导读:本文包含了氧化锡薄膜论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:薄膜,太阳能电池,温度,透明,正电子,等离子体,二氧化。
氧化锡薄膜论文文献综述
华千慧,曾彦玮,贺子豪,徐群杰[1]（2019）在《铝合金表面壳聚糖-二氧化锡薄膜的制备及其耐蚀性能的研究》一文中研究指出壳聚糖是一种天然的高分子,其分子中有大量的氨基和羟基,可以很好的吸附在金属上使金属免受腐蚀[1]。而二氧化锡作为一种无机物,具有很好的耐蚀性能。因此,我们采用环保而又简单的喷涂法和水热法在铝合金表面制备了壳聚糖-二氧化锡复合薄膜,并且在酸性条件下0.1M H2SO4和0.001M NaF(pH=3)进行电化学测试。从图1(a)可以看出,我们所制备的二氧化锡薄膜为团簇状的,并且均匀的覆盖在铝合(本文来源于《第十届全国腐蚀大会摘要集》期刊2019-10-24）
王熹,赵志国,秦校军,熊继光,董超[2]（2019）在《基于喷涂法制备氧化锡薄膜的钙钛矿太阳能电池》一文中研究指出电子传输层对于钙钛矿太阳能电池载流子的抽取与传输起着至关重要的作用,氧化锡由于其优异特性被作为电子传输层广泛应用于正式平板结构钙钛矿太阳能电池中。而目前制备氧化锡薄膜的工艺方法无法满足大面积、自动化等工业需求,亟待发掘新的工艺手段。为解决此问题,本文使用喷涂法成功制备了高质量的氧化锡薄膜。实验结果表明,基于喷涂法制备氧化锡薄膜的钙钛矿太阳能电池对于氧化锡薄膜的厚度有较高的依赖性,通过优化薄膜厚度,电池的光电转化效率可达到15. 72%;喷涂得到的氧化锡薄膜存在咖啡环现象,使得串联电阻提高,限制了光电转化效率,但可以通过进一步细化液滴来解决。本文为钙钛矿产业化进程中高质量氧化锡薄膜的制备提供了新的思路与方法。(本文来源于《中国光学》期刊2019年05期）
章石赟,殷晨波,杨柳,韩忠俊[3]（2019）在《介孔二氧化锡薄膜的制备及其氢敏性能研究》一文中研究指出以叁嵌段共聚物F127为模板剂,加入浓盐酸抑制水解,通过溶剂挥发诱导自组装,旋涂后在高湿度下干燥制备介孔SnO_2薄膜,并通过掺Pd进一步提高其氢敏性能。利用X射线衍射(XRD)、比表面积与孔径分析和透射电镜(TEM)研究材料的结构与形貌,通过恒流配气法,测试其氢敏性能。结果表明:介孔SnO_2粒径约为6.38 nm,比表面积为84.62 m~2/g,孔容为0.174 cm~3/g,平均孔径为5.6 nm。在200℃,对体积分数2×10~(-3)的H_2灵敏度为76,掺杂Pd后提高至191.6,具有优秀的氢敏性能。(本文来源于《仪表技术与传感器》期刊2019年09期）
李策,陈爽,高蕊谦伶,李然,侯成义[4]（2019）在《锑掺杂氧化锡薄膜的制备及其对硅基太阳能电池工作温度的影响》一文中研究指出硅基太阳能电池占据着光伏发电的最大份额,但是在阳光下其工作温度过高会降低电池效率和功率输出,因此降低硅基太阳能电池在阳光下的工作温度具有重要意义。本研究以氯化亚锡和叁氯化锑为原料,通过简单的溶胶?凝胶法制备锑掺杂氧化锡(ATO)薄膜,将其作为硅电池盖板,研究了锑(Sb)掺杂量和薄膜厚度对薄膜红外阻隔性能和硅电池降温性能的影响。研究表明, ATO薄膜的红外遮蔽性能随薄膜厚度增加而提高,但可见光透过率随之降低。用AM1.5太阳光持续照射30min后,使用旋涂1～4层ATO薄膜盖板的硅电池温度比使用普通玻璃盖板的电池最大降低2.7℃,晶硅电池效率可以保持在10.79%以上。此外,使用10mol%锑掺杂的3层ATO薄膜盖板的硅电池在连续光照30 min后,温度比使用普通玻璃盖板最大降低1.5℃,效率提高了0.43%。(本文来源于《无机材料学报》期刊2019年05期）
