In2O3纳米线阵列的合成及表征

In2O3纳米线阵列的合成及表征

论文摘要

采用SBA-15硬模板复制技术合成纳米In2O3样品,并用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外可见光谱对样品的晶体结构、晶粒尺寸、形貌及带隙宽度进行测试,分析样品的纳米结构对气敏性能的影响机制.结果表明:样品为纳米线阵列结构,三维In2O3纳米线阵列结构由粒径约为15nm的单晶近球形In2O3颗粒规则有序排列组成,间距约为1nm,带隙宽度为3.63eV;当温度为320℃,乙醇气体在空气中的体积比为10-4时,其灵敏度达42.3.该纳米结构样品明显优于相同级别纳米颗粒和纳米介孔材料的气敏性能.

论文目录

  • 1 实验
  •   1.1 样品制备
  •   1.2 测试及条件
  •   1.3 气敏元件制备及气敏性能测试
  • 2 结果与讨论
  •   2.1 X射线衍射分析
  •   2.2 扫描电子显微镜分析
  •   2.3 紫外可见光谱分析
  •   2.4 气敏性能测试分析
  •   2.5 纳米结构对气敏性能的影响
  • 文章来源

    类型: 期刊论文

    作者: 周玉意,宫杰,王新庆,李东升,李晓青

    关键词: 纳米线阵列,纳米结构有序度,介孔结构,气敏性能

    来源: 吉林大学学报(理学版) 2019年03期

    年度: 2019

    分类: 基础科学,工程科技Ⅰ辑,信息科技

    专业: 无机化工,材料科学,自动化技术

    单位: 中国计量大学计量测试工程学院,中国计量大学现代科技学院,中国计量大学材料科学与工程学院

    基金: 国家自然科学基金(批准号:51172220)

    分类号: TB383.1;TQ133.53;TP212

    DOI: 10.13413/j.cnki.jdxblxb.2018479

    页码: 673-678

    总页数: 6

    文件大小: 590K

    下载量: 74

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