导读:本文包含了层状化合物论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:层状,化合物,超导电性,金属,氢氧化物,磷酸化,各向异性。
层状化合物论文文献综述
韩洪晶,王怡真,李金鑫,薛峰,王海英[1]（2019）在《纳微尺度层状MgAl固体碱催化解聚木质素磺酸钙制取含氧化合物的研究》一文中研究指出在水热合成体系中引入羟基化合物制备纳微尺度层状镁铝水滑石前驱体(MgAl-LDHs),通过正交实验优化合成工艺参数,焙烧后得到固体碱氧化物(MgAlOx);采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和二氧化碳程序升温脱附(CO2-TPD)对水滑石前驱体及固体碱氧化物进行晶相、形貌和碱度表征,对MgAlOx解聚木质素磺酸钙(CLS)的催化性能进行评价,采用气相色谱(GC)、气相色谱-质谱联用(GCMS)和凝胶渗透色谱(GPC)对反应后气、液和固叁相产物组成规律进行分析.结果表明,在n(Mg)/n(Al)=3,pH=12,180℃,24 h条件下,添加15%(体积分数) C2H5OH时,可以制备晶粒尺寸140～230 nm的层状MgAl-LDHs,在空气气氛下于600℃焙烧6 h得到MgAlOx.水热体系下固体碱氧化物对木质素磺酸钙解聚的优化条件为270℃,4 h,65%C2H5OH,m(MgAlOx)/m(CLS)=1/2,此时其气、液和固叁相产物的产率分别为4. 50%,58. 30%和37. 20%,其中液相产物收率比纯木质素磺酸钙解聚提高了13. 30%,液相产物主要组成为酚类、芳香类、酯类和其它化合物,含氧化合物总选择性为79. 05%(酚类66. 06%,酯类12. 99%),反应后的MgAlOx经焙烧氧化再生后,循环使用4次仍具有较高的活性和稳定性.(本文来源于《高等学校化学学报》期刊2019年11期）
刘晓萌,公丕富,林哲帅[2]（2019）在《层状化合物La_(0.26)Bi_(0.74)OOH光学性能的研究》一文中研究指出构建非中心对称结构及研究材料的构效关系对于探索新型非线性光学晶体具有重要意义。La_(0.26)Bi_(0.74)OOH是一种具有Pb FCl型结构的层状化合物,结晶在非中心对称的正交晶系空间群Pmm2,其主体结构由[La_(0.26)Bi_(0.74)O_2]~-层和H+阳离子组成。本文采用水热法合成了La_(0.26)Bi_(0.74)OOH晶体,并首次测试了该化合物的非线性光学性能。粉末倍频实验显示La_(0.26)Bi_(0.74)OOH的倍频响应为KH_2PO_4的0. 6倍。紫外-可见-近红外漫反射光谱表明该化合物的截止波长为335 nm。此外,第一性原理计算显示该化合物为直接带隙半导体,其内部的Bi-O和La-O基团对La_(0.26)Bi_(0.74)OOH的非线性光学性能起主要作用。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2019年10期）
潘素素[3]（2019）在《磷酸化二维层状过渡金属硫族化合物的制备及其吸附铀的性能研究》一文中研究指出二维层状过渡金属硫族化合物是石墨烯类似物,具有优良的化学稳定性、特殊的晶体结构(叁层夹心结构)和高比表面积,是一类性能优异的放射性核素吸附材料基体。本文以二硫化钼、二硫化钨和硒化钼为基体,通过简单的超声技术制备磷酸化二硫化钼(MoS_2-PO_4)、磷酸化二硫化钨(WS_2-PO_4)和磷酸化硒化钼(MoSe_2-PO_4),并用于吸附分离放射性废水中的铀酰离子。采用SEM/EDS、TEM、AFM、Zeta电位、XRD、RAMAN和XPS等技术表征了材料的微观结构和物理化学性质。磷酸基团通过与MoS_2、WS_2和MoSe_2中缺陷处的S或Se结合,接枝量分别为0.36、1.66和7.19 mmol·g~(-1)。