的射频电压下,沟道内的电场可以达到70000V/cm,而多沟道使得离子的通过量并没有减少。2)硅片的厚度即为迁移区的长度,离子在迁移区的滞留时间极短,进一步保证其灵敏度,并实现超快速检测。对爆炸物[4]、二氧化硫[5]等物质的样品分析表明了该技术可以实现对实际样品直接进样的灵敏度达到PPT级别。然而,沟道宽度和长度的缩小,又造成了分辨能力的不足。为了提高分辨能力,我们尝试利用了高频方波电路、快速多维扫描和高气压分析。本文将综合介绍超快速FAIMS仪器的器件制造、方波电路、进样方式、大气电离源和特定应用等方面。不论是作为质谱前端的快速分离手段,还是作为单独使用的现场快速分析设备,FAIMS技术都有其独特的特点和优势(图1)。(本文来源于《中国化学会第二届全国质谱分析学术报告会会议摘要集》期刊2015-10-16）
喻平,邱晖晔,吴飞青,王卓远,喻明艳[2]（2015）在《一种基于深刻蚀的硅基周期波导微腔》一文中研究指出研究了一种基于深刻蚀的硅基周期波导一维光子晶体微腔,采用时域有限差分(FDTD)方法对设计的微腔结构进行了模拟分析;讨论了深刻蚀对微腔品质因数的影响,计算表明采用深刻蚀可有效地保持高Q值并能保证微腔的机械强度。采用电子束光刻(EBL)结合感应耦合等离子体(ICP)刻蚀制作了绝缘硅(SOI)的周期波导微腔,使用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对器件形貌进行表征,观察到深刻蚀的衬底二氧化硅高度约为80 nm。通过波导光栅耦合光纤输入宽带光源信号对微腔器件进行光学表征,传输光谱测试表明该深刻蚀微腔器件Q值达5×103,插入损耗小于-2 d B。该深刻蚀的硅基周期波导微腔可用于集成光传感器和片上波分复用滤波器等应用。(本文来源于《光学学报》期刊2015年08期）
刘方方,展明浩,许高斌,黄斌,管朋[3]（2015）在《ICP硅深刻蚀槽壁垂直度的研究》一文中研究指出电感耦合等离子体(ICP)刻蚀技术是体硅深加工的一项关键技术。介绍了ICP刻蚀技术的相关概念与方法,在对Si(100)进行大量深刻蚀实验的基础上,深入分析刻蚀∕钝化周期、极板功率、SF6/C4F8气体流量和腔室压力等主要工艺参数对刻蚀侧壁垂直度的影响。通过对ICP刻蚀的刻蚀∕钝化周期和极板功率参数进行正交实验,给出了通用槽宽分别为2,5和10μm时的优化工艺参数,成功实现了叁个垂直度达(90±0.02)°、高深宽比≥10、侧壁光滑的深槽结构。将优化后的工艺参数用于某陀螺仪的刻蚀实验,获得了理想的刻蚀形貌。(本文来源于《微纳电子技术》期刊2015年03期）
安鸿昌[4]（2015）在《深刻蚀亚波长菲涅尔波带片聚焦特性研究》一文中研究指出二元相位和振幅菲涅尔波带片(FZP)是一种重要的平面型光学元件,它通过衍射和干涉而不是通过折射实现聚焦和成像功能。波带片可以应用在纳米光刻、光谱学、近场和远场的光学显微以及光学天线等许多方面。相位型波带片的衍射效率比振幅型波带片高,因而在可见光范围内的共聚焦显微、高分辨率光刻等大量应用中相位型波带片更具有优势。本文提出了一个相位型厚菲涅尔波带片矢量衍射解析模型。在所提出的模型中,考虑了菲涅尔波带片表面的散射以及波带片区域体内的反射和折射效应,推导出在FZP出射光瞳平面的电场分布,在衍射空间的衍射场用矢量瑞利-索莫菲衍射理论计算。利用时域有限差分(FDTD)法检验了解析模型的正确性。结果显示,在有效的刻蚀深度范围内,所提出的模型计算结果和时域有限差分模拟结果很好一致。两种方法所预测的最优刻蚀深度基本相等。因此,该解析模型对设计一个高数值孔径、短焦距和高分辨率的相位型FZP非常有用。此外,用时域有限差分方法模拟了具有衬底薄膜的二元相位亚波长菲涅尔波带片的衍射特性与照明光入射方向的相关性。模拟结果显示,在有效的刻蚀深度范围内,FZP的远场聚焦光斑的强度和大小对光束是从FZP的衬底一侧入射还是从FZP的结构一侧入射不太敏感。但是,光从FZP的结构一侧入射时的焦长大于光从衬底一侧入射时的焦长。对于两个不同的入射方向,焦长都随着刻蚀深度的增加而减小。对于一些特定的刻蚀深度,例如,在计算的FZP中刻蚀深度为700nm时,光从FZP结构一侧入射可以获得大的焦深,同时,聚焦光斑的强度和光斑的分辨率的减小在可以接受的范围内。本文的模拟结果对于FZP在显微成像和光刻等一些应用中是有用的。(本文来源于《温州大学》期刊2015-03-01）
