导读:本文包含了有机半导体论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:双极性传输,有机半导体,迁移率曲线,负斜率
有机半导体论文文献综述
庞虎生[1]（2019）在《有机半导体中本征双极性载流子传输和缺陷态的研究》一文中研究指出有机半导体中的载流子传输对有机器件的性能有着至关的影响。在传统的概念中,有机半导体通常被划分为空穴传输型(p型)和电子传输型(n型)材料。但是空穴在HOMO能级中传输,电子在LUMO能级中传输,所以这种简单的模型分析就能轻易的得到一个初步的理论结果:有机半导体中的载流子传输应该是本征双极性的。然后我们将五个广泛使用的传统“空穴传输材料”都分别制作成只传空穴型和只传电子型器件以探测这五个材料的空穴和电子迁移率。实验结果表明五个材料的空穴和电子迁移率都基本上在一个数量级,说明这些材料都是本征双极性传输。考虑到所使用的器件是简单的双电极结构,并且没有额外的电极修饰,所以我们的实验数据可以说真实的展现了有机半导体中的双极性传输特性。在双极性传输的实验中,我们还观察到了迁移率曲线对于空穴和电子传输有着不一样的斜率。通常这种特殊的现象都归因于缺陷态。然后我们测量了两个不同化学结构的有机材料,NPB和β-NPB的载流子迁移率以及他们的AFM图。结果表明,传统的缺陷态理论不能解释这种特殊的现象,因此我们课题组提出了一种新的双极性传输模型:HOMO和LUMO能量空间中存在着特殊的缺陷态,它们在电场的作用下有着不同的工作机制,因此导致了μ~E1/2曲线出现了正负不同斜率。为了验证这个双极性传输模型,我们进一步调查了有机半导体中特殊缺陷态的存在。几种电容法包括C-V、C-F和DLCP法在本次实验中用来探测无定型有机材料NPB的缺陷态,其中DLCP作为无机半导体中常用的方法首次应用到有机材料的研究之中。结果表明C-V和C-F法不能帮助我们获得NPB中任何缺陷态的线索,但是DLCP却可以帮助我们确定缺陷态的存在以及相关的参数,包括缺陷态密度、空间和能量的分布和缺陷态的谱密度。结果表明无定型有机材料NPB中的缺陷态是电子型缺陷态,并且位于LUMO能量空间中,这证实了我们提出的双极性传输模型的正确性。此外,缺陷态的起源也被确定了。这项研究给我们在有机半导体的电荷传输以及和缺陷态的关系方面提供了新的视角。(本文来源于《南京邮电大学》期刊2019-12-09）
王子昂,郭航,荣欣,董桂芳[2]（2019）在《有机半导体图案化成膜中的马兰戈尼与咖啡环效应协同作用》一文中研究指出有机场效应晶体管在柔性传感和显示驱动应用中展示出极大的潜力,但在大面积制备高性能有机薄膜及有机场效应晶体管方面仍面临大的挑战。本文介绍了一种利用等离子处理和马兰戈尼-咖啡环效应协同作用来图案化生长有机半导体薄膜的方法。经过对等离子体处理时间、混合溶剂的比例及溶液浓度等生长条件优化,在5 cm×5 cm的基片上得到了覆盖性较为完整的2,7-二辛基[1]苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩(C8-BTBT)薄膜阵列。基于此薄膜构筑了底栅顶接触晶体管阵列,器件的平均迁移率达到7.9 cm~2·V~(-1)·s~(-1),阈值电压均小于-2 V,开关电流比大于10~4。本工作对未来大面积制备高性能有机半导体薄膜及晶体管具有一定的借鉴意义。(本文来源于《物理化学学报》期刊2019年11期）
吴凯[3]（2019）在《马兰戈尼效应在有机半导体成膜中的应用》一文中研究指出1背景介绍以有机发光二极管、有机太阳能电池和有机场效应晶体管为主的有机半导体薄膜器件,因在便携、可穿戴电子器件领域有巨大的应用前景,而逐渐成为无机半导体器件的一个重要补充。溶液法生长有机半导体薄膜工艺更使有机半导体器件的低成本、可在柔性基底上大面积制备的优点得到体现,因而受到广泛关注。但是,溶液法制备工艺也存在着诸多不足,比如被称为"咖啡环"效应的溶剂自然挥发造成的薄(本文来源于《物理化学学报》期刊2019年11期）