李鑫[5]（2019）在《基于原子层沉积技术的氧化锡薄膜及其异质结生长和特性研究》一文中研究指出透明导电氧化物(TCOs)由于其在电学、光学和化学特性上的多样性而成为了基础研究和技术应用的激发材料。二氧化锡是一种非常重要的且广泛应用在太阳能电池、固态化学传感器和电致发光二极管等领域的宽禁带透明导电半导体氧化物。而原子层沉积技术作为20世纪一种新出现的薄膜沉积技术,以其在原子级尺度下精确控制薄膜厚度的优势为进一步降低CMOS集成电路特征尺寸提供了可能。本论文利用原子层沉积技术,采用四(二甲氨基)锡和去离子水作为前驱体在175℃下制备了氧化锡薄膜,结合后退火工艺在氢气和氧气气氛中,退火温度为300、400和500℃,利用原子力显微镜、扫描电子显微镜、X射线光电子能谱、紫外-可见分光光度计和介电频谱仪等表征方法分析了薄膜的特性。此外,还制备了SnO_2/Si异质结,分析了异质结的基本参数(理想因子、整流比和势垒高度等)随温度的变化及其原因,对异质结界面载流子传导机制随温度和偏压的关系进行了深入研究。在不同气氛不同温度下对氧化锡薄膜进行后退火处理,我们发现氢气气氛下退火的样品随着退火温度升高其I-V特性逐渐从线性关系变为了非线性关系,且薄膜电阻在逐渐增大,而载流子浓度在逐渐减小。而氧气气氛下的曲线全部表现为线性关系,且随退火温度升高电阻逐渐减小。对氧化锡薄膜介电特性的研究表明在氢气下退火会导致电容和介电损耗随着温度的升高而减小。而在氧气下退火的样品其电容和介电损耗会随着温度升高而逐渐增大。分析了SnO_2/Si异质结在温度范围为290~400 K下的I-V特性曲线,研究表明异质结的理想因子、整流比和串联电阻随着温度升高而减小,反向饱和电流、拐点电压和势垒高度随温度升高而增大。我们认为由于异质结的平均界面态密度随着温度升高而减小使得异质结性能得到改善。此外,我们还发现异质结界面载流子的传导存在叁种机制。在高温低压区域的热离子发射和直接隧穿机制,在高温高压区域的热离子发射和Fowler-Nordheim(F-N)隧穿机制,在低温低压区域的直接隧穿机制和在低温高压区域的F-N隧穿机制。与ZnO/Si异质结相比,SnO_2/Si异质结克服其反向电流不易饱和且整流比较小的缺点。且首次对SnO_2/Si异质结温度和偏压相关的界面载流子传导机制进行了研究。我们认为这些研究结果将有助于对氧化锡薄膜的理解并可以显着提高宽禁带氧化物基异质结的性能。(本文来源于《华东师范大学》期刊2019-05-04）
李金石,陈茂林,何龙,宋杰光,陈林[6]（2018）在《水热法制备纳米氧化锡薄膜结构形成及表征》一文中研究指出纳米Sn02是一种重要半导体材料,晶体结构为金红石型,具有导电率高、透明度高和稳定的化学性能等优点,在气敏探测器件与太阳能电池领域中具有广泛应用。本文通过改变水热法中的盐浓度、反应时间和水热温度等参数制备具有不同晶体结构的Sn02纳米薄膜。采用SEM、叁维超景深显微分析仪等对样品进行检测,并对Sn02纳米薄膜的表面完整性与平整度、微观结构、比表面积等进行观测与分析。研究发现:随盐浓度增大,形成晶体的结晶驱动力增大;随反应时间增加,(本文来源于《第九届无机材料结构、性能及测试表征技术研讨会（TEIM2018）摘要集》期刊2018-06-12）