磷酸基团功能化没有改变原有的微观形貌,MoS_2-PO_4、WS_2-PO_4和MoSe_2-PO_4仍呈层片状。系统研究了溶液pH、离子强度、固液比、初始浓度、接触时间、温度和共存离子对MoS_2-PO_4、WS_2-PO_4和MoSe_2-PO_4吸附铀性能的影响。研究结果表明:MoS_2-PO_4、WS_2-PO_4和MoSe_2-PO_4吸附U(VI)的过程受溶液pH值影响较大,最佳pH值为5.5;叁种吸附剂吸附U(VI)的速率很快,分别在3 min、8 min和8 min达到吸附平衡,且MoS_2-PO_4在12 s时对U(VI)的去除率达到80%以上;MoS_2-PO_4、WS_2-PO_4和MoSe_2-PO_4吸附铀的过程符合准二级动力学模型和Langmuir等温吸附模型,即表明为单层化学吸附,最大吸附容量分别为338.98 mg·g~(-1)、268.82 mg·g~(-1)和88.97 mg·g~(-1);且不受溶液离子强度的影响,即表明为内层络合;该叁种吸附剂吸附U(VI)均为自发吸热过程,即升高温度有利于吸附;铀酰离子主要通过与P=O和P-O中的O络合,MoS_2-PO_4、WS_2-PO_4和MoSe_2-PO_4表现出较高的选择性,选择率分别达到71.2%、78.7%和82.3%;以0.4 mol·L~(-1)的HCl溶液作为解吸液,能有效解吸叁种吸附剂表面的铀,解吸率均达98%以上;在吸附-解吸过程中,MoS_2-PO_4、WS_2-PO_4和MoSe_2-PO_4具有较强的稳定性,5次循环利用后,吸附容量保持率超过89%。基于此,磷酸化二维层状过渡金属硫族化合物吸附材料制备过程简单、成本低、吸附容量大、速率快、选择性高且稳定性强,是一类优异的铀吸附分离材料,可用于放射性废水的处理,尤其可用于放射性核素泄露的应急处理。(本文来源于《东华理工大学》期刊2019-06-14）
范晓[4]（2019）在《几种层状硫族化合物的结构与物性研究》一文中研究指出本论文主要对几种层状硫族化物进行制备和物性表征。对过渡族金属硫族化物进行插层,主要研究对其结构和超导电性的影响;探索新型主族金属层状硫族化物,得到潜在超导母体。本论文得到的主要研究结果如下。首先,采用超声化学方法,将碱金属Na分别与乙二胺、1,2-丙二胺、1,3-丙二胺和二甲基乙二胺有机分子共同插层到FeSe层间,得到四种高质量纯相的新型Fe基超导体。四种超导体具有不同的晶体学对称性,其超导转变温度(T_c)都在46 K附近,表明插层的有机分子对于FeSe基超导体的T_c影响不大。依据中子粉末衍射数据确定Na_(0.39)(C_2N_2H_8)_(0.77)Fe_2Se_2的晶体结构,FeSe层被压缩且插层的有机分子存在多重取向无序。不同于NH_3分子和金属共插层FeSe的化合物,原位X射线衍射和核磁共振的结果表明,只有碱金属易从Na_(0.39)(C_2N_2H_8)_(0.77)Fe_2Se_2中发生脱嵌,得到无载流子注入的(C_2N_2H_8)Fe_2Se_2插层化合物,并伴随着超导电性的消失。我们的结果有助于加深对于FeSe基超导体结构稳定性、掺杂水平和温度驱动的结构相变的理解,而这种有效的合成方法也为探索新型超导体提供了可能。其次,我们发现在室温下Na_(0.35)(C_3N_2H_(10))_(0.426)Fe_2Se_2具有较大的正交畸变,并且没有磁有序,在FeSe层之间“向列的”有序排列的1,3-丙二胺分子使该化合物的向列相稳定存在。即使在低温下其正交畸变比β-FeSe和大多数的FeAs基超导体大很多,却具有46.5 K的T_c。第一性原理计算表明该“人造的”正交畸变对于能带结构具有选择性的影响,在第一布里渊区内的Г点和M点附近Fe的3d_(xz)和3d_(yz)轨道表现出不同的劈裂情况。