赵天楚,魏延雨,刘经纬,祝旭宏[4]（2019）在《有机半导体材料光催化降解含油废水》一文中研究指出以有机半导体材料2,8-二(4′-二苯氨基)苯基-4,6-二苯基-1,9-蒽唑啉为光催化剂,对光催化降解汽油废水、柴油废水、焦化废水、芳烃废水4种不同性质的石油烃类废水进行了研究,发现其对4种不同的石油烃类废水具有很好的光催化降解效果,2 h除油率达到40%～55%,10 h除油率达到95%以上,COD_(Cr)(重铬酸盐指数)去除率达到61.35%以上,且汽油废水和柴油废水相对容易降解。不同pH值下的实验结果表明pH值在1.21～3.21光催化降解效果较好。对油质量浓度从10.2 mg/L到1 603.8 mg/L的柴油废水,10 h COD_(Cr)去除率均可达到70%～90%,若废水中的油含量过高,则需要稀释方可光催化降解。催化剂可以循环使用4次,除油率仍达到95%以上,COD_(Cr)去除率均达到90%以上。(本文来源于《炼油技术与工程》期刊2019年10期）
胡郁蓬,鲁广昊[5]（2019）在《有机半导体薄膜空间电荷分布对晶体管性能影响的研究进展》一文中研究指出有机场效应晶体管(OFETs)是下一代柔性电子产业的基础元件,具有可弯曲、透明、低成本、可溶液加工等优良特性,并逐渐开始应用于生物传感器、柔性显示等领域。然而,OFETs仍存在如工作电流小、跨导小、开关比低、空气稳定性差等问题,限制了其进一步的发展。OFETs器件的性能主要受到导电沟道中电荷和电流分布的影响,若能通过外加手段,调控沟道中的电荷和电流分布,可能获得具有更高性能或新机理的器件。本文结合课题组内的工作,对国内外该领域的最新进展进行综述和展望。(本文来源于《应用化学》期刊2019年08期）
单震[6]（2019）在《基于不同组合方式二硒吩的有机半导体材料的合成及其场效应性能研究》一文中研究指出硒吩衍生物由于分子间容易产生Se···Se相互作用而使固态下分子排列更加紧密有序,分子间电荷转移增强,有助于载流子的传输,并逐渐应用于有机光电材料领域。本论文以硒吩为起始原料,通过改变硒吩单元组合方式以及封端基团中烷基构型,设计合成了六种硒吩基有机半导体材料。通过真空沉积法和溶液法加工其薄膜,构筑底栅顶接触式有机场效应晶体管器件并表征其性能,以探究其结构与性能之间的关系。具体研究内容如下:1)六种硒吩基有机半导体材料的合成:以硒吩为起始原料,通过醛基化、金属催化碳氢活化、McMurry反应、溴代、TMS基团保护、溴迁移碘代、Sonogashira Coupling及硒粉关环等反应合成了叁种不同组合方式的二硒吩双醛基化衍生物,即:E-5,5'-(乙烯-1,2-叉基)二(硒吩-2-甲醛),2,2’-二硒吩-5,5’-二甲醛和硒吩[3,2-b]并硒吩-2,5-二甲醛。醛基化产物经Wittig反应合成了六种基于不同组合方式二硒吩的有机半导体材料,即:1,2-二(5-(4-辛基苯乙烯基)-硒吩)-2-乙烯(1,总产率:41.8%),5,5'-二(4-辛基苯乙烯基)-2,2'-二硒吩(2,总产率:39.7%),2,5-二(4-辛基苯乙烯基)-硒吩[3,2-b]并硒吩(3,总产率:23.0%),1,2-二(5-(4-(2-乙基己基)-苯乙烯基)-硒吩)-2-乙烯(4,总产率:24.3%),5,5'-二(4-(2-乙基己基)-苯乙烯基)-2,2'-二硒吩(5,总产率:30.5%),2,5-二(4-(2-乙基己基)-苯乙烯基)-硒吩[3,2-b]并硒吩(6,总产率:20.2%)。相应中间体及目标化合物均得到了相应的结构表征。