王佳良,刘贤哲,邓宇熹,袁炜键,周尚雄[7]（2018）在《溶液法制备氧化锡薄膜及光学特性研究》一文中研究指出采用五水合氯化锡配制前驱体溶液,通过旋涂法在玻璃基底上制备了一种可见光平均透射率在90%以上的氧化锡透明薄膜。研究发现,对玻璃基底进行等离子预处理有助于改善氧化锡薄膜的表面质量。当等离子处理功率为25W时,薄膜表面质量最佳。在低于500℃下,升高退火温度不仅可减少薄膜中的有机成分残留,而且可在不改变薄膜物相的情况下增大薄膜的光学带隙。退火温度为500℃时,薄膜开始发生由非晶到多晶的转变。(本文来源于《光学学报》期刊2018年10期）
周亚伟[8]（2018）在《氟掺杂氧化锡薄膜制备及其微结构》一文中研究指出自上世纪六十年代以来,锡掺杂氧化铟化合物被发现,由于其卓越的光电性能,引领了科学界对透明导电氧化物的广泛研究热潮。近年来,被发现的透明导电氧化物材料主要有SnO2,ZnO等。随着社会的发展,透明导电氧化物(TCOs)薄膜材料被广泛用于社会生活中,人们对高性能TCOs材料的需求也越来越迫切。然而,不同的制备技术以及工艺条件制备的TCOs薄膜性能差异明显。主要是因为不同的薄膜制备技术、工艺参数对其微结构、性能产生重要影响。薄膜材料中的缺陷是影响其光电性能的重要因素,而其表征较难。正电子作为微观缺陷研究的灵敏探针,对材料中的缺陷非常灵敏。慢正电子束设备产生能量可调的正电子束流,可用于薄膜材料的微观结构表征。本课题利用基于慢正电子束湮没技术,并结合霍尔效应、紫外-可见分光光度计、XRD、AFM、XPS、PL等表征方法研究氟掺杂氧化锡(FTO)薄膜的制备方法、基板温度、退火温度以及超临界二氧化碳(scCO2)处理对薄膜微结构及光电性能的影响。进而对薄膜制备工艺进行改良,制备出光电性能优异的TCOs薄膜。为TCOs薄膜在器件方面的应用提供实验依据。主要研究内容如下:(1)通过电子束蒸发镀膜技术制备不同比例的SnF2掺杂SnO2薄膜样品,利用基于慢正电子束寿命谱和多普勒展宽谱研究掺杂引起的FTO薄膜微结构变化及其对薄膜光电性能的影响。结果表明在空气中600 ℃退火处理一小时,所制备的薄膜均为氧化锡四方金红石结构,晶粒尺寸约为15-20 nm。正电子寿命结果表明薄膜中存在两种不同尺寸的空位团缺陷。掺杂使FTO薄膜具有较高的载流子浓度以及更宽的光学带隙宽度,同时在可见光范围内具有良好的透光率。由于莫斯-布尔斯坦效应,氟离子的掺入,导致费米面上移进入导带底,价带中电子跃迁进入导带中未占据的空态需要更高的能量,导致FTO薄膜样品的光带隙宽度明显增宽。综合以上结果显示,FTO薄膜的光电性能主要依赖于薄膜中Fo替代和氧空位的含量。(2)利用基于慢正电子束多普勒展宽谱研究退火温度对电子束蒸发制备FTO薄膜微结构变化及光电性能的影响。随着退火温度的升高,薄膜结晶度明显提高,晶粒尺寸长大。慢正电子束多普勒展宽谱结果显示,随着退火温度的升高,S参数逐渐减小,说明薄膜中缺陷浓度在下降。薄膜中的Sn空位、氧空位随温度升高,逐渐团聚融合,最后消失在晶界处。F-有效替代O_2~-,提供多余自由电子,薄膜结晶度提高,晶界散射作用减弱,载流子迁移率提高,导电性能也得到明显提升。由于薄膜结晶度提高,光散射效应减弱,载流子浓度显着提高,使得FTO薄膜的光学带隙宽度随退火温度的升高明显增大。(3)利用基于慢正电子束多普勒展宽谱和寿命谱研究基板温度、退火温度对磁控溅射制备FTO薄膜微结构变化及光电性能的影响。由于基板加温,溅射离子能量较高,磁控溅射制备的FTO薄膜结晶效果更好、表面更加平整光滑。正电子湮没结果显示,退火温度为350℃时,薄膜中的缺陷出现团聚长大,缺陷数量减少。