我们的结果强烈支持,至少在高T_c的FeSe基超导体中,向列相与超导电性的出现无关。随后,我们采用固相合成的方法,得到一系列Rb插层NbSe_2化合物的晶体结构和超导电性。结构上,随着Rb插层量的增加,Rb_xNbSe_2发生从0≤x≤0.025的2H相(空间群为P6_3/mmc),到x~0.2的6R相(空间群为R-3m),最终到0.375≤x≤0.5的2H相(空间群为P6_3/mmc)的结构演化。此外,将6R相在750K退火,形成另外一个罕见的6H相(空间群为P6_3/mmc)。值得注意的是,6R和6H相都是首次在金属插层的NbSe_2中获得。根据上述结果,建立Rb_xNbSe_2(0≤x≤0.5)的相图。物性上,Rb_xNbSe_2在0-0.025的范围内为超导相,其T_c以一种L型的方式,从x=0的7.2 K下降为x=0.025的4.2 K。其T_c的下降速率类似于磁性Fe插层的下降速率,大于Cu、Ga和Li插层的下降速率。建立Rb_x NbSe_2(0≤x≤0.025)的超导相图,并与Li_x NbSe_2、Cu_xNbSe_2、Fe_xNbSe_2和Ga_x NbSe_2的超导性质进行比较。经过讨论发现,NbSe_2超导电性的抑制与插层元素的离子半径、价态以及磁性有关。Rb_xNbSe_2在0.2-0.5的成分范围内都表现为顺磁性,电学性质都类似于金属,在2 K以上没有观察到超导电性。最后,设计并合成两种新型BiS基层状化合物:Bi_5O_4S_3Cl和Bi_3O_2S_2Cl。Bi_5O_4S_3Cl中存在罕见的BiS_3层状结构单元,Bi与S为六配位。低温下,Bi_5O_4S_3Cl和Bi_3O_2S_2Cl的电阻率都存在类似超导转变的明显下降,表明两者为潜在的超导母体。第一性原理计算表明,Bi_5O_4S_3Cl具有0.344 eV的带隙,向其引入一定量的S空位,注入载流子,其从半导体转变为金属。对Bi_5O_4S_3Cl的Bi位掺Pb,注入载流子,T_c和超导相体积含量都明显提高。Bi_5O_4S_3Cl和Bi_3O_2S_2Cl为探索新型BiCh基层状超导体提供了可能。(本文来源于《中国科学院大学(中国科学院物理研究所)》期刊2019-06-01）
王欣敏[5]（2019）在《层状过渡金属氮/氧化合物及半金属镉的物性研究》一文中研究指出近年来,叁元层状过渡金属氮或氧化合物因具有丰富的物理性质,如超导,自旋-派尔斯相变等得到了广泛的关注。其中,这类超导体展现了许多独特的超导电性,如费米能级较低的态密度,弱关联电子系统,准二维超导体,异常超导能隙等等。然而,大量实验结果表明这类超导体对空气比较敏感,严重限制了其研究进展。因此,我们选取ZrNBr单晶作为研究对象,通过电场调控物性的方法,得到了在空气中比较稳定的超导体,为探索单d电子体系的超导机理提供更好的平台。通过对层状Mott绝缘材料TiOCl进行载流子插层实验,详细研究了低温下自旋-派尔斯相变的演变。拓扑半金属材料因其特殊的能带结构具有丰富的输运性质,如超大磁电阻,手性反常导致的负纵向磁阻等,在磁存储,磁传感器,电子自旋器件等方面具有潜在的应用。因此,我们制备了简单元素体系镉(Cd)单晶,并对其输运性质进行详细的研究。本文主要分为以下六部分:第一章主要介绍了叁元过渡金属氮化物超导体系的研究进展。首先介绍了母体化合物两种主要结晶类型(α相的FeOCl型和β相的SmSI型),母体作为一种宽带隙非磁性的绝缘材料,通过注入电子型载流子的方法(包括掺杂、碱金属/碱土金属插层、电化学插层、卤素原子脱嵌、电场调控等)可以实现超导转变。然后介绍了β相和α相超导电性的研究进展。随后介绍了相似体系TiOCl中的自旋-派尔斯相变以及TiOCl目前的研究现状。最后介绍了拓扑半金属材料依据能带结构特征的叁个主要分类(Dirac半金属,Weyl半金属,node-line半金属)以及Dirac半金属和非磁性Weyl半金属中的非常规磁电阻现象。