导读:本文包含了氧化铝陶瓷基片论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:氧化铝陶瓷,陶瓷,分散剂,氧化铝,表面,金属,粗糙度。
氧化铝陶瓷基片论文文献综述
宋福生,李月明,洪燕,谢志翔,沈宗洋[1]（2018）在《氧化铝粉体性能对流延法制备氧化铝陶瓷基片的影响研究》一文中研究指出采用流延法制备了96氧化铝陶瓷基片。研究了氧化铝粉体的粒度、粒度分布、微观形貌等粉体性能对氧化铝陶瓷基片的烧结性能、微观结构的影响。研究结果表明:粒径分布均匀且无明显团聚的氧化铝粉体有利于获得平整度高,表面光滑的高质量流延膜片,并具有较好的性能。(本文来源于《中国陶瓷》期刊2018年06期）
唐婕,霍艳丽,徐磊[2]（2016）在《跨越:从“技术短板”到“国内唯一”——中国建材总院建设高性能氧化铝陶瓷基片生产基地纪实》一文中研究指出随着现代宇航、通信、计算机数据处理、军事工程等电子系统朝着小型轻量化、高性能、高可靠性方向迅速发展,集成电路的使用范围日益扩大。除了应致力于大规模和超大规模集成电路芯片技术研究之外,另一重要方面就是大力发展高密度互联技术,其中用于高密度多层互连的大尺寸超薄陶瓷基片是技术实现的关键材料,需要满足极高的要求,即高面形精度,低表面粗糙度;良好的电绝缘性;较高的导热系数;良好的力学性能与高稳定性。而中国建材(本文来源于《中国建材科技》期刊2016年05期）
陈建新[3]（2016）在《氧化铝陶瓷基片研磨抛光工艺研究》一文中研究指出随着光电子技术和微电子技术的飞速发展,对能在严苛环境(温度高、湿度大、电强度大、辐射强度高)下工作的电子陶瓷的需求越来越迫切。氧化铝陶瓷作为电子陶瓷中的常用材料,具有耐高温、耐腐蚀、机械强度高、硬度大、电绝缘性能高与介电损耗低等特点,在机械电子、电子电力、生物医学、航天航空等方面有着广阔的应用前景,已经受到广泛的关注和研究。氧化铝陶瓷材料的制造技术主要包括两个部分：陶瓷基片的制备技术,陶瓷基片的分切和表面加工技术。这两部分对于基片的最后成形和使用都不可或缺,其中基片的表面加工技术是电子元器件生产的基础和保证。由于氧化铝陶瓷基片硬度高、脆性大、易产生裂纹,表面加工难度大,且加工后很难保证表面和亚表面的质量与完整性。而氧化铝陶瓷的表面加工不仅要求有高的尺寸精度和形状精度,表面粗糙度低以及良好的表面完整性,对氧化铝陶瓷基片的应用还要求基片表面无缺陷、无损伤与超光滑。因此,实现氧化铝陶瓷基片表面超光滑平坦化是基片衬底材料制备技术的关键和发展趋势。本文系统研究了加工参数对氧化铝陶瓷基片高效减薄和超光滑抛光的影响。利用单面研磨抛光设备和双面研磨抛光设备对氧化铝陶瓷基片进行了系统的试验研究,研究分析了加工方式、磨料种类、磨料粒度、研磨压力、研磨盘转速、研磨液流量、研磨液磨料浓度等参数对高效减薄加工效果的影响规律,优化了工艺参数。在相同的工艺参数条件下,对比研究了单面抛光和双面抛光两种加工方式对氧化铝陶瓷基片加工的抛光效率和表面粗糙度的影响。试验结果表明,单面研磨抛光加工方式能获得更高的材料去除效率和更好的表面加工质量。根据研磨加工原理,针对氧化铝陶瓷基片研磨后表面色泽变色的问题,通过EDS能谱对研磨前后的氧化铝陶瓷基片表面物质成分进行检测,分析了氧化铝陶瓷基片研磨后色泽变色的根本原因。通过研磨液添加防锈剂、提高材料去除率、采用不含铁元素研磨盘和修整环叁种方式对氧化铝陶瓷基片进行研磨加工,结果表明叁种方式均能够有效解决氧化铝陶瓷基片研磨后表面色泽变色的问题。(本文来源于《广东工业大学》期刊2016-06-01）
