不同氮氧比对N掺杂ZnO:Al薄膜结构及光电性能的影响

不同氮氧比对N掺杂ZnO:Al薄膜结构及光电性能的影响

论文摘要

采用射频磁控溅射技术,在不同氮氧比条件下,经过退火处理制备了N掺杂ZnO∶Al薄膜。对样品进行X射线衍射(XRD)、探针扫描显微镜(FAM)、透过率和电阻测试。结果表明:薄膜表面呈现柱状结构,当氮氧比为9∶1时,c轴择优取向最强。在可见光(500~800 nm)范围内,平均透过率都达到了90%以上。随着氮氧比增大,薄膜电阻先增大后减小,后又略微增大。当氮氧比由3∶1增加到9∶1时,由于N作为施主和受主掺杂的浓度不同,薄膜实现了由n型导电转变为p型导电。

论文目录

  • 1 实验
  •   1.1 薄膜的制备
  •   1.2 薄膜性能的测试
  • 2 结果与讨论
  •   2.1 薄膜的结构
  •   2.2 薄膜的表面形貌
  •   2.3 薄膜的光学性能
  •   2.4 薄膜的电学性能
  • 3 结论
  • 文章来源

    类型: 期刊论文

    作者: 高立华,高松华,陈礼炜

    关键词: 氮氧比,施主,受主,光电性能

    来源: 新乡学院学报 2019年12期

    年度: 2019

    分类: 社会科学Ⅱ辑,工程科技Ⅰ辑,工程科技Ⅱ辑

    专业: 材料科学,工业通用技术及设备

    单位: 装备智能控制福建省高校重点实验室,三明学院机电工程学院

    基金: 国家自然科学基金项目(11804189),福建省自然科学基金项目(2017J01714)

    分类号: TB383.2

    页码: 16-18+26

    总页数: 4

    文件大小: 2208K

    下载量: 39

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