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MgO/MgF2掺杂对Al2O3陶瓷烧结、显微结构及微波介电性能的影响

论文摘要

采用搅拌混合法和无压烧结工艺,制备了Mg2+浓度为500 ppm的MgO掺杂和MgF2掺杂的Al2O3陶瓷,系统地研究了MgO和MgF2掺杂对Al2O3陶瓷致密化、显微结构和微波介电性能的影响。研究结果表明:与MgO掺杂相比,MgF2掺杂在较高温度下能更加有效地促进Al2O3陶瓷的致密化。在1550℃烧结条件下,MgF2掺杂的Al2O3陶瓷比MgO掺杂的Al2O3陶瓷的晶粒更大,同时介电常数也更高。但另一方面,MgF2掺杂的Al2O3陶瓷介电损耗也远比MgO掺杂的Al2O3陶瓷要高。同时简单分析了造成此现象的原因。

论文目录

  • 1 引言
  • 2 实验
  •   2.1 样品的制备
  •   2.2 测试及表征
  • 3 结果与讨论
  • 4 结论

    • 文章来源

    类型: 期刊论文

    作者: 林聪毅,袁璐,李蔚

    关键词: 掺杂,陶瓷,微波介电性能

    来源: 硅酸盐通报 2019年12期

    年度: 2019

    分类: 工程科技Ⅰ辑

    专业: 无机化工

    单位: 华东理工大学材料科学与工程学院,上海三思电子工程有限公司

    分类号: TQ174.1

    DOI: 10.16552/j.cnki.issn1001-1625.2019.12.019

    页码: 3845-3848

    总页数: 4

    文件大小: 191K

    下载量: 75

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    本文来源: https://www.lunwen66.cn/article/0bfb38dffeb2ea7a1efd26a5.html