2)六种硒吩基有机半导体材料的光物理特性、电化学行为及热稳定性研究:化合物桥接方式从双键到单键再到稠合,其最大吸收发生蓝移;根据溶液状态下起始吸收波长计算化合物的光学带隙E_g:2.40 eV(1,4),2.46 eV(2,5),2.67 eV(3,6),结果显示六种化合物具有较窄的光学带隙;化合物循环伏安行为研究表明,其HOMO能级分别为:-5.29,-5.51,-5.49,-5.14,-5.21和-5.12 eV。六种化合物有较好的热稳定性,热分解温度均在330 ~oC以上。3)真空沉积法化合物1,2,3的薄膜的制备及场效应晶体管性能研究:在SiO_2/Si、OTS-SiO_2/Si基底及不同基底温度下通过真空沉积法制备叁种化合物的薄膜,AFM和XRD表征结果显示叁种化合物均具有较好的结晶性,基底进行OTS修饰后,有利于薄膜的生长,提高薄膜的结晶性;化合物3在OTS修饰的基底上呈现出较强的π-π堆积模式,表现出较好的半导体材料性能。底栅顶接触构型的有机场效应晶体管器件表征结果显示:化合物1在基底温度为60 ~oC,OTS-SiO_2/Si基底上,迁移率高达0.02 cm~2V~-11 s~(-1);化合物2在基底温度为60 ~oC,OTS-SiO_2/Si基底上,迁移率高达0.11 cm~2 V~-11 s~(-1);化合物3在基底温度为25 ~oC,OTS-SiO_2/Si基底上,迁移率高达0.38 cm~2 V~-11 s~(-1)。两个硒吩环稠合在一起与双键桥接,单键桥接的化合物相比表现出了更好的半导体性能。4)溶液法化合物1-6的薄膜的制备及场效应晶体管性能研究:薄膜光学显微形貌图和XRD表征结果发现1-6均具有较好的结晶性,但易聚集,难以形成连续薄膜。场效应晶体管器件表征结果显示:化合物1,2,3在OTS-SiO_2/Si基底上表现出较好的性能,其迁移率分别为3.86×10~(-3),8.49×10~(-3)和0.047 cm~2 V~-11 s~(-1);化合物4和6在SiO_2/Si基底上表现出较好的性能,其迁移率为4.53×10~(-3)和8.4×10~-44 cm~2 V~(-1) s~(-1);而化合物5样品聚集严重,薄膜与基底之间有较大的接触电阻,未检测到晶体管性能。(本文来源于《河南大学》期刊2019-06-01）
李振声[7]（2019）在《有机金属卤化物钙钛矿与传统有机半导体材料之间的相似点》一文中研究指出有机金属卤化物钙钛矿材料已经成为一种重要的光电材料,和传统的有机半导体材料之间存在共同点,尤其是钙钛矿材料在给体和受体分子间形成的电荷转移复合物所具有的铁电性能、超高的双极性等性能已经在实验中被观察到。分析得出有机金属卤化物钙钛矿高性能的一个重要原因是:在光激发下有机金属卤化物形成的是自由载流子而不是激子,这个性能在近期的一些小分子里被验证。新现象的发现有利于器件结构的设计从而将进一步增强有机金属卤化物钙钛矿太阳能电池的光电转换性能。(本文来源于《光学与光电技术》期刊2019年02期）
周学宏[8]（2019）在《有机半导体的受激辐射特性研究》一文中研究指出有机半导体激光器因其拥有较高的受激吸收和增益,较小的温度依赖性,可溶液加工,低成本,可柔性等优势,有望能满足研究与应用对高质量光源的需求。然而,尽管光泵浦的有机半导体激光器已得到相对充分的研究,但电泵浦的有机半导体激光器一直未能实现。电泵浦有机激光的研究是一个复杂的系统研究,不仅需要开发出具备高增益、低损耗和高迁移的增益材料体系,还需要设计出合适的谐振腔器件来实现高电流密度运转。理解增益介质的受激辐射特性是电泵浦有机激光的重要基础。研究有机半导体的光谱特性是理解它的结构、分子间的相互作用以及对外界环境响应的重要手段。因此,本论文基于对有机半导体的受激辐射特性的认识,运用了若干光谱技术详细地探讨了有机半导体电泵浦激光的关键问题,包括低损耗增益介质的开发及损耗来源的探索,和功能性界面用于优化增益介质的受激辐射性能等内容。在第二章中,主要简述了有机激光的产生原理及损耗机制,介绍了粒子数反转过程的定义,以及双分子湮灭和诱导吸收这两种主要损耗机制。