王珊[4]（2015）在《氧化铝陶瓷基片的金属化及共烧工艺研究》一文中研究指出陶瓷/金属复合材料具有良好的导电、导热性,耐高温性和较高的机械强度,在混合集成电路和真空电子器件中具有广泛的应用,但是金属与陶瓷的连接较为困难,因此,本文主要就氧化铝陶瓷的金属化工艺及其与金属化浆料的烧结匹配性进行了研究。本文通过流延法制备了氧化铝陶瓷基片,并确定了其制备的工艺参数;通过对金属化浆料的组成和性能以及丝网印刷工艺的研究,确定了金属钨浆料的最佳粘度值和丝网印刷的最优工艺条件;通过对陶瓷基片和钨金属粉的热分析,确定了优化脱脂制度和烧结最高温度,并对产品的性能进行测试分析。氧化铝陶瓷基片流延成型工艺中,浆料固含量为73-75wt%,粘度在1-1.5Pa·s之间,符合流延最佳粘度条件;流延温度控制在30±0.5℃范围内,储料槽中液位高度控制在20±2mm范围,制得的氧化铝生坯片表面平滑,无宏观缺陷。通过对钨金属浆料的性能和丝网印刷工艺参数的研究得:钨金属浆料固含量为80%时,粘度值为110Pa·s,符合丝网印刷要求的粘度范围100-300Pa·s;丝网印刷采用离网间距为1.75mm、刮刀角度为65°、刮刀歪度为20°的工艺,可以得到表面平整,边缘清晰,无空隙,厚度均匀的金属化层图案。通过对氧化铝陶瓷基片和钨金属粉的热分析,确定脱脂温度制度为:室温以1℃/min的升温速率至350℃,其中215℃和350℃各保温15min,再以1.7℃/min升温至600℃,600℃保温10min。脱脂气氛采用氮气保护的湿氢气气氛,避免金属钨被过度氧化。采用1550℃的烧结温度,氧化铝陶瓷和钨金属化层结合紧密,烧结致密,样品达到致密性要求。氧化铝基片烧结收缩率为16.5%,添加还原钨粉后,钨金属化层的烧结收缩率为13.8%,共烧后基本相匹配,无明显缺陷;实验测得试样的方阻小于0.05Ω/□,符合厚膜导体浆料导电性能的标准。(本文来源于《山东理工大学》期刊2015-04-01）
唐婕,霍艳丽,徐磊[5]（2015）在《跨越：从“技术短板”到“国内唯一”》一文中研究指出随着现代宇航、通信、计算机数据处理、军事工程等电子系统朝着小型轻量化、高性能、高可靠性方向迅速发展，集成电路的使用范围日益扩大。除了应致力于大规模和超大规模集成电路芯片技术研究之外，另一重要方面就是大力发展高密度互联技术，其中用于高密度多层互连的大尺寸超(本文来源于《中国建材报》期刊2015-02-11）
胡鸿奎,薄惠丰,张占新[6]（2014）在《不同分散剂对纳米氧化铝陶瓷基片力学性能、电性能的影响》一文中研究指出基于两种分散剂聚甲基丙烯酸钠(PMAA-Na)和聚甲基丙烯酸铵(PMAA-NH4)制得纳米级氧化铝陶瓷坯体和基片。针对其力学性能、电性能做了全面的测试研究。主要包括两种分散剂对坯体强度、坯体及基片显微结构、基片密度、基片的介电常数、介质损耗、绝缘强度等影响。通过测试,发现两种分散剂下制的基片,均满足高性能氧化铝陶瓷基片的性能要求。(本文来源于《中国陶瓷》期刊2014年12期）
[7]（2014）在《薄膜电路用大尺寸精密氧化铝陶瓷基片》一文中研究指出技术开发单位中国建筑材料科学研究总院技术简介该项目技术源自起爆器用高纯超精抛光氧化铝陶瓷基片。研究人员通过研发掌握了高纯氧化铝陶瓷基片的成型、致密、超精抛光等关键技术,研制的基片产品的材料性能、电性能、物理性能,以及光学性能优异,可应用于厚膜电路、薄膜电路基板,还可用作陶瓷覆铜板、半导体致冷器、臭氧发生器及电子陶瓷(本文来源于《军民两用技术与产品》期刊2014年16期）
蒋文娟,孟凡涛,潘光慎,王珊,单连聚[8]（2013）在《钨金属化氧化铝陶瓷基片的脱脂工艺研究》一文中研究指出采用热分析、显微分析、扫描电镜分析等方法对样品进行检测,研究了钨金属化氧化铝陶瓷基片的脱脂工艺,确定了合理的脱脂升温制度和脱脂气氛。结果表明,脱脂升温速率为1~2℃/min,并于215℃、350℃保温15min,脱脂后样品光滑平整,宏观无缺陷;湿氢气气氛下脱脂可以将有机成分完全排除,避免了出现碳残余、金属化层被氧化以及脱层等问题。(本文来源于《硅酸盐通报》期刊2013年11期）
张占新,胡鸿奎,薄惠丰[9]（2013）在《不同分散剂对氧化铝陶瓷基片加工工艺的影响》一文中研究指出研究了两种分散剂PMAA-NH4和PMAA-Na对浆料稳定性、流变性、固相含量、坯体强度和坯体显微结构的影响。结果表明:两种分散剂均能减少陶瓷浆料中的颗粒团聚,使颗粒分散更均匀,并制得了高性能氧化铝陶瓷基片。(本文来源于《热加工工艺》期刊2013年16期）