第二章以层状绝缘材料ZrNBr单晶为研究对象,进行电场调控物性的详细研究。通过调节电压的大小和方向成功诱导出14 K和11 K的超导转变。这两个转变具有相似的电压和磁场依赖关系,表明两者具有相似的来源,且11 K对应的未知超导相不是一个随机的无序现象。通过升高施加电压时的温度(T_G>235K),电场在样品表面诱导形成Br空位,导致超导转变不随电压消失而消失且在空气中比较稳定。该不可逆超导的上临界磁场表现出明显的各向异性,具有类似二维超导体的特征。第叁章首先介绍了TiOCl插层化合物的制备方法,随后详细研究了其电学性质和磁学性质(自旋-派尔斯相变)在碱土金属或稀土金属插层作用下的演变。对于插层得到的化合物,晶体结构发生了变化,从Pmmn晶系变为Immm晶系;电阻表现为近半导体行为,大大的改善了TiOCl的导电性;低温下65 K附近的自旋-派尔斯相变被压制。第四章我们选择简单元素体系镉(Cd)作为研究对象。理论预言在无自旋轨道耦合相互作用时,它是一个高对称线性半金属;在考虑自旋轨道耦合相互作用时,它是一个拓扑绝缘体。利用磁场手段详细研究了Cd单晶的磁输运各向异性。电流沿不同晶轴(I//a和I//c)方向时,在磁场作用下电阻率存在类似金属-绝缘体转变的行为,转变温度随磁场增加不断移向高温区。其等温磁电阻随磁场表现为近似抛物线行为,在低温9 T磁场下都表现出极大的横向磁电阻,最高分别为1,140,000%和350,000%。有意思的是负的纵向磁电阻强烈依赖晶轴的方向(仅出现在c轴方向),且其强弱明显依赖于样品表面探测电极的位置。考虑到样品的层状结构,我们推测该负的纵向磁阻可能源于样品沿c轴方向自然生长过程中产生的位错,但目前也无法排除其是否源于手性反常效应。另外,在磁阻和霍尔电阻率上都观测到以磁场为周期振荡现象。随着温度的升高,振荡周期不变,振幅逐渐减小。第五章研究了NbSiAs单晶的电输运性质和磁性质。NbSiAs单晶属于PbFCl结晶类型,具有层状结构。其电阻率在2 K~300 K温度区间内表现为金属行为,低温下没有观察到任何转变。其磁化率表现为反常抗磁行为,表明体系中电子的有效质量远远小于电子的质量(m*<<m)。实验结果表明NbSiAs是一种普通金属材料。第六章对本论文的研究内容简要的进行了总结,同时对这些材料未来进一步研究探索进行了展望。(本文来源于《中国科学院大学(中国科学院物理研究所)》期刊2019-06-01）
李婧[6]（2019）在《二元层状硫族/磷族化合物的物性研究》一文中研究指出硫族/磷族化合物具有很多奇异的物理性质,例如电荷密度波(CDW)、非常规超导电性以及拓扑态等,在凝聚态物理领域得到了广泛的关注。此外,这类材料在光电、传感器、储能材料等方面具有极大的应用价值。二元层状化合物由于具有较为简单的晶体结构、较低的维度和弱的层间耦合等特性,为实验和理论上对奇异物理现象的研究提供了理想的平台。在本论文中,我们着重介绍几种二元层状硫族/磷族化合物材料的基础物性研究,主要分为以下四个章节:第一章首先主要介绍了过渡金属硫族化合物的研究进展,其中包括过渡金属硫族化合物的晶体结构、CDW、超导电性以及应用等特性。然后,对CDW进行简单介绍。最后,介绍了高压原位测量方法,并重点介绍在静水压力下测试样品输运性质时常用的活塞-圆筒装置。第二章详细研究了CDW材料HfTe_3的各向异性。我们在极窄的温度区间内使用化学气相输运法和固相反应法分别生长了HfTe_3单晶和多晶。对多晶样品进行电输运测试,结果表明在80和1.7 K分别出现宽的鼓包和明显的下降,这分别对应于CDW和超导态的形成。与多晶不同的是,单晶的T_(CDW)=93 K,并且不存在超导电性。对于电流沿a和b方向且温度高于T_(CDW)时,ρ(T)/ρ(300K)均呈线性关系,表明在准一维(Q1D)链中的电子-电子散射机制主导输运性质。