导读:本文包含了雪崩光电二极管论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:增益,光子,模式,电压,离子束,引信,主动。
雪崩光电二极管论文文献综述
宋淑芳,王小菊,田震[1]（2019）在《HgCdTe雪崩光电二极管的研究进展》一文中研究指出碲镉汞红外雪崩光电二极管(APD)阵列作为最近十多年来发展起来的新型探测器,以其高增益、高灵敏度和高速探测的优点,成为未来微弱信号探测、二维/叁维成像、主/被动探测应用的重要器件。本文重点阐述了雪崩光电二极管的基本原理、以及HgCdTe雪崩光电二极管材料和器件的研究,结合应用方向对其研究进展进行了综述性介绍。(本文来源于《激光与红外》期刊2019年10期）
蒋毅,陈俊[2]（2019）在《基于异质结倍增层的InAlAsSb SACM雪崩光电二极管的优化》一文中研究指出使用低工作电压的雪崩光电二极管(APD)有利于提高集成电路的稳定性和降低功耗.文章建立了一个分离吸收、电荷、倍增(SACM)型的雪崩光电二极管的模型,为了在低偏压下获得高增益同时不降低工作电压范围,这个模型采用了具有高低禁带宽度的异质结倍增层.同时,文章研究了异质结倍增层的厚度和掺杂浓度对暗电流和增益的影响.通过对掺杂浓度的优化,击穿电压和穿通电压可以同时下降.(本文来源于《红外与毫米波学报》期刊2019年05期）
[3]（2019）在《英研究员研制出新一代雪崩光电二极管 可用于下一代信息传输》一文中研究指出英国卡迪夫大学复合半导体研究所(ICS)的一个研究小组最近研发出了一种速度超快且超敏感的雪崩光电二极管,相比传统的硅二极管,它的电子噪音更小,有希望成为未来高速数据通信的候选材料。雪崩二极管是一种利用光电效应将光转换为电的元件,根据研究人员的说法,超敏感雪(本文来源于《中国粉体工业》期刊2019年04期）
尹文,许金通,张惠鹰,李向阳[4]（2019）在《基于盖革模式雪崩光电二极管紫外计数系统》一文中研究指出针对工作在盖革模式下的硅基雪崩光电二极管(APD)进行了接收电路的设计,通过主动淬灭加快恢复的方式,对APD偏压进行调控,利用单稳态触发器使淬灭信号和恢复信号独立控制APD阳极的电压,从而同时控制淬灭时间和恢复时间,将死时间缩短至100.5ns,计数频率提升到10MHz,有效减少了后脉冲效应。采用脉冲甄别技术和单片机,对脉冲信号进行计数,通过对可见盲光子计数和暗计数的甄别,实现对微弱紫外信号的检测,为盖革模式下APD紫外通信奠定了基础。(本文来源于《半导体光电》期刊2019年04期）
张惠鹰,许金通,李向阳[5]（2019）在《盖革模式雪崩光电二极管的主动淬灭电路研究》一文中研究指出紫外光通信作为新型通信方式,在短距离通信领域具有潜在的应用前景。紫外光通信的探测电路可分为线性模式和盖革模式,盖革模式探测电路在系统带宽和探测灵敏度等方面具有显着优点。本文研究了基于盖革模式雪崩光电二极管(Avalanche Photodiode,APD)的单光子探测电路,实现对微弱紫外光信号的探测。采用主动淬灭快恢复电路,通过淬灭信号和恢复信号控制APD阳极电位,从而减小死时间,提高系统的计数上限。实验发现,对于主动淬灭电路而言,当死时间过小时,淬灭时间和恢复时间除了受到淬灭信号和恢复信号控制外,还会受到电路中电容充放电时间的影响。本文从理论和实验两方面研究了电路中电容和电阻对死时间的影响,为进一步缩短死时间提供了理论指导。(本文来源于《红外技术》期刊2019年05期）
李雄军,韩福忠,李立华,李东升,胡彦博[6]（2019）在《中波碲镉汞雪崩光电二极管的增益特性》一文中研究指出采用不同工艺制备了中波碲镉汞(Hg Cd Te)雪崩二极管(APD)器件,利用不同方法对其结特性和增益随偏压变化关系进行了表征,并基于Beck模型和肖克莱解析式进行了拟合分析.结果表明,不同工艺制备的APD器件饱和耗尽区宽度分别为1. 2μm和2. 5μm,较宽的耗尽层有效抑制了高反偏下器件的隧道电流,器件有效增益则从近100提高至1 000以上.用肖克莱解析式拟合Hg Cd Te APD器件增益-偏压曲线,获得了较好的效果.拟合结果与Sofradir公司的J. Rothman的报道相似.(本文来源于《红外与毫米波学报》期刊2019年02期）
李浩,林春,周松敏,王溪,孙权志[7]（2019）在《利用刻蚀工艺制备碲镉汞雪崩光电二极管》一文中研究指出碲镉汞雪崩光电二极管是第叁代红外焦平面探测器的主要发展方向之一.提出一种利用离子束刻蚀工艺制备碲镉汞雪崩光电二极管器件的方法,并研究了截止波长、耗尽区厚度与器件增益的关系.利用此方法制备截止波长4. 8μm的中波器件在17 V反向偏置下增益可达1 000.对器件进行了噪声频谱测试,计算了其过剩噪声因子.(本文来源于《红外与毫米波学报》期刊2019年02期）