并介绍了常用于研究增益介质的放大自发辐射效应(ASE)和瞬态吸收光谱测试。在第叁章中,考虑到增益介质的光学损耗,设计了一系列具有低阈值、低光学损耗等特点的无定型有机共轭小分子增益介质(OCBzC、OCPC、OCNzC、DF-Bz-DF)。以OCBzC分子为例,系统地表征了它的ASE效应,获得39.27μJ/cm~2的增益阈值,49.33cm~(-1)的增益系数和1.91 cm~(-1)的损耗系数。通过超快光谱的研究阐述了OCBzC分子具有简单的激发态弛豫行为,激发态损耗只源于单线态激子吸收与受激辐射之间的较小重迭。利用溶液加工的方法成功在石英光纤上构筑出OCBzC的微环谐振腔,获得品质因子约2700,半峰宽为0.2 nm的单模激光出射。以OCBzC为出发点,进一步探讨了发光核和侧链结构对受激辐射性能的影响,并得出激发态行为主导着受激辐射的形成和质量这一增益介质设计思路。在第四章中,结合第叁章里共轭聚合物F8BT的模型化合物OCBzC和DF-Bz-DF的ASE性能,研究了基于咔唑的结构性缺陷对增益介质受激辐射特性的影响。通过前线轨道的模拟和光谱的表征,识别出OCBzC内存在的咔唑-苯并噻二唑CT对缺陷,缺陷寿命约为1.47μs,数量密度约为4.57×10~(16) cm~(-3)。这种缺陷会与ASE过程相互竞争,并引入了多个额外的吸收过程,会影响到OCBzC的受激辐射。进一步考虑OCBzC与F8BT的共通点,可以发现CT缺陷以结构性缺陷存在,在高能量注入下容易与受激辐射过程产生竞争。在增益介质设计中需要避免它的引入。在第五章中,为降低对高性能增益材料的设计要求,利用了含金纳米粒子的PMMA热交联缓冲层(PMMA:AuNP)作为功能性界面层来优化了增益介质的ASE特性。对满足光谱选律的MEH-PPV体系可获得发射光强增强为原来的11.8倍,增益阈值降低40%,半峰宽减小16%的最佳增强效果,这归因于MEH-PPV与PMMA:AuNP之间存在的界面多重LSPR增强效应,不仅能增加MEH-PPV的吸收跃迁几率,减少它的非辐射跃迁损耗,而且还对它的ASE效应有额外的多次反射增强效果。除了多重LSPR效应外,PMMA:AuNP还能对偏离光谱选律的OCBzC体系产生ASE发射增强。对制备交联缓冲层过程中所涉及的各个组分进行对比分析,可以得出该交联缓冲层产生的孔隙能够降低PMMA的折射率,增大增益介质层与缓冲层之间的折射率差,从而进一步减少光学损耗。利用功能性界面层来优化了增益介质的受激辐射特性为将来有机激光的性能优化提供了一种良好的思路。(本文来源于《华南理工大学》期刊2019-04-09）
黄佛保[9]（2019）在《基于有机半导体和钙钛矿的高性能宽光谱光探测器研究》一文中研究指出随着电子科技的高速发展,光电子产品在人类社会中扮演的角色越来越重要,普遍应用于社会生活、工业生产和科学研究的各个领域。其中,光探测器作为光电子器件成员之一,为光电子领域做出了巨大贡献,尤其是宽光谱光探测器在各类光探测应用中起着举足轻重的作用。基于传统无机半导体的宽光谱光探测器已经发展的相当成熟,成为现代光电子产业的重要支柱。然而,基于无机半导体的宽光谱光探测器也存在不足的地方,如价格昂贵、制备过程复杂、资源消耗大、机械柔性差等诸多方面,不能满足光探测器在新型应用背景下日益增长的需求。于是,具备价格便宜、制备容易、种类繁多、柔性衬底兼容性好等优势的有机半导体和有机-无机杂化钙钛矿引起了广泛的关注。因此,我们开发了新一代基于有机半导体和有机-无机杂化钙钛矿活性材料的宽光谱光探测器,主要从叁个方向成功构筑了高性能的宽光谱光探测器:首先,光敏场效应管具有栅压调制功能,可放大光信号从而获得高的光敏性能,但是基于全有机活性层的宽光谱光敏场效应管的报道甚少。我们采用高迁移率的富勒烯C_(60)作为光敏场效应管的沟道层,采用具有互补吸收光谱的叁层异质结构C_(60)/PTCDA/SnPc作为光敏层,通过沟道优化成功研制了基于全有机活性层的宽光谱光敏场效应管。