导读:本文包含了等离子体化学气相淀积论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:等离子体,气相,化学,薄膜,金刚石,粒子,超细。
等离子体化学气相淀积论文文献综述
[1]（2007）在《高密度等离子体化学气相淀积(HDP CVD)工艺》一文中研究指出随着半导体技术的飞速发展,单个芯片上所能承载的晶体管数量以惊人的速度增长,与此同时,半导体制造商们出于节约成本的需要迫切地希望单个晶圆上能够容纳更多的芯片。这种趋势推动了半导体器件特征尺寸的显着减小,相应地也对芯片制造工艺提出了更高的要求,其中一个具有挑战性的难题就是绝缘介质在各个薄膜层之间均匀无孔的填充,以提供充分有效的隔离保护,包括浅槽隔离(Shallow-Trench-Isolation),金属前绝缘层(Pre-Met-al-Dielectric),金属层间绝缘层(Inter-Metal-Dielec-tric)等等。本文所介绍的高密度等离子体化学气相淀积(HDPCVD)工艺自20世纪90年代中期开始被先进的芯片工厂采用以来,以其卓越的填孔能力、稳定的淀积质量、可靠的电学特性等诸多优点而迅速成为0.25微米以下先进工艺的主流。图1所示即为在超大规模集成电路中HDPCVD工艺的典型应用。(本文来源于《中国集成电路》期刊2007年02期）
吴振宇,杨银堂,汪家友[2]（2006）在《微波电子回旋共振等离子体化学气相淀积法制备非晶氟化碳薄膜的研究》一文中研究指出采用电子回旋共振等离子体化学气相淀积(ECR-CVD)法,以C4F8和CH4为源气体制备了非晶氟化碳(a-C:F)薄膜.X射线电子能谱(XPS)和傅里叶变换红外光谱(FTIR)分析表明,a-C:F薄膜退火后厚度减小是由于位于a-C:F薄膜交联结构末端的C—C和CF3结合态的热稳定性较差,导致退火时容易生成气态挥发物造成的.a-C:F膜介电常数在300℃氮气气氛中退火后由于电子极化增大和薄膜密度增加而上升,界面态陷阱密度从(5—9)×1011eV-1·cm-2降至(4—6)×1011eV-1·cm-2.a-C:F薄膜导电行为在低场强区域呈现欧姆特性,在高场强区域符合Poole-Frankel机理.非定域π电子在带尾形成陷阱且陷阱能量在退火后降低,从而使更多陷阱电子在场增强热激发作用下进入导带并引起电流增大.(本文来源于《物理学报》期刊2006年05期）
丁士进,张庆全,王鹏飞,张卫,王季陶[3]（2001）在《等离子体增强化学气相淀积a-SiCOF薄膜的稳定性研究》一文中研究指出以正硅酸乙酯 (TEOS) /C4 F8/Ar为气源 ,采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法制备了低介电常数a SiCOF介质薄膜 ,并借助X射线光电子能谱 (XPS)和傅立叶变换红外光谱 (FTIR)对薄膜的化学键结构、热稳定性和抗吸水性进行了研究。(本文来源于《高技术通讯》期刊2001年11期）
张卫,王鹏飞,张庆全,丁士进,王季陶[4]（2001）在《等离子体化学气相淀积新型低介电常数SiCOF介质薄膜》一文中研究指出等离子体化学气相淀积制备了新型低介电常数SiCOF介质薄膜,并通过FTIR,XPS和C—V特性测试对其结构和性能进行了研究。结果表明当C_4F_8流量为30sccm时所淀积的SiCOF薄膜介电常数仅为2.6。FTIR及XPS分析发现SiCOF薄膜中有≡CF和=CF_2结构存在,而且以≡CF结构居多,同时薄膜中还有C-C键的交联,这种交联结构的存在使SiCOF薄膜有较高的稳定性,并有利于降低薄膜介电常数。另外,SiCOF薄膜具有良好的抗吸湿性能,这可能与薄膜中含有憎水性的C-F基因有关。(本文来源于《第四届中国功能材料及其应用学术会议论文集》期刊2001-10-01）
朱晓东,詹如娟,周海洋,胡敏,温晓辉[5]（1999）在《热阴极直流放电等离子体化学气相淀积金刚石膜过程中等离子体环境的研究》一文中研究指出利用光发射谱和Langmuir探针对热阴极直流放电等离子体化学气相淀积(PCVD)金刚石薄膜的等离子体环境进行了原位诊断 ,根据探针和光谱诊断结果定量地计算了在放电电流密度变化过程中基态氢原子和基态CH基团数密度的变化 ,发现基态和激发态的原子氢和CH基团的数密度均因放电密度增加而提高 .电子密度、CH发射的相对强度均随放电电流密度的增加而线性增加 ,而不同的含碳活性粒子的产生与电子温度的升高有关 .将诊断结果与金刚石的生长相联系 ,表明激发态的原子氢的产生促进了金刚石的生长 ,等离子体环境中电子温度和密度的增加对金刚石生长速率提高起着重要的作用 .(本文来源于《中国科学(A辑)》期刊1999年01期）