同时,ρ_c在温度低于T_(CDW)时出现类似金属-半导体转变的行为。对于具有更多缺陷的单晶,ρ_b在4.3 K有明显的下降,这为CDW系统中无序诱导超导转变提供了直接证据。当温度低于T_(CDW)时,沿a和b方向的载流子浓度均大幅度减小,并且沿b方向的迁移率有更明显的增加。另外,x射线光电子能谱(XPS)的测试结果表明Hf和Te均有混合价态,这可能与HfTe_3中CDW的形成有关。第叁章我们在HfTe_3单晶中尝试Cu和Pd的插层,Te位上Se掺杂,以及对HfTe_3单晶进行加压的研究。HfTe_3与ZrTe_3具有相似的晶体结构,但是结果表明Cu和Pd很难插入HfTe_3单晶中,这与ZrTe_3极为不同。此外,我们观察到HfTe_(3-x)Se_x(x=0.02,0.05)单晶样品的T_(CDW)均有10 K左右的减小,但晶格常数c没有明显的变化。Se的掺杂量非常少,这暗示了CDW对Te位的掺杂十分敏感,微量Se掺杂可能导致无序散乱的增强。在静水压力下,HfTe_3单晶的T_(CDW)逐渐增加,当压力为1.2 GPa左右时达到最大值127 K,随着压力继续增加T_(CDW)开始缓慢减小。这还需要更高的压力进一步探索HfTe_3中可能的超导电性与CDW态之间的关系。第四章主要研究了理论预言的nodal-line半金属CaAs_3单晶在常压和静水压力下的输运性质。CaAs_3具有二维(2D)结构特性,在常压下表现出具有小带隙的半导体行为,主导输运性质的载流子为电子;而在一些含有微小缺陷或杂质的晶体中,在230 K附近观察到电阻率上出现大的鼓包,此时,载流子类型也由空穴型转变为电子型。通过施加静水压力,样品均有向金属行为转变的趋势,但在2 GPa的压力范围内没有完全实现金属化。此外,当压力达到1.5 GPa时,在含有微小缺陷或杂质的样品中观察到可能的超导转变,但仍需要更高的压力对CaAs_3的拓扑特性进行探究。综上所述,我们制备出HfTe_3单晶,并对HfTe_3进行插层、掺杂、加压等研究,为在低维材料中探索CDW与超导态之间的共存与竞争关系提供了新的平台。另外,我们还对拓扑材料CaAs_3进行了探索研究,这也为未来进一步研究其拓扑特性奠定了基础。(本文来源于《中国科学院大学(中国科学院物理研究所)》期刊2019-06-01）
柏跃磊,齐欣欣,李宁,孙东栋,赫晓东[7]（2019）在《高韧性和高损伤容限的叁元层状化合物陶瓷:从MAX相到MAB相》一文中研究指出超高温陶瓷具有良好的高温性能,在高超音速飞行器上具有重大应用前景。该类材料主要由二元过渡金属碳化物、氮化物和硼化物组成,如ZrB_2和HfB_2~([1])。然而,该材料的本征脆性和较差的抗氧化性能限制了应用。一些含铝MAX相碳化物的实验结果表明A1层原子的插入可以显着提高该类材料的断裂韧性和抗氧化性~([2])。最近的实验结果表明通过在二元硼化物晶格中插入A1层原子形成的"MAB"相也表现出类似性能。(本文来源于《第九届国际稀土开发与应用研讨会暨2019中国稀土学会学术年会摘要集》期刊2019-05-15）
王乃舟[8]（2019）在《过渡金属层状化合物的合成探索与物性研究》一文中研究指出过渡金属层状化合物一直以来都是凝聚态物理以及材料研究中的热点,无论是在基础研究或是潜在的应用领域都展现出了独特的价值。这类材料具有极其丰富的元素组成和晶体结构,从而展现出极为丰富的物理性质,如超导、电荷密度波、磁性等等。此外,由于过渡金属层状化合物的层与层之间依靠范德瓦尔斯力结合,这使得在其层间引入不同的客体物质成为了可能,进而可以实现对于其结构与物理性质的调控。在本论文中,我们探索合成了一系列的过渡金属层状化合物,并对它们的物理性质进行了研究。我们探索合成了锕系过渡金属氮化物ThNF与ThNCl,虽然它们拥有与β-ZrNCl等超导体类似的层状晶体结构,但其层间的作用力类型并不是范德瓦尔斯力。