导读:本文包含了衬底双极型晶体管论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:InP,InGaAs,InP,InGaAs,max,衬底
衬底双极型晶体管论文文献综述
郑冬冬[1]（2003）在《f_(max)为425GHz转移衬底InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管》一文中研究指出据《微电子技术》2003年第3期报道,美国加州大学采用转移衬底技术已研制成f_(max) 为425 GHz,f_T为141 GHz的InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管(DHBT),这是目前所报道DHBT最高的f_(max),器件的发射极接触面积为0.5μm×0.8μm。在Jc=5×10~4A/cm~2下,击穿电压BV CEO为8 V,且使电流增益β为43。(本文来源于《半导体信息》期刊2003年05期）
一凡[2]（2003）在《fMAX为425GHz转移衬底InP/In GaAa/InP双异质结双极晶体管》一文中研究指出美国UniversityofCalifornia采用转移衬底技术已研制成fMAX为 4 2 5GHz ,fT 为 14 1GHz的InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管 (DHBT) ,这是目前所报道DHBT最高的fMAX 器件的发射极接触面积为(本文来源于《微电子技术》期刊2003年03期）
苏里曼[3]（1990）在《收集区制在半绝缘磷化铟衬底中的InGaAsP/InP异质结双极晶体管》一文中研究指出本文提出并成功地试制了一种InP异质结双极型晶体管.其主要特点是利用在半绝缘InP衬底中注硅形成收集区,然后再进行液相外延形成基区和发射区.本结构能有效减少基区一收集区的结电容C_(BC)和寄生电容.避免了薄基区上制作基极欧姆接触时经常发生的基极-收集极之间的短路问题,提高了器件的可靠性结果表明,该器件具有较高的共发射极电流增益(h_(FE)=150～250),并能够双向工作.文章对该结构的优点进行了分析,给出了器件的工艺过程.(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊1990年03期）
H.Kr■utle,李继国[4]（1984）在《具有最小衬底电流的横向pnp GaAs双极晶体管》一文中研究指出制造了注入铍确定发射区和集电区的横向pnp双极晶体管。注入期间,用SiO_2和光刻胶保护基区表面(1～2μm宽),以防止铍离子由此注入。退火期间出现的横向蔓延和扩散,减少了基区宽度,这可通过退火的温度和时间来调整。在n-GaAs有源层和衬底之间淀积一层n型Ga_(0.7)Al_(0.3)As层,铍离子穿透GaAs/GaAlAs界面,在发射区和集电区下面的GaAlAs层内形成了pn结。由于GaAlAs的禁带宽度较大,这就使通过寄生的发射极-衬底二极管的电流比通过GaAs pn结的电流降低了几个数量级。有效基区宽度为0.5μm的器件的共射极电流增益为10。(本文来源于《半导体情报》期刊1984年05期）
苏里曼[5]（1982）在《用于衬底馈电逻辑电路(SFL)的PNP宽发射极砷化镓双极型晶体管》一文中研究指出本文从原理上分析了GaAs-I~2L电路相对于Si-I~2L电路的改进潜力,指出了PNP电流源管的基本难点在于过短的空穴扩散长度,从而相应提出了衬底馈电逻辑SFL(Substrate fed logic)GaAs电路的概念,本文比较详细地介绍了PNP-GaAs晶体管的制作工艺,并给出了相应的实验结果,初步的数据为电流增益h_(fe)=40,发射极-收集极击穿电压BV_(ceo)=2～3V,本文同时也给出了NPM和NPN-GaAs晶体管的开关特性。(本文来源于《半导体技术》期刊1982年03期）
衬底双极型晶体管论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
美国UniversityofCalifornia采用转移衬底技术已研制成fMAX为 4 2 5GHz ,fT 为 14 1GHz的InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管 (DHBT) ,这是目前所报道DHBT最高的fMAX 器件的发射极接触面积为
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
衬底双极型晶体管论文参考文献
[1].郑冬冬.f_(max)为425GHz转移衬底InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管[J].半导体信息.2003
[2].一凡.fMAX为425GHz转移衬底InP/InGaAa/InP双异质结双极晶体管[J].微电子技术.2003
[3].苏里曼.收集区制在半绝缘磷化铟衬底中的InGaAsP/InP异质结双极晶体管[J].固体电子学研究与进展.1990
[4].H.Kr■utle,李继国.具有最小衬底电流的横向pnpGaAs双极晶体管[J].半导体情报.1984
[5].苏里曼.用于衬底馈电逻辑电路(SFL)的PNP宽发射极砷化镓双极型晶体管[J].半导体技术.1982