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碳化硅功率器件封装关键技术的研究

论文摘要

碳化硅功率器件是一种宽禁带器件,具有耐高温、耐高压以及导通电阻低等优点,而如何发挥碳化硅器件的相关优点,则是目前封装技术的不容忽视的问题。在文章研究中,阐述了碳化硅功率器件封装技术所面临的挑战,并介绍了模块封装结构以及相关关键技术情况。

论文目录

  • 1 碳化硅功率模块封装技术所面临的挑战
  • 2 碳化硅功率建模封装的结构
  •   2.1 直接导线键合结构
  •   2.2 SKIN结构
  • 3 碳化硅功率器件封装技术实现
  •   3.1 低杂散电感封装技术
  •     3.1.1 单管翻转贴片封装
  •     3.1.2 PCB+DBC的混合封装
  •     3.1.3 芯片正面平面互连接封装技术
  •     3.1.4 双面散热封装技术
  •   3.2 高温封装技术

    • 文章来源

    类型: 期刊论文

    作者: 李洪涛

    关键词: 碳化硅,功率器件封装,封装结构

    来源: 产业科技创新 2019年35期

    年度: 2019

    分类: 经济与管理科学,信息科技

    专业: 无线电电子学

    单位: 青岛滨海学院

    基金: 青岛滨海学院校级课题项目（Q2018A021）

    分类号: TN386

    页码: 88-90

    总页数: 3

    文件大小: 1327K

    下载量: 127

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    本文来源: https://www.lunwen66.cn/article/1439458940a0de1710126c86.html