深空探测任务面临辐射与温度变化综合作用的恶劣环境,易导致作为航天器电子系统主要组成的CMOS集成电路发生单粒子锁定效应。着眼于在轨应用需求,针对体硅工艺SRAM器件进行了高温环境单粒子锁定试验研究,在不同电压和温度条件下开展重离子辐照试验,结果表明,随着器件工作电压的升高,单粒子锁定敏感性增加;随着温度升高,单粒子锁定截面增加,从常温到125℃的增幅约为1个数量级:即高温高电压下更易触发器件单粒子锁定效应。
类型: 期刊论文
作者: 李晓亮,梅博,李鹏伟,孙毅,吕贺,莫日根,于庆奎,张洪伟
关键词: 器件,重离子辐照,单粒子锁定,高温环境,工作电压,试验研究
来源: 航天器环境工程 2019年06期
年度: 2019
分类: 工程科技Ⅱ辑
专业: 航空航天科学与工程
单位: 中国航天宇航元器件工程中心
基金: 装备发展部信息系统局XX电子元器件XX项目（编号：18XXXX0016）
分类号: V443
页码: 589-593
总页数: 5
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