我们还探索合成了一类不匹配层状化合物,(PbSe)1.16(TiSe2)m(m=1,2),并对其晶体结构及物理性质进行了系统研究,发现了其中反常的电荷转移效应。利用电化学插层的方法,将有机离子团十六烷基叁甲基铵离子(简写成CTA+可控的插入到了2H-TaS2中,进而实现了对于2H-TaS2电子态性质的调控。此外,我们还成功地使用电化学方法在磁性范德瓦尔斯材料Cr2Ge2Te6的层间插入了有机离子四丁基铵(简写成TBA+),实现了铁磁转变温度的大幅度提升,由母体的67 K升高到了插层化合物的208 K。本论文共分为以下五章:1.绪论本章主要简要回顾了超导材料的发展历史及非常规超导体的研究现状。对过渡金属氮化物MNX材料的结构与物理性质以及过渡金属硫族化合物的基本物理性质进行了简要的介绍。另外还介绍了层状磁性范德瓦尔斯材料的研究进展,并对一些常用的材料合成方法进行了简单介绍。2.锕系过渡金属氮化物ThNF与ThNCl的合成与物性研究在本章的工作中,我们探索合成了含有f电子的过渡金属氮化物材料ThNF与ThNCl。由于在与其结构相同的(Ti,Zr,Hf)NCl中均通过化学插层实现了超导电性,因此我们希望能够在这两种材料中通过化学插层实现超导。然而,目前所有的尝试都表明无法在这两种材料中插入客体。为了揭示其原因,通过对其晶体结构的分析,虽然他们拥有着与ZrNCl和HfNCl等体系类似的晶体结构,但其层间并不是范德瓦尔斯作用力。通过对光电子能谱的分析并结合理论计算的结果,我们得到在ThNF中Th-N键为共价键,Th-F键为离子键。在ThNCl中Th-N与Th-Cl键均为共价键。在ThNF中,由于F的电负性太强,因此造成了与Th近邻一层的F原子以及次近邻层的F原子均与Th成键,从而使得ThNF的层间并不是范德瓦尔斯键。而在ThNCl中,由于Th-Cl之间的作用力为共价键,从而削弱了C1-C1层间的作用力,最终使得ThNCl的层间也不是范德瓦尔斯作用。3.不匹配层状化合物(PbSe)1.16(TiSe2)m(m=1,2)的结构和物理性质研究在本章的工作中,我们成功合成了不匹配层状化合物(PbSe)1.16(TiSe2)和(PbSe)1.16(TiSe2)2的单晶样品,这两者具有类似的晶体结构。(PbSe)1.16(TiSe2)2具有Tc为2.3 K的超导电性,而(PbSe)1.16(TiSe2)是不超导的。各向异性电阻测量表明(PbSe)116(TiSe2)2有更弱的层间耦合和更低的维度。角分辨光电子能谱实验表明在(PbSe)1.16(TiSe2)m(m=1,2)中,m=1的化合物中PbSe层向TiSe2层的电荷转移量相比于m=2的化合物增加了惊人的250%,同时伴随着m=1的化合物中电声子耦合强度的下降。因此,通过物性测量及角分辨光电子能谱的研究,发现层间电荷转移引起的过掺杂效应导致m=1的化合物没有超导电性。4.电化学插层TaS2中可控的超导电性调控在本章的工作中,我们利用电化学插层的方法,将有机离子团CTA+可控的插入到2H-TaS2的层间,合成了TaS2(CTA+)x(x=0-0.9)系列样品。结合X射线衍射数据和高分辨透射电子显微图像,我们确定了样品的晶体结构。随着CTA+插入量x的增加,Tc首先快速增大至最大值3.7 K,之后随着x进一步增加Tc逐渐减小,超导相图表现出圆拱的行为。我们的研究表明电化学插层的方法是一种简单有效的,可以可控调节二维材料中电子态性质的手段。5.有机离子插层铁磁范德瓦尔斯材料Cr2Ge2Te6中的铁磁性质调控在本章的工作中,我们使用电化学插层的方法,成功的在层状范德瓦尔斯磁性材料Cr2Ge2Te6的层间插入了四丁基铵离子(TBA+),从而形成单层Cr2Ge2Te6与TBA+离子的杂化晶格。通过插入TBA+离子,Cr2Ge2Te6的铁磁温度由67 K升高到了(TBA)Cr2Ge2Te6中的208 K。此外,插层后Cr2Ge2Te6的易磁化轴由c轴转向了ab面内。结合理论计算的结果,之所以在有机离子插层的Cr2Ge2Te6中出现铁磁有序温度如此大的提升,主要是由于插层的有机TBA+离子转移了电荷并对体系进行了电子掺杂,体系的磁性从弱的超交换相互作用铁磁性变为金属双交换机制的铁磁性,进而使得铁磁温度大幅度提升。(本文来源于《中国科学技术大学》期刊2019-05-10）
