采用化学气相沉积法(CVD)制备高质量的纳米二硫化钼薄膜,并对纳米二硫化钼薄膜在形貌和尺寸调控方面开展了探究工作。实验研究表明:CVD制备的反应温度是影响二硫化钼合成的关键要素,利用CVD法调节反应温度可获得三角形和飞镖形两种形貌的二硫化钼薄膜,在不同反应温度下制备的三角形二硫化钼,其尺寸大小也不同。本文初步探究了反应温度与有效成核点数目的关系。研究成果对于大规模合成MoS2样品有一定指导意义。
类型: 期刊论文
作者: 龚家志,周仁龙,杨飒,翁惠仪
关键词: 二硫化钼,化学气相沉积法,反应温度,有效成核点
来源: 广州化工 2019年07期
年度: 2019
分类: 工程科技Ⅰ辑,工程科技Ⅱ辑
专业: 无机化工,材料科学,工业通用技术及设备
单位: 广东第二师范学院
基金: 中国国家自然科学基金项目(51675174),湖南省自然科学基金项目(2017JJ2097),广东省自然科学基金项目(2018A030313684),湖南省教育厅科学研究项目(16A067),广东省教育厅科学研究项目(2017KTSCX134)
分类号: TQ136.12;TB383.2
页码: 55-57+60
总页数: 4
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