导读:本文包含了横向过生长论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:生长,外延,机理,横向,论文,GaN。
魏茂林,齐鸣,李爱珍[1]（2001）在《横向过生长(LEO)外延GaN材料及其生长机理》一文中研究指出由于没有合适的衬底材料与之匹配，使外延生长的 GaN材料缺陷密度很大，从而限制了它的应用。采用 LEO(横向过生长外延 )技术能使缺陷密度降低 3～ 4个数量级，可生长出高质量的 GaN材料。本文简要介绍了应用 LEO技术生长 GaN材料的现状及对生长机理研究的进展。(本文来源于《功能材料与器件学报》期刊2001年02期）
[1].魏茂林,齐鸣,李爱珍.横向过生长(LEO)外延GaN材料及其生长机理[J].功能材料与器件学报.2001
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