段存高,姜毅,陆长平,康美玲[8]（2019）在《雪崩光电二极管偏压自动温度补偿电路设计》一文中研究指出针对雪崩光电二极管击穿电压随环境温度变化的工作特性,对雪崩光电二极管工作偏压温度补偿的原理进行了分析。提出了一种雪崩光电二极管偏压自动温度补偿电路设计方法。补偿电路包括温度传感器、运算放大电路和高压电源模块。温度传感器输出的温度信号经过运算放大电路的变换后,作为控制电压输入至高压电源模块,高压模块输出的雪崩光电二极管工作偏压改变,从而达到补偿雪崩光电二极管工作偏压的目的。试验表明,该电路可在-40℃～+60℃范围内对雪崩光电二极管的偏压进行精确地补偿。补偿电路具有电路简单、低功耗、实时性好、成本低等优点。(本文来源于《制导与引信》期刊2019年01期）
邢怀昌,许金通,李向阳[9]（2018）在《基于硅雪崩光电二极管的紫外盖革模式电路的研制》一文中研究指出本文旨在研制盖革模式电路并在两种紫外光照射下测试电路性能,为紫外通信提供数据参考。研制了适用于硅雪崩光电二极管(APD)的主动、被动两种盖革模式电路,设计并实现了输出可调至300.0 V的高稳定直流高压偏置电源,实测纹波电压小于20.4 m V,纹波系数小于6.8×10-5。分别在可见盲和日盲两种紫外光照下,测试了被动盖革模式APD的死时间、暗计数和光子计数,给出了被动盖革模式工作的较佳高压偏置范围;紫外光照下,被动盖革模式APD的电路输出脉冲的死时间为1.0?s。基于被动盖革模式电路测试的参数,研制了主动盖革模式电路,实验结果表明:主动盖革模式电路输出脉冲的死时间为102.0 ns,光子计数的上限由被动盖革模式的1.0 MHz提高到主动盖革模式的9.8MHz。因此主动盖革模式电路在数据传输时有更高的传输带宽,预计可满足一些图像传输或者视频通信的基本要求。(本文来源于《红外技术》期刊2018年10期）
喻敏,梁焰[10]（2018）在《基于InGaAs/InP雪崩光电二极管的高速光子数可分辨探测》一文中研究指出通过正弦门低通滤波方案,实现了基于InGaAs/InP雪崩光电二极管(APD)的高速单光子探测。同时,配合多通道集成技术,完成了四合一的GHz单光子探测阵列。最后,通过空间分束的方法,实现了GHz 4光子的高速光子数可分辨探测。通过和理论值比较,发现光子数分辨的误差最大仅为2.285%,达到了有效的分辨。研究多通道光子数可分辨技术,为激光测距、随机数生成器以及量子保密通信等诸多领域的快速发展提供了保障。(本文来源于《光学仪器》期刊2018年05期）
雪崩光电二极管论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
使用低工作电压的雪崩光电二极管(APD)有利于提高集成电路的稳定性和降低功耗.文章建立了一个分离吸收、电荷、倍增(SACM)型的雪崩光电二极管的模型,为了在低偏压下获得高增益同时不降低工作电压范围,这个模型采用了具有高低禁带宽度的异质结倍增层.同时,文章研究了异质结倍增层的厚度和掺杂浓度对暗电流和增益的影响.通过对掺杂浓度的优化,击穿电压和穿通电压可以同时下降.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
雪崩光电二极管论文参考文献
[1].宋淑芳,王小菊,田震.HgCdTe雪崩光电二极管的研究进展[J].激光与红外.2019
[2].蒋毅,陈俊.基于异质结倍增层的InAlAsSbSACM雪崩光电二极管的优化[J].红外与毫米波学报.2019
[3]..英研究员研制出新一代雪崩光电二极管可用于下一代信息传输[J].中国粉体工业.2019
[4].尹文,许金通,张惠鹰,李向阳.基于盖革模式雪崩光电二极管紫外计数系统[J].半导体光电.2019
[5].张惠鹰,许金通,李向阳.盖革模式雪崩光电二极管的主动淬灭电路研究[J].红外技术.2019
[6].李雄军,韩福忠,李立华,李东升,胡彦博.中波碲镉汞雪崩光电二极管的增益特性[J].红外与毫米波学报.2019
[7].李浩,林春,周松敏,王溪,孙权志.利用刻蚀工艺制备碲镉汞雪崩光电二极管[J].红外与毫米波学报.2019
[8].段存高,姜毅,陆长平,康美玲.雪崩光电二极管偏压自动温度补偿电路设计[J].制导与引信.2019
[9].邢怀昌,许金通,李向阳.基于硅雪崩光电二极管的紫外盖革模式电路的研制[J].红外技术.2018
[10].喻敏,梁焰.基于InGaAs/InP雪崩光电二极管的高速光子数可分辨探测[J].光学仪器.2018
论文知识图