利用沟道层和光敏层的高效协同作用,在300-1000 nm光谱范围内获得了高达56.88 A/W光响应度和9.15×10~(12) Jones的比探测率,从而实现了高性能的紫外-可见-近红外宽光谱光探测。而且,用体异质结替换平面异质结光敏层,进一步提升了光探测性能。接着,光敏二极管具有大的光线开口率、快的响应速度和低的驱动电压等优势。相比于多层结构器件,双层结构光敏二极管寄生电容小,有利于响应速度提升。而由于有机-无机杂化钙钛矿薄膜表面覆盖度低、泄露电流太大而难以构筑少层垂直结构钙钛矿光敏二极。我们采用聚合物聚乙烯吡咯烷酮(PVP)修饰有机-无机杂化钙钛矿(MAPbI_3)薄膜,通过优化PVP的浓度获得了最佳性能的钙钛矿薄膜,再结合近红外敏感的有机半导体酞菁铅(PbPc)形成异质结,成功构筑了简单双层垂直结构宽光谱光敏二极管。在紫外-可见-近红外光谱范围,光谱均匀因子高达0.77,光响应度超过10 A/W,响应时间小于0.46 ms。最后,光电导探测器是一种无极性两端光探测器,随着外加电压的增大可实现光电导增益,然而却伴随着增大的噪声。我们采用紫外-可见光吸收的有机-无机杂化钙钛矿MAPbI_3和近红外吸收的有机半导体酞菁锡(SnPc)作为活性层材料,构建了横向结构宽光谱光电导探测器。通过优化SnPc层在器件中位置,确立了最佳配置的器件结构,获得了低至~0.01 nA的超低皮安级暗电流和高达~10~5的超高光敏性。而且,通过MAPbI_3/SnPc异质结构增强了器件性能,并将光响应延伸到980 nm波长,从而成功开发了超高光敏性的紫外-可见-近红外宽光谱光电导探测器。总之,我们结合时代发展的需求,聚焦新一代光电子产品的优势,探索通过有机半导体和有机-无机杂化钙钛矿作为活性层构建宽光谱响应光探测器,成功实现了高性能的紫外-可见-近红外超宽光谱光探测,为以后新型光探测器的发展铺垫了道路。(本文来源于《兰州大学》期刊2019-04-01）
李智浩[10]（2019）在《几种有机半导体材料电子结构、自旋输运和量子磁性的研究》一文中研究指出有机半导体材料具有优异的光电性能,同时兼具轻薄、柔软、易加工和生产成本低廉等诸多方面的优点,在有机发光二极管(OLED)、有机场效应管(OFET)和有机光伏太阳能电池(OPVC)等电子学器件中有着广泛的应用前景。另外,由于弱的自旋轨道耦合和超精细相互作用,使得有机半导体材料往往具有出色的自旋扩散能力。基于有机自旋电子学技术,在有机半导体上进行自旋的写入、传输和读出,是一种实现量子计算、量子信息和存储的新思路。因此,研究有机半导体材料多种优异性质背后的物理机制问题,对于提高材料性能和实现材料应用具有非常重要的意义。本论文主要选取了苝四甲酸二酐(PTCDA)、酞菁铁(FePc)和红荧烯(Rubrene)叁种典型的有机半导体材料,分别对它们的电子结构、磁性以及自旋传输性质进行了研究。首先,我们主要介绍了PTCDA分子壳层电子的激发和退激发过程,利用基于同步辐射的共振光电子能谱(RPES)技术对PTCDA薄膜电子结构进行了研究。根据电子动能对入射光能量的依赖性,对RPES谱图中由二次谐波激发的碳1s信号、共振光电退激发和共振俄歇退激发过程导致的叁种峰结构进行了归属。通过分析发现,由于PTCDA分子轨道空间分布的差异,分子轨道共振增强效应具有光子能量依赖性;同时,高结合能分子轨道(>4.1eV)参与共振俄歇退激发过程。明确RPES实验谱图中各个峰结构的起源有助于准确利用基于RPES的芯能级空穴时钟谱技术定量估算有机分子/电极异质界面处电子从分子未占据轨道到电极导带的超快转移时间。为了研究红荧烯薄膜的自旋输运性质,我们制备Ni_(80)Fe_(20)/Rubrene/Pt叁层膜结构的器件,利用自旋泵浦技术,实现了自旋流向红荧烯层的注入,并在Pt层探测到了逆自旋霍尔电压信号V_(ISHE)。