蒋文娟[10]（2013）在《SMD用氧化铝陶瓷基片的制备及金属化研究》一文中研究指出氧化铝陶瓷基片是电子信息产业的基础材料,具有机械强度高、绝缘性及热稳定性好等优良综合性能,广泛应用于表面贴装器件(SMD)封装中。本文的主要目的是研究SMD用氧化铝陶瓷基片的制备及金属化的工艺。本文综述了国内外氧化铝陶瓷基片的制备工艺及金属化的研究进展,着重研究了原料和各种添加剂以及流延工艺对生坯质量的影响,确定了添加剂的使用量和合理的流延工艺参数;通过对金属化浆料的粘度和粘附效果分析,确定了粘结剂系统;通过对氧化铝生瓷片、钨膜层和W粉的热分析,以及样品的SEM分析检测,确定了合理的脱脂工艺和烧结温度。在流延工艺中,使用比表面积小的氧化铝粉可以减少粘结剂等有机添加剂的使用量。通过比较分析:以乙醇和丁酮的恒沸混合溶剂作为分散介质,采用比表面积为6.51m2/g的氧化铝粉,加入1wt%的分散剂,0.5wt%的控流剂,6wt%的粘结剂,另外,加入与粘结剂比值为0.8的塑性剂,制备出了均匀稳定的流延浆料;在浆料固含量为73-75wt%、粘度为1.0-1.5Pa·s,浆料和流延温度各为26±0.5℃,储料槽液位高为20±2mm时,流延制备出了宏观无缺陷的生瓷膜片。通过分析确定金属化浆料的粘结剂为乙基纤维素(EC 50)与聚乙烯醇缩丁醛(PVB)复合体系的溶液,其中PVB/(EC50+PVB)为25%,粘结剂浓度为7%,金属化浆料粘度为300Pa·s,该浆料符合丝印要求。确定的脱脂工艺为:在湿氢气气氛(水浴温度30℃)下,室温至350℃,升温速率为1-1.5℃/min,在215℃和350℃各保温15min;350℃至600℃,升温速率为1.7℃/min,600℃保温10 min。最高烧结温度为1500℃,保温时间为1.5hr。氧化铝陶瓷基片和金属化层均烧结致密,二者结合牢固。(本文来源于《山东理工大学》期刊2013-04-01）
氧化铝陶瓷基片论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
随着现代宇航、通信、计算机数据处理、军事工程等电子系统朝着小型轻量化、高性能、高可靠性方向迅速发展,集成电路的使用范围日益扩大。除了应致力于大规模和超大规模集成电路芯片技术研究之外,另一重要方面就是大力发展高密度互联技术,其中用于高密度多层互连的大尺寸超薄陶瓷基片是技术实现的关键材料,需要满足极高的要求,即高面形精度,低表面粗糙度;良好的电绝缘性;较高的导热系数;良好的力学性能与高稳定性。而中国建材
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
氧化铝陶瓷基片论文参考文献
[1].宋福生,李月明,洪燕,谢志翔,沈宗洋.氧化铝粉体性能对流延法制备氧化铝陶瓷基片的影响研究[J].中国陶瓷.2018
[2].唐婕,霍艳丽,徐磊.跨越:从“技术短板”到“国内唯一”——中国建材总院建设高性能氧化铝陶瓷基片生产基地纪实[J].中国建材科技.2016
[3].陈建新.氧化铝陶瓷基片研磨抛光工艺研究[D].广东工业大学.2016
[4].王珊.氧化铝陶瓷基片的金属化及共烧工艺研究[D].山东理工大学.2015
[5].唐婕,霍艳丽,徐磊.跨越：从“技术短板”到“国内唯一”[N].中国建材报.2015
[6].胡鸿奎,薄惠丰,张占新.不同分散剂对纳米氧化铝陶瓷基片力学性能、电性能的影响[J].中国陶瓷.2014
[7]..薄膜电路用大尺寸精密氧化铝陶瓷基片[J].军民两用技术与产品.2014
[8].蒋文娟,孟凡涛,潘光慎,王珊,单连聚.钨金属化氧化铝陶瓷基片的脱脂工艺研究[J].硅酸盐通报.2013
[9].张占新,胡鸿奎,薄惠丰.不同分散剂对氧化铝陶瓷基片加工工艺的影响[J].热加工工艺.2013
[10].蒋文娟.SMD用氧化铝陶瓷基片的制备及金属化研究[D].山东理工大学.2013
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