针对利用笼形空心阴极放电在大工件表面制备DLC薄膜时,笼网内大工件操作困难、大工件影响放电的问题,开发了自源笼形空心阴极放电方法,在不同偏压（-300～0 V）条件下于Si（100）表面制备了Si-DLC薄膜,考察了偏压对Si-DLC薄膜结构和性能的影响。结果表明:获得Si-DLC的沉积速率达到7.90μm/h。由偏压引起的高能离子轰击使薄膜的组织结构更为致密,降低了表面粗糙度和H含量。Si-DLC薄膜中的sp3/sp2值随偏压增加先上升后下降,薄膜纳米压入硬度和弹性模量也呈现相同规律。偏压为-200 V沉积的Si-DLC薄膜具有最高的sp3/sp2（0.69）、H/E和H3/E2值,表现出致密的结构和优异的摩擦性能,摩擦因数低至0.024,磨损率为1×10-6 mm3/Nm。说明自源笼形空心阴极放电是一种有效制备大面积DLC膜的工艺,-200 V偏压是最优化的参数。
类型: 期刊论文
作者: 孙薇薇,田修波,李慕勤,吴明忠,巩春志,田钦文
关键词: 自源笼形空心阴极放电,偏压,显微结构,力学性能,摩擦学性能
来源: 中国表面工程 2019年03期
年度: 2019
分类: 工程科技Ⅰ辑
专业: 金属学及金属工艺
单位: 哈尔滨工业大学先进焊接与连接国家重点实验室,佳木斯大学理学院,佳木斯大学材料科学与工程学院
基金: 国家自然科学基金(11675047,51811530059),黑龙江省自然科学基金(E2015039)~~
分类号: TG174.4
页码: 69-79
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