孟广耀,谢松,彭定坤[6]（1998）在《微波等离子体化学气相淀积法生长取向性纳米氮化铝薄膜》一文中研究指出采用微波等离子体增强的化学气相淀积法，在Si（111）衬底上生长了（002）择优取向良好的AIN纳米薄膜研究淀积参数对膜的形貌、物相结构和生长速率的影响，发现在一定条件下，该起积过程属于典型的输运控制过程采用表面吸附生长模型讨论了膜的生长机制(本文来源于《材料研究学报》期刊1998年04期）
董志武,韩兆让,杨延华[7]（1997）在《氧化硅涂塑包装膜与等离子体化学气相淀积(PECVD)技术》一文中研究指出阐述了SiOx涂塑包装膜的最新发展及等离子体化学气相淀积技术在制造SiOx涂塑包装材料中的应用。(本文来源于《包装工程》期刊1997年Z1期）
韩今依,朱宏杰,朱以华,杨根兵,胡黎明[8]（1995）在《高频等离子体化学气相淀积制备氮化硅超细粒子》一文中研究指出利用高频等离子体化学气相淀积方法以四氯化硅及氨为原料，合成了粒度小、粒径分布均匀、氮含量为36.3％的无定形氮化硅粉末。研究了放置环境、合成及热处理环境、进料位置、NH_3与SiCl_4配比等不同的工艺条件对产物氮化硅氮含量的影响。推究了高温下四氯化硅与氨反应合成氨化硅的过程机理。(本文来源于《化工进展》期刊1995年05期）
朱宏杰,王新,李春忠,胡黎明[9]（1994）在《高频等离子体化学气相淀积法制备TiO_2超细粒子》一文中研究指出利用ＴｉＣｌ＿４＋Ｏ＿２体系，在高频等离子体化学气相淀积反应器中合成了纯度高、粒度细的ＴｉＯ＿２粒子。考察了工艺条件对ＴｉＯ＿２粒子物性的影响；探讨了ＴｉＯ＿２粒子晶型控制的方法。金红石型质量分数可通过工艺条件控制，减少ＴｉＯ＿２单体浓度可提高金红石型质量分数；也可通过在原料ＴｉＣｌ＿４中添加ＡｌＣｌ＿３等晶型转化剂，使产品转化为单一金红石型ＴｉＯ＿２。(本文来源于《华东理工大学学报》期刊1994年05期）
高克林,詹如娟,曹金祥,邹祖平,项志遴[10]（1992）在《化学气相淀积中甲烷含量变化的等离子体参数诊断》一文中研究指出一、引言 金刚石薄膜以其优异的特性越来越受到人们的重视。人们已用各种方法制备出金刚石薄膜、并详细研究了膜质量、膜的形貌与各种宏观参量的关系。在这里,含碳物源相对于氢气的浓度比对金刚石膜的结构和形貌的影响是相当严重的。从许多报道中可知,当(本文来源于《核聚变与等离子体物理》期刊1992年03期）
等离子体化学气相淀积论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
采用电子回旋共振等离子体化学气相淀积(ECR-CVD)法,以C4F8和CH4为源气体制备了非晶氟化碳(a-C:F)薄膜.X射线电子能谱(XPS)和傅里叶变换红外光谱(FTIR)分析表明,a-C:F薄膜退火后厚度减小是由于位于a-C:F薄膜交联结构末端的C—C和CF3结合态的热稳定性较差,导致退火时容易生成气态挥发物造成的.a-C:F膜介电常数在300℃氮气气氛中退火后由于电子极化增大和薄膜密度增加而上升,界面态陷阱密度从(5—9)×1011eV-1·cm-2降至(4—6)×1011eV-1·cm-2.a-C:F薄膜导电行为在低场强区域呈现欧姆特性,在高场强区域符合Poole-Frankel机理.非定域π电子在带尾形成陷阱且陷阱能量在退火后降低,从而使更多陷阱电子在场增强热激发作用下进入导带并引起电流增大.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
等离子体化学气相淀积论文参考文献
[1]..高密度等离子体化学气相淀积(HDPCVD)工艺[J].中国集成电路.2007
[2].吴振宇,杨银堂,汪家友.微波电子回旋共振等离子体化学气相淀积法制备非晶氟化碳薄膜的研究[J].物理学报.2006
[3].丁士进,张庆全,王鹏飞,张卫,王季陶.等离子体增强化学气相淀积a-SiCOF薄膜的稳定性研究[J].高技术通讯.2001
[4].张卫,王鹏飞,张庆全,丁士进,王季陶.等离子体化学气相淀积新型低介电常数SiCOF介质薄膜[C].第四届中国功能材料及其应用学术会议论文集.2001
[5].朱晓东,詹如娟,周海洋,胡敏,温晓辉.热阴极直流放电等离子体化学气相淀积金刚石膜过程中等离子体环境的研究[J].中国科学(A辑).1999
[6].孟广耀,谢松,彭定坤.微波等离子体化学气相淀积法生长取向性纳米氮化铝薄膜[J].材料研究学报.1998
[7].董志武,韩兆让,杨延华.氧化硅涂塑包装膜与等离子体化学气相淀积(PECVD)技术[J].包装工程.1997
[8].韩今依,朱宏杰,朱以华,杨根兵,胡黎明.高频等离子体化学气相淀积制备氮化硅超细粒子[J].化工进展.1995
[9].朱宏杰,王新,李春忠,胡黎明.高频等离子体化学气相淀积法制备TiO_2超细粒子[J].华东理工大学学报.1994
[10].高克林,詹如娟,曹金祥,邹祖平,项志遴.化学气相淀积中甲烷含量变化的等离子体参数诊断[J].核聚变与等离子体物理.1992
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