雷萌,尹从岭,雷秀云[9]（2019）在《新型层状多阴离子化合物Bi_3O_3SeBr的晶体结构和物理性质》一文中研究指出采用传统高温固相法合成了Bi_3O_3SeBr,采用粉末衍射、第一性原理计算、漫反射光谱和光电性能测试,系统研究了Bi_3O_3SeBr的晶体结构和物理性质.结果表明:Bi_3O_3SeBr为四方晶系,空间群为P 4/nmm,晶胞参数a=3.922 84(6)?,c=20.238 14(3)?.其晶体结构中包含有3种原子层:Bi_2O_2层,Se离子层和Br离子双层.Se离子层和Br离子双层位于Bi_2O_2层中间,形成Bi_2O_2Se和BiOBr结构单元Bi_3O_3SeBr可以看做是由Bi_2O_2Se和BiOBr结构单元沿着c方向共用Bi_2O_2层而组成的.Bi_3O_3SeBr为间接带隙的n-型半导体,间接带隙为0.42 eV.价带顶部的能态是由Se 4p能带所决定,而导带底的能态主要由Bi 6p能带构成.在可见光照射下Bi_3O_3SeBr表现出稳定的光电性能,其光生电流密度为0.70 μA/cm~2,高于Bi_2O_2Se,在光电探测领域具备一定应用前景.(本文来源于《有色金属科学与工程》期刊2019年03期）
毕浩宇,刘夏,杨伟伟,李迎梅,李燕[10]（2019）在《LDH纳米片与带负电层状化合物的组装及应用》一文中研究指出采用共沉淀-水洗-再分散(PWD)法制备了层状双氢氧化物(LDH)纳米片,溶剂热法制备了溴氧铋(BiOBr),将LDH纳米片分别与钠质蒙脱土(MMT)或BiOBr组装制备了LDH-MMT、LDH-BiOBr复合物。对样品进行了XRD和Zeta电位表征。研究了LDH、MMT、BiOBr、LDH-MMT和LDH-BiOBr对阴离子染料甲基橙和阳离子染料亚甲基蓝的吸附行为,并探讨了LDH、BiOBr和LDH-BiOBr叁种材料对邻苯二酚的吸附和光催化性能。实验结果表明:LDH-MMT和LDH-BiOBr对甲基橙和亚甲基蓝均有较好的吸附效果,LDH-BiOBr对邻苯二酚的吸附和光催化效果较BiOBr有明显提升。(本文来源于《广州化工》期刊2019年07期）
层状化合物论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
构建非中心对称结构及研究材料的构效关系对于探索新型非线性光学晶体具有重要意义。La_(0.26)Bi_(0.74)OOH是一种具有Pb FCl型结构的层状化合物,结晶在非中心对称的正交晶系空间群Pmm2,其主体结构由[La_(0.26)Bi_(0.74)O_2]~-层和H+阳离子组成。本文采用水热法合成了La_(0.26)Bi_(0.74)OOH晶体,并首次测试了该化合物的非线性光学性能。粉末倍频实验显示La_(0.26)Bi_(0.74)OOH的倍频响应为KH_2PO_4的0. 6倍。紫外-可见-近红外漫反射光谱表明该化合物的截止波长为335 nm。此外,第一性原理计算显示该化合物为直接带隙半导体,其内部的Bi-O和La-O基团对La_(0.26)Bi_(0.74)OOH的非线性光学性能起主要作用。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
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