当温度达到400 ℃时,空位团逐步在晶界处消失,晶粒长大,薄膜结构缺陷逐渐恢复。薄膜光电特性随着退火温度升高,得到大幅提升。(4)由于超临界二氧化碳具有强渗透性、流动性,利用scCO2处理薄膜样品,将水分子输运至薄膜内,对其微结构进行改性。结果显示,薄膜中部分氧空位型缺陷,特别是晶界处的缺陷被有效钝化,薄膜电阻略微增大,但载流子迁移率明显提升,光学性能未发生明显改变。经超临界二氧化碳处理的薄膜作为透明电极,可有效降低器件热损耗,提高器件使用过程中的稳定性。(本文来源于《武汉大学》期刊2018-05-01）
曹帅琦[9]（2018）在《钽掺杂二氧化锡薄膜及多层薄膜的制备和光电性能研究》一文中研究指出近年来,随着智能手机、平板电脑、有机发光二极管、Low-E玻璃、太阳能电池等行业的飞速发展,透明导电氧化物(TCO)的开发和应用变得越来越受科学家的青睐。作为光电器件的基础,透明导电氧化物(TCO)的成本和性能对于整个智能终端行业的发展具有重大的意义。现有的薄膜材料主要是以氧化铟锡(ITO)为主,但是ITO存在铟资源缺乏、价格昂贵、储量不足、不适合柔性成膜等诸多缺点。基于以上原因,各国都在通过一系列基础研究来努力开发出一种无铟的透明导电薄膜材料。本课题使用英国PQL公司生产的远源等离子体溅射镀膜系统,在普通玻璃基底上制备出了钽掺杂二氧化锡(Ta-SnO_2,TTO)薄膜和二氧化锡/银/二氧化锡(SnO_2/Ag/SnO_2)多层膜,使用SEM和TEM分析了薄膜的表面形貌和掺杂元素比例,使用XPS分析了薄膜表面的元素价态和缺陷状态,使用UV-3600来测试了薄膜在可见光范围内的透过率,使用Lake shore 8400和半导体特性测试仪测试了薄膜的电学性能。所得到的主要结论如下:1、钽掺杂二氧化锡薄膜(Ta-SnO_2,TTO)(1)氧气流量会显着影响薄膜的晶体结构。此外,退火温度会影响薄膜的晶体结构,在退火温度在250℃及以下时,薄膜呈现出非晶和纳米晶的状态,在退火温度在450℃时,薄膜会呈现出金红石的二氧化锡晶体相。(2)在氧气流量为4 sccm以上,薄膜的透光率均超过了70%,同时提高退火温度也会增加薄膜在可见光范围内的透光率。薄膜分别在250℃和450℃条件下进行30 min退火后,平均透过率可显着提高到90%和93%。(3)在5 sccm时钽掺杂二氧化锡薄膜的电阻率低至9.68×10~(-3)Ω?cm。适当温度的退火也会提高薄膜的电学性能,在270℃退火30 min后,薄膜的电学性能达到最优值,电阻率低至4.23×10~(-3)Ω?cm。在温度超过270℃后,TTO薄膜的电学性能随着退火温度的升高而逐渐降低。2、二氧化锡/银/二氧化锡(SnO_2/Ag/SnO_2)多层膜(1)不同银层厚度的SnO_2/Ag/SnO_2薄膜的微观结构不同,在银层厚度在6nm以下时,中间银层的分布主要是岛状隔离分布,在银层厚度超过6 nm以后,薄膜的中间银层的分布从岛状隔离分布转化成了连续的平面状分布。(2)在中间银层厚度在2 nm时,薄膜在可见光范围内的透光性最强,平均透光率可以达到90%,而在中间银层厚度在6 nm和12 nm时,在可见光范围内的平均透光率分别降至86%和60%。(3)随着银层厚度的增加,薄膜的电学性能逐渐提高。在薄膜中间银层厚度为2nm时,薄膜霍尔迁移率为6.58 cm~2V~(-1)s~(-1),而在银层厚度为6 nm时,薄膜的电阻率降低至8.41×10~(-5)Ω?cm,霍尔迁移率为12.3 cm~2V~(-1)s~(-1),在银层厚度为12nm时,薄膜的电阻率进一步降低至4.52×10~(-5)Ω?cm,相应的霍尔迁移率降低至17.7 cm~2V~(-1)s~(-1)。(4)薄膜的品质因数是评价薄膜光学性能和电学性能的综合指标,在中间银层6 nm时,薄膜品质因数可以达到8.7×10~(-2)Ω~(-1)。在银层厚度小于4 nm时,薄膜的导电性制约了其品质因数的提高,在银层厚度大于4 nm时,薄膜的透光性制约了其品质因数的提高。(本文来源于《郑州大学》期刊2018-04-01）