杜林,蒲石,史永贵,张进城,郝跃[5]（2015）在《深刻蚀方法对硅基SIWF通孔显微结构的影响》一文中研究指出硅基集成波导滤波器通孔的显微结构和阵列精度对硅基集成波导滤波器的电磁性能和可靠性至关重要.采用KOH溶液刻蚀、皮秒紫外激光刻蚀以及感应耦合等离子体刻蚀3种方法在晶向为[100]的高阻硅单晶衬底上加工了通孔阵列,并采用线宽测量仪和扫描电镜对通孔尺寸、阵列精度以及通孔侧壁的显微结构进行了表征,对比研究了不同深刻蚀方法对硅基集成波导滤波器通孔侧壁显微结构的影响.结果表明,采用感应耦合等离子体刻蚀方法得到的硅基集成波导滤波器通孔阵列的显微结构最佳,精度最高,且通孔侧壁的粗糙度最低.由此可见,在目前工艺设备和技术水平的情况下,感应耦合等离子体刻蚀是最适合加工高性能、高精度和高可靠性硅基集成波导滤波器通孔阵列的方法.(本文来源于《西安电子科技大学学报》期刊2015年04期）
喻兰芳,梁庭,熊继军,崔海波,刘雨涛[6]（2014）在《4H-SiC ICP深刻蚀工艺研究》一文中研究指出SiC是一种新型的半导体材料,由于化学性质十分稳定,目前还未发现有哪种酸或碱能在室温下对其起腐蚀作用,因此,在SiC的加工工艺中常采用干法刻蚀。采用GSE 200plus刻蚀机对SiC进行刻蚀,研究了刻蚀气体、源功率RF1、射频功率RF2及腔室压强对刻蚀结果的影响,并对产生的结果进行了相关分析。提出了一种SiC ICP深刻蚀方法,对SiC深刻蚀技术具有重要的指导意义。(本文来源于《传感器与微系统》期刊2014年10期）
王伟康,苑伟政,任森,邓进军,孙小东[7]（2014）在《Pyrex 7740玻璃深刻蚀掩模研究》一文中研究指出玻璃湿法深刻蚀掩模常采用低压化学气相沉积(LPCVD)多晶硅、Cr/Au金属层+光刻胶等,但往往会在玻璃中引入应力,影响后期应用(如阳极键合),而且Cr/Au金属层价格昂贵。为避免以上缺点,引入了SX AR—PC 5000/40保护胶+WBR2075干膜作为玻璃的刻蚀掩模,在HF︰NH4F,HF︰HCl,HF︰HCl︰NH4F刻蚀溶液中进行了大量实验。实验结果表明:SX AR—PC 5000/40抗腐蚀能力强,且成功实现了对Pyrex 7740玻璃131μm的深刻蚀。整个工艺过程与IC工艺兼容,可以进行圆片级批量加工。实验结果对圆片级封装和其他MEMS器件的制作有一定参考作用。(本文来源于《传感器与微系统》期刊2014年06期）
马睿,蔡长龙[8]（2013）在《硅深刻蚀技术中钝化工艺的研究》一文中研究指出穿透硅通孔技术是实现3D集成封装的关键技术之一,而交替复合深刻蚀技术是实现穿透硅通孔的重要方式。本文分别采用CF4、C4F8和O2研究交替复合深刻蚀中的钝化工艺,用X射线能谱测试仪分析了不同气体在硅表面产生的钝化薄膜,为硅深刻蚀技术的实现奠定了基础。(本文来源于《科技创新与应用》期刊2013年21期）
王寅[9]（2013）在《基于深刻蚀槽的InP多段耦合腔激光器的研究》一文中研究指出波分复用技术是提升现代光传输效率的一个重要手段,该技术的思想是将多个波长的光信号通过一路光纤进行传播,一次提高光纤传输的效率,因此光源是该技术中非常关键的部分。目前市场上所使用的固定波长光源主要是DFB激光器,波长可调谐激光器主要是DFB激光器阵列或者DBR激光器,这些现行技术的主要问题是都用到了二次外延、光栅等结构,对于制造工艺要求较高,而且大部分现行的波长可调谐激光器方案都无法实现单电极调谐波长,控制电路非常复杂,这些因素都会提高生产成本。针对这一问题我们提出深刻蚀槽耦合腔激光器的设计,该结构利用深刻蚀槽将多个FP腔耦合,利用游标效应实现单模输出以及波长调谐的效果。这一设计无需二次外延,依靠普通的半导体制造工艺就可以实现,可以大大降低制造成本。本文首先对深刻蚀槽耦合腔激光所涉及到的各个制造工艺步骤进行了优化,特别是对其中的干法刻蚀环节进行了细致的研究,包括刻蚀中的各种效应、把不同气体配方的选择与影响以及各种掩模刻蚀效果的对比,并针对深刻蚀槽结构的刻蚀配方进行了讨论和优化。