根据V_(ISHE)信号与Rubrene厚度的依赖关系,我们得到了红荧烯的自旋扩散长度约116 nm和自旋弛豫时间约为132±9 nm。进一步地,利用红荧烯载流子迁移率1.76′10~(-6) cm~2/V和公式τ_=λ~2/D,我们估算其自旋弛豫时间为τ=3.8±0.5 ms。该结果克服了自旋阀器件中阻抗不匹配和自旋界面效应的影响,更有效地获得研究了红荧烯的自旋弛豫性质。另外,我们的结果也表明有机半导体/铁磁电极界面对电荷的散射,加剧了电子自旋弛豫过程。因此,调控界面能级排列和自旋界面对于提升电驱动的自旋电子学器件性能具有重要意义。最后,本文介绍了β-FePc单晶材料的磁性方面的研究。β-FePc单晶中自旋量子数S=1的Fe原子沿晶轴b方向排列成一维磁性原子链。通过角度依赖的X射线近边吸收精细结构发现FePc分子在bc面上呈近似站立状态,并且分子之间存在着磁相互作用。通过进一步测量磁场平行和垂直于b轴的磁化率和磁化强度,发现β-FePc单晶具有磁各向异性,链内分子的磁相互作用依赖于磁场方向。进一步分析发现,β-FePc单晶的磁化率可以很好的被一维海森堡反铁磁S=1的平面链理论所描述,在磁场平行和垂直于b轴时的各向异性相互作用分别为D/k_B=67.6 K和D/k_B=116.3 K。并且,我们初步判断随着温度降低至8 K以下,β-FePc单晶会进入S=0的自旋单态。(本文来源于《安徽建筑大学》期刊2019-04-01）
有机半导体论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
有机场效应晶体管在柔性传感和显示驱动应用中展示出极大的潜力,但在大面积制备高性能有机薄膜及有机场效应晶体管方面仍面临大的挑战。本文介绍了一种利用等离子处理和马兰戈尼-咖啡环效应协同作用来图案化生长有机半导体薄膜的方法。经过对等离子体处理时间、混合溶剂的比例及溶液浓度等生长条件优化,在5 cm×5 cm的基片上得到了覆盖性较为完整的2,7-二辛基[1]苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩(C8-BTBT)薄膜阵列。基于此薄膜构筑了底栅顶接触晶体管阵列,器件的平均迁移率达到7.9 cm~2·V~(-1)·s~(-1),阈值电压均小于-2 V,开关电流比大于10~4。本工作对未来大面积制备高性能有机半导体薄膜及晶体管具有一定的借鉴意义。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
有机半导体论文参考文献
[1].庞虎生.有机半导体中本征双极性载流子传输和缺陷态的研究[D].南京邮电大学.2019
[2].王子昂,郭航,荣欣,董桂芳.有机半导体图案化成膜中的马兰戈尼与咖啡环效应协同作用[J].物理化学学报.2019
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[4].赵天楚,魏延雨,刘经纬,祝旭宏.有机半导体材料光催化降解含油废水[J].炼油技术与工程.2019
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[6].单震.基于不同组合方式二硒吩的有机半导体材料的合成及其场效应性能研究[D].河南大学.2019
[7].李振声.有机金属卤化物钙钛矿与传统有机半导体材料之间的相似点[J].光学与光电技术.2019
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[9].黄佛保.基于有机半导体和钙钛矿的高性能宽光谱光探测器研究[D].兰州大学.2019
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