王立坤,郁建元,王丽,牛孝友,付晨[10]（2018）在《掺杂对二氧化锡薄膜光电性能的影响》一文中研究指出二氧化锡(SnO_2)是一种重要的透明导电金属氧化物半导体材料,掺杂可使其光电性能得到显着改善,拓展其应用领域。分析了SnO_2薄膜的导电机制、载流子散射机理及近年来国内外学者对不同类型掺杂的SnO_2薄膜的研究。掺杂引入的缺陷能级增加了载流子浓度,提高了薄膜的导电性。杂质离子散射和晶界散射是影响薄膜载流子迁移率的主要散射机制。光电性能严重依赖于掺杂元素的种类及掺杂量,多元共掺杂是极具发展潜力的方法。(本文来源于《硅酸盐学报》期刊2018年04期）
氧化锡薄膜论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
电子传输层对于钙钛矿太阳能电池载流子的抽取与传输起着至关重要的作用,氧化锡由于其优异特性被作为电子传输层广泛应用于正式平板结构钙钛矿太阳能电池中。而目前制备氧化锡薄膜的工艺方法无法满足大面积、自动化等工业需求,亟待发掘新的工艺手段。为解决此问题,本文使用喷涂法成功制备了高质量的氧化锡薄膜。实验结果表明,基于喷涂法制备氧化锡薄膜的钙钛矿太阳能电池对于氧化锡薄膜的厚度有较高的依赖性,通过优化薄膜厚度,电池的光电转化效率可达到15. 72%;喷涂得到的氧化锡薄膜存在咖啡环现象,使得串联电阻提高,限制了光电转化效率,但可以通过进一步细化液滴来解决。本文为钙钛矿产业化进程中高质量氧化锡薄膜的制备提供了新的思路与方法。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
氧化锡薄膜论文参考文献
[1].华千慧,曾彦玮,贺子豪,徐群杰.铝合金表面壳聚糖-二氧化锡薄膜的制备及其耐蚀性能的研究[C].第十届全国腐蚀大会摘要集.2019
[2].王熹,赵志国,秦校军,熊继光,董超.基于喷涂法制备氧化锡薄膜的钙钛矿太阳能电池[J].中国光学.2019
[3].章石赟,殷晨波,杨柳,韩忠俊.介孔二氧化锡薄膜的制备及其氢敏性能研究[J].仪表技术与传感器.2019
[4].李策,陈爽,高蕊谦伶,李然,侯成义.锑掺杂氧化锡薄膜的制备及其对硅基太阳能电池工作温度的影响[J].无机材料学报.2019
[5].李鑫.基于原子层沉积技术的氧化锡薄膜及其异质结生长和特性研究[D].华东师范大学.2019
[6].李金石,陈茂林,何龙,宋杰光,陈林.水热法制备纳米氧化锡薄膜结构形成及表征[C].第九届无机材料结构、性能及测试表征技术研讨会（TEIM2018）摘要集.2018
[7].王佳良,刘贤哲,邓宇熹,袁炜键,周尚雄.溶液法制备氧化锡薄膜及光学特性研究[J].光学学报.2018
[8].周亚伟.氟掺杂氧化锡薄膜制备及其微结构[D].武汉大学.2018
[9].曹帅琦.钽掺杂二氧化锡薄膜及多层薄膜的制备和光电性能研究[D].郑州大学.2018
[10].王立坤,郁建元,王丽,牛孝友,付晨.掺杂对二氧化锡薄膜光电性能的影响[J].硅酸盐学报.2018
论文知识图