我们对于深刻蚀槽耦合腔激光器的原理、设计和各个参数对于性能的影响进行了讨论,分别制造了固定波长和波长可调谐两种激光器,并对于其中关键的深刻蚀槽结构进行了详细的研究,证明这一结构对于腔内引入的损耗较小并且能够为腔内提供较大的反馈。固定波长深刻蚀槽耦合腔激光器显示了非常好的单模性能,并在线宽方面具有非常突出的优势(达到78kHz,是目前同类型半导体激光器中线宽最窄的报道结果),利用这一结构我们还展示了一个8X100GHz激光器阵列芯片。波长可调谐深刻蚀槽耦合腔激光器显示了非常好的调谐性能,通过载流子注入效应,我们可以实现单电极控制调谐得到所有的9个连续的100GHz的光通信信道,所有信道的边模抑制比都大于30dB,并且各信道输出功率均一,功率差小于1.6dB。最后我们讨论了深刻蚀槽耦合腔激光器的未来研究方向,我们相信这个激光器设计可以满足未来光通信的要求,作为波分复用以及相干通信方面的光源选择方案之一。(本文来源于《浙江大学》期刊2013-04-30）
聂磊,史铁林,陆向宁[10]（2010）在《硅各向同性深刻蚀中的多层掩模工艺》一文中研究指出掩模制备是硅各向同性刻蚀中的一项重要工艺。要实现深刻蚀,掩模必须满足结构致密、强度大及抗腐蚀性好的要求。一般光刻胶掩模无法在刻蚀液中较长时间地保持其掩蔽性能,很难实现深刻蚀;而金属掩模也容易出现针孔及裂纹等缺陷。因此提出使用Su-8负性光刻胶结合铬金属制备多层掩模。这种掩模结构制备工艺简单,经济实用;提高了掩模在高速刻蚀时的掩蔽性能,实现了深刻蚀。实验表明,其能满足300μm以上深刻蚀的要求,可用于硅及玻璃等材料的微加工。(本文来源于《半导体光电》期刊2010年04期）
深刻蚀论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
研究了一种基于深刻蚀的硅基周期波导一维光子晶体微腔,采用时域有限差分(FDTD)方法对设计的微腔结构进行了模拟分析;讨论了深刻蚀对微腔品质因数的影响,计算表明采用深刻蚀可有效地保持高Q值并能保证微腔的机械强度。采用电子束光刻(EBL)结合感应耦合等离子体(ICP)刻蚀制作了绝缘硅(SOI)的周期波导微腔,使用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对器件形貌进行表征,观察到深刻蚀的衬底二氧化硅高度约为80 nm。通过波导光栅耦合光纤输入宽带光源信号对微腔器件进行光学表征,传输光谱测试表明该深刻蚀微腔器件Q值达5×103,插入损耗小于-2 d B。该深刻蚀的硅基周期波导微腔可用于集成光传感器和片上波分复用滤波器等应用。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
深刻蚀论文参考文献
[1].汪小知,汪永欢,徐天白,李灵锋,李鹏.基于硅基深刻蚀的强场非对称离子迁移谱仪器的性能研究[C].中国化学会第二届全国质谱分析学术报告会会议摘要集.2015
[2].喻平,邱晖晔,吴飞青,王卓远,喻明艳.一种基于深刻蚀的硅基周期波导微腔[J].光学学报.2015
[3].刘方方,展明浩,许高斌,黄斌,管朋.ICP硅深刻蚀槽壁垂直度的研究[J].微纳电子技术.2015
[4].安鸿昌.深刻蚀亚波长菲涅尔波带片聚焦特性研究[D].温州大学.2015
[5].杜林,蒲石,史永贵,张进城,郝跃.深刻蚀方法对硅基SIWF通孔显微结构的影响[J].西安电子科技大学学报.2015
[6].喻兰芳,梁庭,熊继军,崔海波,刘雨涛.4H-SiCICP深刻蚀工艺研究[J].传感器与微系统.2014
[7].王伟康,苑伟政,任森,邓进军,孙小东.Pyrex7740玻璃深刻蚀掩模研究[J].传感器与微系统.2014
[8].马睿,蔡长龙.硅深刻蚀技术中钝化工艺的研究[J].科技创新与应用.2013
[9].王寅.基于深刻蚀槽的InP多段耦合腔激光器的研究[D].浙江大学.2013
[10].聂磊,史铁林,陆向宁.硅各向同性深刻蚀中的多层掩模工艺[J].半导体光电.2010
标签：强场非对称离子迁移谱; MEMS技术;